《電子技術(shù)應(yīng)用》
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國(guó)產(chǎn)5G毫米波前端芯片的新突破

2023-02-13
來(lái)源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察

  5G毫米波前端GaAs基芯片新突破

  5G通信已經(jīng)成為人們生活的部分,,其中具備高速率,、高容量、低延時(shí)的5G 毫米波逐漸成為關(guān)注的重點(diǎn),其巨大的市場(chǎng)前景引起了業(yè)界廣泛的布局和投入,。業(yè)界為5G毫米波通信提供了多種芯片方案(GaAs/GaN毫米波前端方案和Si/GeSi基毫米波前端方案)和部署方案,呈現(xiàn)百花齊放,、各家爭(zhēng)鳴的特點(diǎn),,但現(xiàn)狀是所有芯片方案都需要極大的改進(jìn)或進(jìn)步。行業(yè)需要一種性能全面優(yōu)異且成本實(shí)惠的芯片方案和部署方案來(lái)解決5G 毫米波通信的基礎(chǔ)芯片難題,,以便5G毫米波通信產(chǎn)生更好的經(jīng)濟(jì)效益,,更好的滿(mǎn)足人們的預(yù)期。

  深圳市晶準(zhǔn)通信技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晶準(zhǔn)通信”)面向5G 毫米波通信應(yīng)用,在5G毫米波MMIC進(jìn)行了理論探索和產(chǎn)品研制,,提出了GaAs基異構(gòu)芯片方案,,成功實(shí)現(xiàn)了GaAs基工藝的業(yè)界最佳的單位面積功能集成度和最佳性能集成度,這一標(biāo)志性突破將極大的降低面向5G 毫米波通信和毫米波雷達(dá)的化合物基毫米波芯片成本以及尺寸,,具有巨大的潛在經(jīng)濟(jì)效益,。目前所完成的產(chǎn)品驗(yàn)證包括5G毫米波TR 前端芯片(如圖.1所示)、毫米波功率放大器(PA),、毫米波低噪聲放大器(LNA),、毫米波高功率開(kāi)關(guān)(HP_SPDT)、毫米波小尺寸開(kāi)關(guān)(LP_SPDT)等,,其中5G毫米波TR 前端芯片的尺寸為行業(yè)同功能GaAs TR MMIC尺寸的1/4 以下,。晶準(zhǔn)通信將5G毫米波相關(guān)的產(chǎn)品功能的尺寸降低至現(xiàn)有市場(chǎng)商用產(chǎn)品尺寸的1/10~1/4,幾乎將成本做到接近Si/GeSi基毫米波芯片的成本,,同時(shí)保持?jǐn)?shù)倍于Si/GeSi基毫米波芯片的性能,,打破了GaAs在MMIC應(yīng)用以來(lái)數(shù)十年功能集成度和性能集成度難以提升的行業(yè)瓶頸,并為GaAs等化合物基毫米波芯片相對(duì)Si/GeSi基毫米波芯片在普通商用領(lǐng)域展現(xiàn)出絕對(duì)的優(yōu)勢(shì),。

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  特別說(shuō)明的是,,晶準(zhǔn)通信的雙通道毫米波PA(如圖.3所示)(>25dBm)的功率密度接近0.8W/mm2(其中PA核心區(qū)域的功率密度超過(guò)1 W/mm2),幾乎接近同頻段下的GaN MMIC功率密度,。

  5G 毫米波通信現(xiàn)狀

  移動(dòng)通信經(jīng)歷過(guò)數(shù)十年和5個(gè)世代的發(fā)展,,為社會(huì)帶了巨大的變化,融入了人們生活的每個(gè)細(xì)節(jié)?,F(xiàn)在,,第5代移動(dòng)通信(5G)在世界主要國(guó)家已經(jīng)廣泛部署,逐漸成為人們生活的主要通信方式,。在5G 的部署方案中,,第一次出現(xiàn)工作于毫米波頻段的新方案,5G毫米波通信方案與Sub-6G的或2G~4G的部署方案具有顯著不同的特點(diǎn):一是毫米波通信鏈路采用全新的硬件架構(gòu),;二是毫米波的應(yīng)用基于解決新的通信瓶頸或?yàn)闈M(mǎn)足新的需求,。

