在業(yè)界頻傳NAND閃存價(jià)格迅猛下滑之際，作為市占率近34%的全球最大閃存供應(yīng)商三星電子,，卻仍在逆勢(shì)增加投資,，并官宣其閃存產(chǎn)品將漲價(jià)10%。目前,，這一漲價(jià)幅度,，已為中國(guó)部分廠商接受。 1月12日,，華爾街見聞獲悉,，三星電子在西安的一個(gè)三期NAND閃存項(xiàng)目，進(jìn)入了蘋果智能手機(jī)NAND閃存供應(yīng)鏈,。此前,，三星電子已是蘋果公司最大的DRAM芯片供應(yīng)商。 但是,，提價(jià)10%很可能并非三星電子的主要訴求,。從各種跡象看，三星將于年內(nèi)開啟其閃存大幅降價(jià)的大幕,。從逆勢(shì)增資擴(kuò)產(chǎn),，到大幅降價(jià)，個(gè)中原因,，不問(wèn)可知,。 逆勢(shì)增資：三星心路人知

受低迷的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)影響，三星電子利潤(rùn)受到打擊,，但三星電子半導(dǎo)體投資擴(kuò)產(chǎn)卻沒有停滯,。

全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)結(jié)構(gòu)怎樣？

據(jù)英國(guó)市場(chǎng)追蹤機(jī)構(gòu)Omdia統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,，截至2021年,，三星在DRAM市場(chǎng)份額為42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%,；NAND閃存方面,，截至2022年Q2，三星電子擁有33.9%的市場(chǎng)份額,，位列全球第一,；通過(guò)收購(gòu)Intel NAND Flash閃存業(yè)務(wù)，SK海力士組建了新公司Solidigm,，市場(chǎng)份額升至19.9％,，緊隨三星電子之后排名第二,。 值得一提的是，三星電子在NADA閃存市場(chǎng)獲得全球第一的市場(chǎng)地位,，源自在2006-2009年一系列NADA閃存詭譎風(fēng)云中三星的逆勢(shì)增資擴(kuò)張,。 這是一次極為成功的逆勢(shì)“加倉(cāng)”之后的驚人逆襲。三星電子在行業(yè)低迷期擴(kuò)大投資規(guī)模,，最終擊敗當(dāng)時(shí)市場(chǎng)份額領(lǐng)先于三星電子的對(duì)手,，比如德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)、日本“國(guó)家隊(duì)”爾必達(dá)和東芝,。 這次成功經(jīng)驗(yàn),，充分解釋了三星電子再次遇到行業(yè)低迷期，為何仍敢于逆勢(shì)增資擴(kuò)產(chǎn)的信心迷局,。

2022年,，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下行周期，存儲(chǔ)市場(chǎng)占據(jù)半導(dǎo)體約30%的比例,，故受到較大行業(yè)下行影響：包括三星電子,、美光和SK海力士在內(nèi)的多家存儲(chǔ)廠商均出現(xiàn)虧損。 因此,，行業(yè)風(fēng)格保守,，一眾巨頭也開始收縮業(yè)務(wù)。比如美光計(jì)劃將2023財(cái)年投資額,，從2022財(cái)年的120億美元,，下調(diào)至70億-75億美元；同時(shí),，還將大幅減少2024財(cái)年的資本支出,；SK海力士也在2022年10月宣布，2023年的設(shè)備投資預(yù)算幅度,，將比2022年減少超過(guò)50%,。

但是三星例外，其投資風(fēng)格極為激進(jìn),，這與美光和SK海力士因市場(chǎng)低迷而收縮業(yè)務(wù)規(guī)模的做法,，顯得格外與眾不同,。 公開消息顯示,，三星電子已決定，在2023年提升其存儲(chǔ)器和晶圓廠10%的產(chǎn)能,。這些產(chǎn)能也有部分來(lái)自中國(guó)的三星新投資項(xiàng)目,。

1月12日，華爾街見聞從供應(yīng)鏈了解到,，三星西安三期項(xiàng)目12寸（300mm）晶圓廠將于2月中旬開工,。這個(gè)項(xiàng)目原本定于2022年12月啟動(dòng)，但受內(nèi)外多種因素影響，故而有所延期,。 三星電子西安三期項(xiàng)目總投資高達(dá)3000億元人民幣,。目前，這個(gè)工廠的定位是三星電子NAND閃存半導(dǎo)體的生產(chǎn)基地,，與前兩期項(xiàng)目的產(chǎn)能合并后,，將占據(jù)三星電子NAND全球總產(chǎn)能的40%。前兩期項(xiàng)目已達(dá)產(chǎn),，每月生產(chǎn)12英寸晶圓量達(dá)25萬(wàn)張,，年?duì)I收高達(dá)1000億元人民幣。

與臺(tái)積電或英特爾均已做出的減產(chǎn)計(jì)劃相比,，三星電子同樣屬于逆勢(shì)“加倉(cāng)”,。此舉說(shuō)明三星電子野心極大，既想稱霸存儲(chǔ)器市場(chǎng),，也想在晶圓代工領(lǐng)域反超臺(tái)積電,。 除了中國(guó)項(xiàng)目，三星電子將對(duì)在韓國(guó)京畿道平澤市第一工廠（P1）的NAND閃存設(shè)備做升級(jí),。

P1的NAND線預(yù)計(jì)將改造為V8（238層）NAND量產(chǎn)線,，可加工約3萬(wàn)張晶圓。此前,，有消息稱,，三星電子可能會(huì)在2023年下半年，投資已完成外裝工程的平澤4號(hào)廠房（P4）一期工程新的NAND生產(chǎn)線,。

