眾所周知,，美國最近已經(jīng)聯(lián)手荷蘭,、日本,，對中國芯進(jìn)行了全面圍堵，目標(biāo)是卡死中國芯片工藝制程在14nm,，不準(zhǔn)再前進(jìn),。

實話實說，目前的形勢對我們非常不利,，ASML的EUV光刻機(jī)買不到,，能用于7nm工藝的浸潤式光刻機(jī)，ASML,、尼康也不能賣,，只能賣出14nm以上工藝的光刻機(jī)。

而國產(chǎn)的光刻機(jī),，分辨率還在90nm,，要達(dá)到14nm以下，估計還得非常長的時間,。

所以很多人認(rèn)為,，在硅基芯片上，在短時間內(nèi)追上甚至超過美國,，基本上不太可能了,，再加上硅基芯片，已經(jīng)快要達(dá)到性能極限了,，注定要被新材料新技術(shù)替代的,，所以我們需要換道超車，提前布局才行,。

而量子芯片,、光子芯片、碳基芯片是新的方向,。其中特別是碳基芯片,，更是成為了很多人的希望，因為目前在碳基芯片上,，我們的水平并沒有落后,，在材料、制造、研究等領(lǐng)域,，是處于世界前列的,，截至2022年底，中國與碳基芯片相關(guān)的石墨烯專利技術(shù)申請量約占全球的80％,。

再加上碳基芯片的電子遷移率遠(yuǎn)高于硅基材料,，性能至少是硅基芯片的10倍以上，同時功耗還能大幅降低,。

還有人稱,，碳基芯片，由于不使用硅,，所以現(xiàn)有的光刻機(jī)技術(shù),，可能會被顛覆，不再需要EUV光刻機(jī)了,，所以中國芯也就不會再被光刻機(jī)卡住脖子,，值得我們大干一場。

事實上,，目前的碳基芯片基本上還處于概念階段,，并沒有實際可以量產(chǎn)的成品出現(xiàn)，更多的只是科學(xué)研究,，全球都是如此,。

同時由于載碳原子有4個自由電子，碳晶體管本身具有較高的導(dǎo)熱性與電子活潑性,，導(dǎo)致碳晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)十分不穩(wěn)定,，這也是當(dāng)前制造碳基芯片的難點。

此外,，從現(xiàn)在的研究來看,，制造碳晶體管,，依然采用的是當(dāng)前硅基芯片的相同技術(shù),，還是采用投影式光刻機(jī)，對電路圖進(jìn)行投影,，原理,、過程都一致的。

這意味著,，想靠碳基芯片來繞過光刻機(jī),，以及EUV光刻機(jī)，在當(dāng)前階段可能并不現(xiàn)實,，碳基芯片與硅基芯片相比,，只是材料不同而已，制造方式還是一樣的,。

當(dāng)然,，碳基芯片遠(yuǎn)比硅芯片先進(jìn),，比如40nm的芯片碳基芯片，可以達(dá)到10nm硅基芯片的性能,，也就是說14nm的碳基芯片,，或許能達(dá)到3nm硅基芯片的性能，而我們?nèi)缃裾莆樟?4nm工藝,，如果能率先制造出碳基芯片,，確實是換道成功。

但是,，實話實說,，任何技術(shù)，都需要積累相關(guān)技術(shù)優(yōu)勢才能真正實現(xiàn)彎道超車,，想要換條道,，就可以超過別人，并不太現(xiàn)實,，只有我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更加完善,，將原本薄弱的基礎(chǔ)都補上來，才能真正開啟一個全新的芯片時代,，你覺得呢,？

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