  關(guān)于Sub-6G的部署方案,眾所周知:基于算法優(yōu)化的通信算法已經(jīng)逼近香濃定律指示的極限,;可使用頻段非常有限,,通信業(yè)界甚至采取退網(wǎng)2G、3G,、4G以便獲取5G通信頻段的方式擴(kuò)展Sub-6G的通信的容量,;采取數(shù)字波束賦形算法獲取系統(tǒng)容量提升需要付出足夠高的算力資源和電力能源,單位比特成本效益和能耗效益的提升相對(duì)4G非常有限,。Sub-6G的方案已經(jīng)遇到難以克服的科學(xué)瓶頸和工程瓶頸,。業(yè)界科學(xué)家,、研究機(jī)構(gòu)和產(chǎn)業(yè)公司將目光放到6GHz以上的頻段,積極謀取頻段授權(quán)和進(jìn)行產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)布局,。

  5G通信部署網(wǎng)絡(luò)中出現(xiàn)的新的毫米波頻段(FR2)通信方案已經(jīng)在部分國(guó)家規(guī)?;逃茫鄬?duì)Sub-6G的部署規(guī)模來(lái)說(shuō)還非常小,。5G毫米波通信網(wǎng)絡(luò)相對(duì)Sub-6G通信網(wǎng)絡(luò)具有幾個(gè)新特性:更高的容量和速率,;更低的延時(shí);可構(gòu)建絕對(duì)安全的物理信道,;更高的理論的單比特成本效益和能耗效益,;精準(zhǔn)的物理定位和多功能感知應(yīng)用;數(shù)十倍以上的可使用帶寬(結(jié)合波束賦形等技術(shù),,毫米波載波系統(tǒng)相對(duì)Sub-6G可實(shí)現(xiàn)上千倍通信容量提升)等,,在人們突破香濃定律預(yù)示的理論極限或工程上實(shí)現(xiàn)更高效率的算力芯片或更高性能的功率器件之前,采用毫米波網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建移動(dòng)通信可以滿(mǎn)足未來(lái)十年甚至數(shù)十年人們對(duì)通信的需求,。

  5G毫米波通信部署難點(diǎn)與待解決問(wèn)題

  現(xiàn)在的5G毫米波的推廣和部署為什么困難重重呢,?了解到我國(guó)優(yōu)先部署技術(shù)方案相對(duì)成熟和具有產(chǎn)業(yè)自主基礎(chǔ)的Sub-6G網(wǎng)絡(luò),毫米波部署網(wǎng)絡(luò)雖然已經(jīng)開(kāi)始發(fā)放商用牌照,,但是進(jìn)展相對(duì)較為緩慢,;毫米波元器件產(chǎn)業(yè)相對(duì)較為發(fā)達(dá)的歐美、日韓已經(jīng)開(kāi)始規(guī)?;撩撞ňW(wǎng)絡(luò),,但相對(duì)比重不到5G部署總量的1/2。由此不難推測(cè),,5G毫米波網(wǎng)絡(luò)部署中面臨著難題,,即現(xiàn)已部署的毫米波網(wǎng)絡(luò)跟理想中的毫米波網(wǎng)絡(luò)具有顯著的差距或在使用體驗(yàn)上需要做出巨大的改善。

