2023年數(shù)碼圈中說較多的莫過于兩個(gè)品類，其中一個(gè)就是氮化鎵（GAN）充電頭,。氮化鎵＋充電頭＋65w究竟會(huì)產(chǎn)生怎樣的火花呢？單口充電頭和多口充電頭能解決什么問題呢,？不同品牌手機(jī)究竟怎樣才能選擇好適合自己使用的充電器呢,？

圖片來(lái)源：由供應(yīng)商提供

氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢(shì),，但降低成本的可能性卻更大,。業(yè)界認(rèn)為，在未來(lái)數(shù)年間,，氮化鎵功率器件的成本可望壓低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等價(jià)格,。

充電頭的工作原理：是將220v交流電轉(zhuǎn)化為直流電,，在通過變頻的方式，將220V交流電變?yōu)?v直流電,，從而為手機(jī)充電,。上一代的充電頭材料是SI材料，現(xiàn)在更換為GAN材料,。所以,，氮化鎵充電頭，只是把以前的SI材料的充電頭中的SI材料,，換為GAN,。

因?yàn)楝F(xiàn)在科技更新越來(lái)越快，對(duì)于手機(jī)的依賴越來(lái)越高,，同時(shí)電池的容量也越來(lái)越大,，對(duì)于快速充電的需求也明顯加大，所以對(duì)于尋求新材料應(yīng)對(duì)如今快速充電也是急需面臨的事情,。

氮化鎵功率器優(yōu)勢(shì)：

一,、功率性比硅高900倍

二、易散熱,、體積小,、損耗小、功率大

三,、耐高溫,、開關(guān)快、電阻低,、耐高壓

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓,、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低,、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng),、手機(jī)充電頭,、電動(dòng)機(jī)車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

推薦一款來(lái)自臺(tái)灣美祿的快充電源設(shè)計(jì)方案,，本電源模塊是65W1A2C界面,，其輸出電壓由協(xié)議IC可以控制5V／3A， 9V／3A,， 15V／3A,， 20V／3．25A等電壓輸出，使用QR／DCM反馳式電路架構(gòu)于輸出20V重載時(shí)可達(dá)91．62％效率及功率密度可達(dá)1．5W／cm3,，本系統(tǒng)采用同系列控制單晶片：QR一 次 側(cè) 控 制 IC 驅(qū) 動(dòng) MTC D－mode GaN FET（MGZ31N65－650V）,、二次側(cè)同步整流控制IC及PD3．0協(xié)議IC）可達(dá)到較佳匹配。

本報(bào)告內(nèi)容包括65W1A2C電氣規(guī)格,、線路圖,、BOM、主變壓器設(shè)計(jì)參數(shù),、線路布局,，然后是效能量測(cè)及EMI測(cè)試結(jié)果。

優(yōu)勢(shì)：

返馳式谷底偵測(cè)減少開關(guān)損失

輕載Burst Mode增加效率

較佳效能可達(dá)91％

空載損耗低于50mW

控制IC可支持頻率高達(dá)160 kHz

系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾

控制IC可直接驅(qū)動(dòng)GaN

進(jìn)階保護(hù)功能如下：

（1） VDD過電壓及欠電壓保護(hù)

（2） 導(dǎo)通時(shí)較大峰值電流保護(hù)

（3） 輸出過電壓保護(hù)

（4） 輸出短路保護(hù)

可輸出65W功率

臺(tái)灣美祿在GaN／氮化鎵領(lǐng)域頗有建樹,，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善,。

更多信息可以來(lái)這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<