文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A
DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.223577
中文引用格式: 申曉敏,錢禮華,,杜劍英,,等. 基于USB2.0總線的NAND Flash檢測(cè)及控制方法[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用,2023,,49(6):44-48.
英文引用格式: Shen Xiaomin,Qian Lihua,,Du Jianying,,et al. NAND Flash detection and control method based on USB2.0 bus[J]. Application of Electronic Technique,2023,,49(6):44-48.
0 引言
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)記錄技術(shù)一直是航空,、航天、兵器領(lǐng)域研究的關(guān)鍵技術(shù),,隨著彈載,、機(jī)載飛行器飛行過(guò)程中和靶場(chǎng)試驗(yàn)過(guò)程中需要記錄的數(shù)據(jù)量不斷增加,對(duì)存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備的存儲(chǔ),、讀取速度和數(shù)據(jù)可靠性提出了更高的要求,。而Flash閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息,。Flash 集其他類非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn),,與EPROM相比較,閃速存儲(chǔ)器具有成本低,、密度大的特點(diǎn),;與其他類型非易失性存儲(chǔ)器相比較,Flash存儲(chǔ)器具有容量大,、讀寫速度快,、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn),它的這些優(yōu)點(diǎn)使其在存儲(chǔ)測(cè)試領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用,。但由于Flash芯片在使用前需對(duì)所有存儲(chǔ)塊進(jìn)行遍歷掃描,,建立壞塊表,若采用傳統(tǒng)的方法對(duì)每個(gè)壞塊進(jìn)行檢測(cè),,并建立壞塊表,,這種方式在大容量高速存儲(chǔ)陣列中使用會(huì)對(duì)存儲(chǔ)速度造成影響,且占用大量FPGA資源,。同時(shí)由于NAND Flash在生產(chǎn)和使用的過(guò)程中都有可能產(chǎn)生壞塊,,使得系統(tǒng)變得不穩(wěn)定,且這些壞塊是隨機(jī)分布的,,故在使用前需對(duì)其進(jìn)行讀寫檢測(cè)并標(biāo)識(shí),,以提高Flash存儲(chǔ)器的使用效率和有效利用率,解決Flash芯片的壞塊管理是提高存儲(chǔ)可靠性和存儲(chǔ)速度的關(guān)鍵,。許多學(xué)者探索了各種處理方法,,如在FPGA內(nèi)建RAM塊來(lái)存儲(chǔ)壞塊、在FPGA程序執(zhí)行時(shí)跳過(guò)對(duì)壞塊的操作,、使用EPPROM來(lái)存儲(chǔ)壞塊信息,,這些方法增加了系統(tǒng)硬件資源和軟件的復(fù)雜程度,且無(wú)法及時(shí)處理在使用過(guò)程中出現(xiàn)的壞塊,,而且對(duì)Flash的操作通過(guò)串口或串行總線實(shí)現(xiàn),,數(shù)據(jù)傳輸速率低,大大降低了系統(tǒng)工作效率,,不適于在高速大容量數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用,。針對(duì)以上問(wèn)題,本文在對(duì)Flash工作機(jī)理分析和USB芯片選型,、接口控制設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上,,提出了基于USB2.0總線的NAND Flash檢測(cè)與控制方法,可以實(shí)現(xiàn)Flash壞塊的檢測(cè)標(biāo)識(shí)和數(shù)據(jù)的快速傳輸,,以及與上位機(jī)的通信,,為高速大容量數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)設(shè)計(jì)提供技術(shù)保障。
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作者信息:
申曉敏,,錢禮華,,杜劍英,黨峰,,劉保煒
(中國(guó)兵器工業(yè)試驗(yàn)測(cè)試研究院,,陜西 華陰 714200)