  我們簡(jiǎn)單的分析一下現(xiàn)在部署的毫米波網(wǎng)絡(luò)的大致情況:5G毫米波移動(dòng)終端主要采用高通公司的5G套片方案,,業(yè)界主要的其他幾家通信設(shè)備公司相繼推出了支持毫米波通信的基帶芯片,,但是在毫米波通信終端AIP模塊上還在繼續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化,努力探索新方案,;在5G基站領(lǐng)域,,世界各大公司都推出了商用的毫米波基站方案,大多采用了256~1024相控陣單元的有源天線陣列,,而支持毫米波鏈路的射頻元器件多采用Si CMOS和GeSi BiCMOS器件工藝制作,,具備典型的射頻、數(shù)?;旌霞呻娐返奶攸c(diǎn)?;赟i CMOS或GeSi BiCMOS的毫米波芯片在射頻(毫米波頻段)性能至關(guān)重要的幾個(gè)參數(shù)上,,相對(duì)化合物基毫米波芯片不占據(jù)優(yōu)勢(shì):例如接收鏈路的噪聲系數(shù)和線性動(dòng)態(tài)范圍,、發(fā)射鏈路的輸出功率和效率以及頻率源的相位噪聲等(毫米波鏈路示意圖如圖.2)。

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  在無(wú)線通信中,,可以用幾個(gè)關(guān)鍵的參數(shù)指標(biāo)來(lái)衡量通信設(shè)備的硬件性能:信號(hào)輻射范圍,、信道誤碼率、信號(hào)鏈接穩(wěn)定性,。(如圖.1)信號(hào)輻射范圍或信號(hào)輻射距離由信號(hào)的發(fā)射端發(fā)射功率以及接收端鏈路的接收靈敏度和路徑傳播損耗共同決定,。舉一個(gè)簡(jiǎn)單的例子來(lái)說(shuō)明:在傳輸距離不變、發(fā)射端和接收端天線增益不變的前提下,,接收鏈路的噪聲系數(shù)降低3 dB,相應(yīng)的發(fā)射端發(fā)射功率可以降低約3 dB,。假設(shè)基站發(fā)射天線的能耗效率不變,采用化合物芯片的終端可使基站發(fā)射天線降低約一半的功耗,。由此計(jì)算出數(shù)百萬(wàn)或數(shù)千萬(wàn)的基站部署數(shù)量時(shí),,能耗降低一半這種優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)為顯著的利于節(jié)能和降低對(duì)電力能源的需求,基站設(shè)備的供電設(shè)備和設(shè)備的成本壓力也將極大的改善,。目前,,行業(yè)各大公司提供的Si CMOS或GeSi BiCMOS的毫米波芯片單通道輸出功率為10~20 dBm,接收噪聲4.5~6.5dB,(在TR集成下,,Si/GeSi基芯片發(fā)射與接收性能難以兼顧,,)大多采用256~1024單元陣列規(guī)模,毫米波通信基站有源陣列天線性能的提高需更大規(guī)模數(shù)量的芯片和天線單元,,實(shí)際表現(xiàn)為設(shè)備性能提升比率將逐步降低,,而成本提升比率將逐步提高。同時(shí),,大尺寸天線或AAU設(shè)備在部署和維護(hù)的成本相對(duì)較高,,由此引起的外觀美化、設(shè)備穩(wěn)定度都有所下降,。

  另外,,采用Si/GeSi基毫米波芯片的毫米波基站天線陣列需要數(shù)百個(gè)天線陣子,以便得到較高的陣列天線增益,;但從另一個(gè)角度看,,這種規(guī)模的天線陣列的輻射波束角較為狹窄,在基站部署輻射范圍約50-300米的輻射范圍內(nèi),,每一個(gè)波束覆蓋的有效區(qū)域非常小,,基站與用戶(hù)的相互確認(rèn)過(guò)程(波束對(duì)準(zhǔn)和身份識(shí)別)需要耗費(fèi)較大的時(shí)間,相應(yīng)的鏈接穩(wěn)定性將隨著用戶(hù)的移動(dòng)速率的提高迅速變差,,毫米波通信的速率優(yōu)勢(shì)難以發(fā)揮,。

  如果毫米波芯片能夠提高發(fā)射功率和降低接收噪聲系數(shù),毫米波基站的輻射效率和基站與用戶(hù)的鏈接穩(wěn)定性將會(huì)得到極大的改善,,同時(shí)有利于降低能耗,。

