東芝推出100V N溝道功率MOSFET,,助力實(shí)現(xiàn)電源電路小型化
2023-07-06
來源:東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
中國上海,,2023年6月29日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,,推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”,。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用,。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨,。
TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻,,比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2],。通過同樣的比較,TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴(kuò)展了76%[3],,使其適合線性模式工作,。而且降低導(dǎo)通電阻和擴(kuò)大安全工作區(qū)的線性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數(shù)量,。此外,其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V,,不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障,。
新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。
未來,,東芝將繼續(xù)擴(kuò)展其功率MOSFET產(chǎn)品線,,通過減少損耗來提高電源效率,并幫助降低設(shè)備功耗,。
▲應(yīng)用
-數(shù)據(jù)中心和通信基站等通信設(shè)備的電源
-開關(guān)電源(高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等)
▲特性
-具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=3.1mΩ(最大值)(VGS=10V)
-寬安全工作區(qū)
-高額定結(jié)溫:Tch(最大值)=175℃
▲主要規(guī)格
注:
[1] 在設(shè)備運(yùn)行時(shí),,在不關(guān)閉系統(tǒng)的情況下導(dǎo)通和關(guān)斷系統(tǒng)部件的電路。
[2] 截至2023年6月的東芝調(diào)查,。
[3] 脈沖寬度:tw=10ms,,VDS=48V
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