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司Trend Force的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),，截至2022年底，三星電子NAND晶圓月產(chǎn)量約為64.5萬(wàn)張,。就半導(dǎo)體投資而言,，三星電子決定在所有領(lǐng)域都保持2021年的水平。 另?yè)?jù)英國(guó)市場(chǎng)研究公司Omdia的數(shù)據(jù)顯示,，NAND市場(chǎng)價(jià)值約為665億美元,。鑒于此等規(guī)模的市場(chǎng)前景，三星或許想通過(guò)增加NAND產(chǎn)能,，以擠壓或吞并規(guī)模較小的行業(yè)企業(yè),。目前，在NAND領(lǐng)域,，仍有6-7家企業(yè)在爭(zhēng)奪全球范圍內(nèi)的市場(chǎng)份額,。 手段：提價(jià)、擴(kuò)產(chǎn),、降價(jià)

1月6日,，這家韓國(guó)市值最高的公司對(duì)外表示,，2022年10月-12月季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)可能同比下降 69%，低于市場(chǎng)預(yù)期的38%降幅,，創(chuàng)下2008年同季度以來(lái)的最大降幅紀(jì)錄,。 與2022年三季度相比，用于智能手機(jī)和其他設(shè)備的NAND閃存基準(zhǔn)在2022年四季度期間,，跌幅達(dá)到14%,。 可以說(shuō)，三星電子面臨行業(yè)低迷和公司業(yè)績(jī)下滑的雙重壓力,，卻仍在逆勢(shì)增資擴(kuò)產(chǎn),。這家公司表示，將繼續(xù)從中長(zhǎng)期的角度為市場(chǎng)復(fù)蘇做準(zhǔn)備,。

由上文可知,，三星對(duì)逆勢(shì)投資有過(guò)成功經(jīng)驗(yàn)。多年來(lái),，三星常常在行業(yè)不景氣時(shí)期做巨額投資,，以在下一個(gè)繁榮時(shí)期擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，從而引領(lǐng)全球內(nèi)存市場(chǎng),。

俗話說(shuō),，手中有糧，心中才能不慌,。 三星敢于逆勢(shì)大舉增資,，底氣來(lái)自其擁有的規(guī)模龐大的現(xiàn)金儲(chǔ)備。截至2022年9月底,，三星持有約128.8萬(wàn)億韓元（約合1010億美元）現(xiàn)金,，約是其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士或美光的10倍。 韓國(guó)政府也很給力,。韓國(guó)在2023年1月3日宣布,，計(jì)劃將半導(dǎo)體和電池等戰(zhàn)略技術(shù)資本支出的稅收減免，從8%擴(kuò)大到15%,，接近翻倍,。

除了想靠技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)能規(guī)模壓制對(duì)手,，復(fù)制2006-2009年的那次成功逆襲,，還有個(gè)重要原因，即三星電子已成功進(jìn)入蘋果NAND閃存供應(yīng)鏈,。此事得益于中國(guó)本土一家NAND閃存巨頭遇到的眾所周知的技術(shù)限制,。 這家中國(guó)公司在遭遇技術(shù)約束后，三星電子成為了蘋果公司在中國(guó)的NAND存儲(chǔ)芯片替代供應(yīng)商,。華爾街見聞獲悉,，三星電子位于西安的NAND閃存工廠將為蘋果供應(yīng)NAND閃存。目前,，這個(gè)工廠的三期工程將于2月動(dòng)工,。

值得一提的是，不久前,，三星電子官宣其閃存產(chǎn)品將提價(jià)10%,，而部分中國(guó)公司已接受這一報(bào)價(jià)。 但是,，據(jù)公開報(bào)道顯示,，三星電子可能會(huì)于2023年開啟包括NAND閃存在內(nèi)的大幅降價(jià)，以進(jìn)一步提高在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的份額,。

對(duì)NAND技術(shù),、產(chǎn)能和價(jià)格三者之間關(guān)系的理解，也能從另一個(gè)角度解釋三星電子為何逆勢(shì)增資的意圖,。 在NAND領(lǐng)域,，NAND制造商做的激烈技術(shù)角逐，集中在增加垂直層數(shù)方面,。SK海力士和美光都已推出200多層的NAND技術(shù),，但三星認(rèn)為，“重要的不是層數(shù),，而是產(chǎn)能以及專注于提供具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的更優(yōu)解決方案”,。 說(shuō)是這么說(shuō)，但三星并沒有放松NAND的技術(shù)迭代,，其技術(shù)水平也極為高超,。 目前，三星電子生產(chǎn)的第八代V-NAND高達(dá)230層,；第9代V-NAND也已在研發(fā)過(guò)程中,，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)。2030年,，三星將推出高達(dá)1000層的V-NAND產(chǎn)品,。

鑒于DRAM的對(duì)于消費(fèi)電子級(jí)的重要性，三星也在重兵布局這個(gè)方向,。 為推進(jìn)10nm范圍以外的微縮,，三星電子正在開發(fā)圖案、材料和架構(gòu)方面做持續(xù)突破,。

2022年底,，三星官方透露，其即將推出的DRAM解決方案包括32Gb DDR5 DRAM,、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM,。三星還談到了HBM-PIM,、AXDIMM和CXL等定制DRAM解決方案。此外,，三星計(jì)劃到2030年實(shí)現(xiàn)亞納米DRAM,。

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