  代表著高性能的GaAs/GaN毫米波芯片的性能幾乎可以接近理想的滿(mǎn)足設(shè)備的性能期望值,,但是現(xiàn)有行業(yè)的化合物基毫米波芯片的尺寸與成本是行業(yè)認(rèn)為的難以接收的門(mén)檻。例如,,一個(gè)完整的支持波束賦性的收發(fā)前端(包括:收發(fā)開(kāi)關(guān),、功率放大器、低噪聲放大器,、幅相控制器),,如果采用Si CMOS 或GeSi BiCMOS的工藝,大概尺寸可以做到1.5~5.0 mm2,而采用化合物工藝的尺寸大約在8~30 mm2(在此,,我們先忽略尺寸與性能的關(guān)系),;另外,Si CMOS或GeSi BiCMOS的功能集成度相對(duì)化合物工藝有著顯著的優(yōu)勢(shì),;再者,,單位成本角度看,化合物芯片的單位成本是Si或GeSi的數(shù)倍,。從毫米波天線陣列的角度看,,如果我們簡(jiǎn)單的進(jìn)行一下思考:一個(gè)收發(fā)鏈路對(duì)應(yīng)一個(gè)天線單元,那么毫米波芯片必須滿(mǎn)足毫米波陣列天線中天線間距的要求,。以5G通信采用的中心頻率26GHz的頻段為例,,半波長(zhǎng)的天線間距大約為5.5um,現(xiàn)有的商用化合物芯片在尺寸上很難滿(mǎn)足或滿(mǎn)足不了(瓦片式方案)要求。綜合的看,,目前業(yè)界普遍將毫米波通信所采用的元器件的突破或選型方案放在Si或GeSi 工藝的芯片方案上,,體現(xiàn)了行業(yè)中先做出來(lái)后優(yōu)化的思路,多數(shù)的毫米波芯片都不斷尋求優(yōu)化方案,。但從本質(zhì)上來(lái)講,,半導(dǎo)體材料決定了對(duì)應(yīng)毫米波芯片性能的上限,電路上能提升性能但較為有限,。

  從現(xiàn)實(shí)角度看,,行業(yè)傾向選擇了現(xiàn)有較為可行的Si或GeSi基工藝方案作為主流商用方案,即主流基站方案選擇了性能較為優(yōu)異的GeSi基BiCMOS工藝路線,,移動(dòng)終端選擇了Si基CMOS工藝路線,。不過(guò)非常可惜的是,,已部署的5G毫米波網(wǎng)絡(luò)目前體驗(yàn)感需要提升,、部署成本需要降低,經(jīng)濟(jì)效益較Sub-6G方案沒(méi)有體現(xiàn)理論上應(yīng)該具備的優(yōu)勢(shì),。如果選擇Si或GeSi基方案繼續(xù)前行,,將在使用體驗(yàn)上充滿(mǎn)阻力,在經(jīng)濟(jì)效益指標(biāo)上面臨壓力。

  晶準(zhǔn)通信在5G毫米波GaAs基MMIC上的

  突破與性能優(yōu)勢(shì)

  晶準(zhǔn)通信的團(tuán)隊(duì)基于多年的MMIC設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)積累以及來(lái)自設(shè)備商和運(yùn)營(yíng)商對(duì)毫米波芯片的期望,,經(jīng)歷約多年的積極探索研究,,提出了兼顧性能、成本以及具備現(xiàn)實(shí)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的異構(gòu)芯片方案:即化合物基電路實(shí)現(xiàn)完整的射頻鏈路,,Si基電路實(shí)現(xiàn)控制與能源管理功能。這種方案可以完全基于現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),,降低了中高端工藝的需求,,可以滿(mǎn)足部署毫米波網(wǎng)絡(luò)的極大規(guī)模需求。晶準(zhǔn)通信的第一次流片就較為成功的驗(yàn)證了新方案路線的MMIC產(chǎn)品可行性,,并向行業(yè)伙伴和潛在用戶(hù)送樣,。

