路上隨處可見的電動汽車、工廠里精密的機(jī)械手,、草原上永不停歇的風(fēng)力發(fā)電機(jī)…電力進(jìn)一步成為我們生活必不可缺的重要能源,，這些加速能量轉(zhuǎn)換的幕后英雄正是我們熟知的第三代半導(dǎo)體——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），二者憑借著優(yōu)異的物理性能,，逐步搶占傳統(tǒng)的硅器件所統(tǒng)治的市場,。預(yù)計(jì)到2026年，二者將會形成每年200億美元的市場份額,。

　　憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,，納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。對于GaNFast?,，相信大家已經(jīng)耳熟能詳,，那么今天我們就來為大家隆重介紹，GeneSiC這位不容小覷的“實(shí)力派”,。

　　市場與技術(shù)

　　GeneSiC碳化硅（SiC）MOSFET（金屬 – 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）和肖特基MPS?二極管器件耐壓從650 V到6.5 kV,，適合從20 W到20 MW的應(yīng)用場合，為多元市場（包括電動車,、工業(yè)自動化,、網(wǎng)通、電網(wǎng),、電動機(jī)和國防）提供高速,、高效的功率轉(zhuǎn)換。大批量,、高質(zhì)量的出貨,，確保應(yīng)用效能、應(yīng)用可靠性,，最大程度保證正常運(yùn)行時間,。

　　溝槽輔助平面柵極：平面和溝槽優(yōu)勢互補(bǔ)，可靠性和可制性兼具

　　與硅（Si）MOSFET相比,，SiC MOSFET的導(dǎo)電性能和開關(guān)性能均更加優(yōu)越,，這要?dú)w功于其‘寬禁帶’特性和高電場強(qiáng)度。然而,，使用傳統(tǒng)平面或溝槽技術(shù)必須在可制造性,、性能和/或可靠性之間做出妥協(xié)。

　　GeneSiC的專利溝槽輔助平面柵極設(shè)計(jì)是一種無需妥協(xié)的新一代解決方案,，不僅制造產(chǎn)量高,、適合快速開關(guān)同時功耗低，而且長期可靠性高。

　　高壓領(lǐng)域開拓者

　　GeneSiC能提供先進(jìn)可靠的高壓,、高效SiC MOSFET,，這對于苛刻環(huán)境、大功率應(yīng)用場合的可靠性極為關(guān)鍵

　　· 獨(dú)有,、先進(jìn)的集成6.5 kV技術(shù)

　　? 雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（DMOSFET）

　　? 單片集成結(jié)勢壘肖特基二極管（JBS）整流器

　　? 更優(yōu)秀的大功率性能

　　· 更高效的雙向性能

　　? 開關(guān)不隨溫度變化

　　? 快速（低開關(guān)損耗）和低溫（低導(dǎo)通損耗）

　　? 長期可靠性高

　　? 高功率時易于并聯(lián)（VTH穩(wěn)定性）

　　應(yīng)用領(lǐng)域

　　SiC MOSFET的最寬電壓范圍：

　　750 V – 6.5 kV

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　　低溫,，快速

　　高效,、高成本效益的功率轉(zhuǎn)換取決于對現(xiàn)代電路拓?fù)浜透咚伲l率）開關(guān)技術(shù)的全面理解。存在兩個主要的元器件因數(shù)：

　　? MOSFET的導(dǎo)通電流怎樣（用漏源通態(tài)電阻衡量）,？

　　? 元器件的開關(guān)效率怎樣（用能量損耗或EXX衡量）,？

　　對于每個問題，我們必須理解在嚴(yán)酷的高溫和高速開關(guān)條件下,，‘硬開關(guān)’和‘軟開關(guān)’技術(shù)等綜合條件下給出的答案,。高溫、高速（頻率）品質(zhì)因數(shù)（FoM）的組合,，是系統(tǒng)性能和可靠性的關(guān)鍵,。

　　GeneSiC的專利溝槽輔助平面柵極技術(shù)可在高溫高頻開關(guān)條件下提供最低的RDS（ON）（漏源通態(tài)電阻），而且能耗最低,，從而使我們產(chǎn)品的性能,、可靠性和質(zhì)量達(dá)到了業(yè)界前所未有的高度。

　　強(qiáng)固型

　　典型電路

　　750 V SiC MOSFET和二極管應(yīng)用在

　　無橋PFC（功率因數(shù)校正）和三相電機(jī)驅(qū)動

　　1200 V SiC MOSFET和二極管應(yīng)用在

　　三相三電平NPC（中點(diǎn)鉗位）逆變器

　　1700vSic MOSFET應(yīng)用在

　　四象限全功率轉(zhuǎn)換器

　　3.3 kV和6.5 kV SiC MOSFET和二極管應(yīng)用在

　　機(jī)車牽引逆變器

　　二電平逆變器（6.5 kV）

　　三電平逆變器（3.3 kV）

　　SiC Schottky MPS? 二極管

　　混合式PIN肖特基二極管（MPS）將PIN二極管和肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在了一起,。PIN二級管能承受過大的浪涌電流,，同時反向漏電流低，而肖特基二極管的正向壓降較小,，且具有快速開關(guān)的特性,。目標(biāo)應(yīng)用場合包括PFC，升壓電路和高壓,，大功率電機(jī)驅(qū)動。

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