  晶準(zhǔn)通信向業(yè)界報(bào)告的毫米波MMIC產(chǎn)品進(jìn)展:包括TR MMIC(如圖.1)、雙通道PA MMIC(如圖.3),、LNA MMIC(如圖.4)等毫米波MMIC芯片,。

  以TR集成毫米波前端芯片(如圖.2)為案列進(jìn)行分別功能模塊介紹,主要包括4個(gè)模塊:發(fā)射鏈路功率放大器PA,、高功率非對(duì)稱(chēng)開(kāi)關(guān)HP_SPDT,、接收鏈路低噪聲放大器LNA、集成小尺寸開(kāi)關(guān)LP_SPDT,。幾種毫米波功能模塊在毫米波相控陣系統(tǒng)中占據(jù)至關(guān)重要的角色,,并占據(jù)最大的尺寸比重,每一種功能都影響毫米波多通道芯片的成本,、性能以及使用便捷性,。

  基于產(chǎn)品驗(yàn)證和業(yè)界需求,結(jié)合TR芯片中的PA功能模塊構(gòu)架了一種雙通道PA(如圖.3),。

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  圖.3右側(cè)簡(jiǎn)介了雙通道PA MMIC的照片和輸出功率,,在24-28 GHz的整個(gè)帶寬里輸出功率大于25 dBm,增益大約10-15 dB,且較為平坦,。我們還測(cè)試了P-1與P-3的差別,,相差不到0.3 dB,顯示該P(yáng)A具有優(yōu)秀的線性特性,。該P(yáng)A(2級(jí))直流偏置不到80mA,,在多通道集成芯片中完全滿(mǎn)足系統(tǒng)散熱指標(biāo)要求(散熱指標(biāo)限制值由設(shè)備商伙伴提供,為定義PA或TR的輸出功率提供了設(shè)計(jì)依據(jù)),;核心電路尺寸不到0.35mm2,功率密度達(dá)到約1W/mm2 ,。在產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的報(bào)道中,該雙通道PA輸出功率密度處于最高功率密度水平,,幾乎和GaN基商用毫米波PA MMIC的功率密度持平,。

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  圖.4簡(jiǎn)介了3級(jí)LNA MMIC(與圖.1中TR芯片中LNA相同)的照片和測(cè)量噪聲系數(shù),在24-28 GHz的整個(gè)帶寬里接收噪聲系數(shù)約不到2dB,增益大約20 dB,,且較為平坦,。該LNA MMIC輸出P-1大于10 dBm,;核心電路尺寸不到0.30 mm2。在產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的報(bào)道中,,是同等性能和功能前提條件下最小化合物基LNA尺寸(同等性能下),,幾乎是現(xiàn)有同功能商用產(chǎn)品尺寸的1/4以下。

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  圖.5簡(jiǎn)介了射頻前端的前置開(kāi)關(guān)HP_SPDT(由于尺寸太小,,不方便獨(dú)立成產(chǎn)品)的插入損耗測(cè)量結(jié)果,,為了滿(mǎn)足PA的輸出功率線性度要求和LNA的低噪聲以及隔離要求,該開(kāi)關(guān)采用了全新的設(shè)計(jì),,核心尺寸不到0.15 mm2,,發(fā)射鏈路損耗小于0.8 dB, 接收鏈路損耗約1.2 dB,隔離度大于25 dBc。在產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的報(bào)道中,,該開(kāi)關(guān)是同等性能下為行業(yè)最小尺寸,。

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  圖.6簡(jiǎn)介了射頻前端的小尺寸開(kāi)關(guān)LP_SPDT(由于尺寸太小,不方便獨(dú)立成產(chǎn)品)的插入損耗測(cè)量結(jié)果,,核心尺寸不到0.02 mm2,,插入損耗約1.5 dB,該開(kāi)關(guān)輸入P-1大于10 dBm,隔離度大于20 dBc,,用于收發(fā)鏈路信號(hào)切換,。在產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的報(bào)道中,該開(kāi)關(guān)占用芯片尺寸是所有毫米波開(kāi)關(guān)中的最小尺寸水平,。

  綜合上述,,晶準(zhǔn)通信實(shí)現(xiàn)了基于GaAs工藝的高度的集成度驗(yàn)證,并驗(yàn)證了高度集成設(shè)計(jì)下的芯片產(chǎn)品性能,。在TR集成芯片中,,可表現(xiàn)為發(fā)射輸出功率大于24 dBm, 接收噪聲系數(shù)約3 dB,核心部分尺寸低于1 mm2, 在業(yè)界展示出最高的單位尺寸功能集成度和單位功能性能集成度。與行業(yè)中的同功能類(lèi)型或同應(yīng)用類(lèi)型的Si/GeSi基毫米波芯片相比,,發(fā)射輸出功率相對(duì)行業(yè)Si/GeSi主流芯片產(chǎn)品的發(fā)射輸出功率有4~10 dB的提升,,接收噪聲有2~3 dB的性能提升,而芯片核心尺寸低于大部分Si/GeSi TR(同功能部分)芯片的尺寸,打破了業(yè)界關(guān)于GaAs毫米波芯片難以滿(mǎn)足毫米波相控陣天線間距的認(rèn)知限制,,并做到了完全超越Si基毫米波TR芯片的射頻功能和性能集成密度,。

  晶準(zhǔn)通信將向5G通信設(shè)備商伙伴提供集成4通道、8通道(支持雙極化)的5G毫米波MMIC芯片或AIP模組(如圖.7所示),。預(yù)期8通道芯片JC1101(如圖.7所示)尺寸約5*6 mm2,輸出功率P-1大于24 dBm,接收噪聲系數(shù)小于3dB,,支持雙極化和波束獨(dú)立賦形。

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  晶準(zhǔn)通信5G 毫米波GaAs 基芯片的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

  為了更直觀的分析晶準(zhǔn)通信異構(gòu)方案在5G毫米波部署網(wǎng)絡(luò)中體現(xiàn)的積極意義,,在關(guān)于毫米波通信的兩個(gè)維度進(jìn)行了對(duì)比分析:一個(gè)是通信鏈路(上行鏈路與下行鏈路)中的性能收益(如圖.8所示),;另一個(gè)是5G毫米波網(wǎng)絡(luò)部署的經(jīng)濟(jì)效益(如圖.9所示)。

  對(duì)比分析選擇了行業(yè)中輸出功率能力最高的GeSi BiCMOS毫米波產(chǎn)品(某公司4通道波束賦形芯片:輸出功率20 dBm)來(lái)構(gòu)建基站設(shè)備,同時(shí)參考較為優(yōu)秀的Si CMOS芯片構(gòu)建終端AIP,,共同構(gòu)成業(yè)界典型的部署案列,,為組合1;基于晶準(zhǔn)通信已獲得產(chǎn)品(驗(yàn)證)性能用于構(gòu)建組合2,。(本文對(duì)所述參考對(duì)象的產(chǎn)品來(lái)自學(xué)術(shù)界相關(guān)論文(與產(chǎn)品相關(guān)聯(lián)),,數(shù)據(jù)如有錯(cuò)誤,歡迎指正修改,。)組合1與組合2的對(duì)比分析結(jié)果和毫米波鏈路性能收益如圖.8所示,,可見(jiàn),基于組合2方案部署的毫米波信號(hào)鏈路在通信上行鏈路和下行鏈路都取得優(yōu)異性能提升,,大大提升了毫米波網(wǎng)絡(luò)部署的經(jīng)濟(jì)效益。

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  在構(gòu)建用于5G毫米波通信的單極化相控陣天線中,,對(duì)于輻射EIRP為64 dBm (P-1)的基站天線設(shè)備,,僅需要晶準(zhǔn)通信的TR芯片約64通道,在大規(guī)模量產(chǎn)下,,相應(yīng)的裸片生產(chǎn)成本低于1000元,,低于同樣性能(EIRP輻射值)下Si/GeSi基工藝的裸片總成本;在基站設(shè)備的其他部分,,有效天線面積可以縮小至25%(相對(duì)Si基毫米波方案基站),,波束算法成本、電源管理成本,、電力能耗也將顯著的降低,。如圖.9所示,晶準(zhǔn)通信的芯片將極大的有利于毫米波信號(hào)覆蓋的改善和鏈接穩(wěn)定性,。從產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),、最佳能源效率、最小部署難度,、部署成本等角度看,,晶準(zhǔn)通信的異構(gòu)毫米波芯片方案將成為更為優(yōu)異的選擇,在此不進(jìn)行詳細(xì)描述,。

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  綜合上述,,晶準(zhǔn)通信在毫米波MMIC芯片的產(chǎn)品突破將極大的降低5G毫米波基站的成本,為毫米波移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的部署提供具有顯著經(jīng)濟(jì)效益,,利于5G 毫米波通信的應(yīng)用領(lǐng)域的拓展和大規(guī)模部署,。在可預(yù)見(jiàn)的將來(lái),毫米波通信的每比特硬件成本和每比特能耗將降低至現(xiàn)有已部署網(wǎng)絡(luò)的1/100以下,,并將遠(yuǎn)低于Sub-6方案,。

  晶準(zhǔn)通信在毫米波感知領(lǐng)域布局的新方案

  隨著汽車(chē)電動(dòng)化、智能化浪潮的推進(jìn),提供安全保障的感知層作為核心模塊,,受到了行業(yè)的關(guān)注,。其中,核心感知元器件之一毫米波雷達(dá)迎來(lái)高速增長(zhǎng)周期,,市場(chǎng)超過(guò)300億元人民幣,。晶準(zhǔn)通信為滿(mǎn)足毫米波雷達(dá)的高速發(fā)展和性能需求,積極提出了全集成的76-81 GHz(兼顧77 GHz和79 GHz應(yīng)用)多通道集成雷達(dá)芯片,、92-96 GHz(高精度感知和測(cè)量應(yīng)用)多通道集成雷達(dá)芯片以及24 GHz(無(wú)人機(jī)前置雷達(dá)和智慧道路應(yīng)用)多通道集成雷達(dá)芯片等芯片方案,,有望在不久的將來(lái)向業(yè)界的伙伴提供MMIC產(chǎn)品。以下簡(jiǎn)單介紹晶準(zhǔn)通信E波段JC1501(晶準(zhǔn)通信定義的產(chǎn)品型號(hào))雷達(dá)芯片方案的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),。

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  晶準(zhǔn)通信即將推出的JC1501(如圖.10所示) E波段芯片方案集成4個(gè)發(fā)射通道和4個(gè)接收通道以及可重構(gòu)模塊,,單通道發(fā)射功率P-1大于20 dBm,接收噪聲系數(shù)約5~6 dB;可重構(gòu)模塊可以為用戶(hù)提供多種硬件配置,,實(shí)現(xiàn)近距雷達(dá),、中遠(yuǎn)距距雷達(dá)的硬件的靈活構(gòu)建和瞬態(tài)切換。JC1501發(fā)射鏈路支持模擬波束賦形,,接收鏈路支持?jǐn)?shù)字波束賦形,,其中多顆JC1501可以構(gòu)建大規(guī)模陣列,實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離輻射功能和并行多功能雷達(dá)功能,。JC1501內(nèi)部集成多個(gè)濾波器,,有效抑制了中頻、接收射頻以及本振信號(hào)的干擾,,以及提高了相關(guān)信號(hào)的諧波抑制度,,使JC1501預(yù)期可以得到較為優(yōu)異的信號(hào)頻譜純凈度,這一特性在雷達(dá)應(yīng)用中非常重要,。JC1501還可支持不同溫度下幅度自補(bǔ)償和幅相數(shù)字補(bǔ)償,。在由多顆JC1501芯片構(gòu)建的大規(guī)模陣列中,可實(shí)現(xiàn)多功能,、多波束,、4D成像等高性能多功能雷達(dá)。為了滿(mǎn)足毫米波感知的各種應(yīng)用場(chǎng)景,,采用了可配置信號(hào)鏈路方案,,該方案可滿(mǎn)足毫米波不同測(cè)距、多種應(yīng)用場(chǎng)景,。

  JC1501在用戶(hù)選擇合適的MCU搭配下(如圖.11所示),,可以開(kāi)發(fā)車(chē)載感知或智能駕駛、場(chǎng)景檢測(cè),、高靈敏感知等應(yīng)用設(shè)備,。業(yè)界已通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證的MCU種類(lèi)都已比較可觀,,這將為JC1501在車(chē)載雷達(dá)領(lǐng)域的發(fā)展奠定有利基礎(chǔ)。JC1501的封裝尺寸約為6*6.4 mm?,預(yù)期成本趨近于現(xiàn)有業(yè)界Si/GeSi 基工藝的類(lèi)似功能的毫米波芯片的成本,,但可以為用戶(hù)的設(shè)備提升數(shù)倍的射頻性能,。由于JC1501的毫米波鏈路獨(dú)立于雷達(dá)算法部件,因此,,無(wú)論雷達(dá)算法需要多大的算力以至于要求算力硬件(MCU)不斷提升性能,,JC1501將可以繼續(xù)不變。JC1501優(yōu)異的性能可以適配毫米波雷達(dá)不斷發(fā)展的技術(shù),,在寬廣的應(yīng)用領(lǐng)域和雷達(dá)更新?lián)Q代中維持量產(chǎn)交付,,這一特點(diǎn)將顯著的利于JC1501成本控制和質(zhì)量管理。JC1501在76-81GHz雷達(dá)領(lǐng)域可實(shí)現(xiàn)一芯走天下,,一芯“樹(shù)長(zhǎng)青”,。

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  毫米波汽車(chē)?yán)走_(dá)在電動(dòng)化和智能駕駛的發(fā)展潮流下,正朝著更高測(cè)量精度,、測(cè)量距離和多目標(biāo)成像等目標(biāo)發(fā)展,。JC1501相對(duì)現(xiàn)有商用毫米波產(chǎn)品有著明顯的射頻性能優(yōu)勢(shì),對(duì)比結(jié)果如表.1所示, JC1501收發(fā)鏈路的信噪比提升超過(guò)12 dB以上,理論上有助于雷達(dá)實(shí)現(xiàn)輻射距離提升一倍,。JC1501可構(gòu)建瞬態(tài)切換功能的雷達(dá),可以支持同時(shí)探測(cè)輻射方向的微距,、近距,、中長(zhǎng)距,是性能較為全面的汽車(chē)感知部件,。目前業(yè)界的汽車(chē)前置中長(zhǎng)距雷達(dá)普遍為150-250 m,,采用JC1501芯片(JC1501多芯片組)的雷達(dá)有望實(shí)現(xiàn)提升一倍以上的探測(cè)距離,這一突破有利于汽車(chē)?yán)走_(dá)在惡劣的天氣下還可以保持優(yōu)異的雷達(dá)探測(cè)效果,,或者有助于汽車(chē)?yán)走_(dá)識(shí)別路面平坦精度或路面上的不利于行車(chē)安全的更小尺寸的異物,。毫米波MMIC性能的提升有助于汽車(chē)行駛安全,進(jìn)一步有助于高級(jí)別智能駕駛進(jìn)入人們的生活,。JC1501有望在未來(lái)十年中展現(xiàn)性能優(yōu)勢(shì),,引領(lǐng)毫米波雷達(dá)領(lǐng)域的技術(shù)新趨勢(shì)。

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敬請(qǐng)關(guān)注電子技術(shù)應(yīng)用2023年2月22日==>>商業(yè)航天研討會(huì)<<

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