意法半導體VIPower M0-7 H橋驅(qū)動器:有效降低EMI
2023-11-03
作者:意法半導體意大利Catania公司Sebastiano Grasso, Leonardo Agatino Miccoli, Giusy Gambino, Filippo Scrimizzi
來源:意法半導體
隨著汽車市場不斷發(fā)展,車企對自動化,、安全性和功率優(yōu)化的需求日益增長。在這種背景下,,直流電機在車身應用中發(fā)揮著重要作用。在油車和電動車門鎖,、車窗升降,、油液泵、方向盤調(diào)節(jié),、電動后備箱等各種功能設備都會用到直流電機,。在可靠性、易用性,、監(jiān)測和保護方面,,用專用驅(qū)動芯片控制直流電機具有優(yōu)勢,并且能夠提供先進的驅(qū)動功能,,例如,,用PWM輸入信號驅(qū)動電機,通過改變占空比調(diào)節(jié)電機轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩,,最終實現(xiàn)高級的功能,。但是,PWM信號會引起明顯的電磁干擾,,導致射頻干擾和信號失真等問題,。在極端情況下,EMI可能會對車輛安全產(chǎn)生嚴重影響,,干擾安全氣囊,、防抱死制動、電子穩(wěn)定控制等重要安全系統(tǒng),,給駕駛員和乘客埋下嚴重的安全隱患,。因此,必須精心設計開發(fā)電機及控制電路,,最大限度地降低EMI干擾,確保全車所有電子系統(tǒng)都能可靠運行,。通過仔細篩選電子元器件,,采用正確的接地和屏蔽技術,,選用合適的濾波器,可以有效降低開關噪聲和其它EMI輻射源,。
轉(zhuǎn)向柱電機驅(qū)動器
越來越多的汽車制造商采用有刷直流電機控制車輛方向盤轉(zhuǎn)向柱,,以提升駕駛體驗、舒適度和安全性,。在轉(zhuǎn)向柱內(nèi)有升降電機和位移電機,,升降電機用于升高或降低方向盤,使方向盤適合不同身高的駕駛員,;位移電機用于向前或向后移動方向盤,,為駕駛員提供更舒適的駕駛位置。圖1是轉(zhuǎn)向柱電機驅(qū)動應用的典型框圖,。
▲圖1:雙電機轉(zhuǎn)向柱的框圖
意法半導體的VIPower M0-7 H橋驅(qū)動器系列包含為各種汽車應用專門設計的多種直流電機驅(qū)動器,。在一個單一的封裝內(nèi)集成邏輯功能和功率結(jié)構(gòu),M0-7系列可實現(xiàn)驅(qū)動,、保護,、故障診斷等先進的功能,同時最大限度地縮小封裝尺寸,。該系列產(chǎn)品中的VNHD7008AY和VNHD7012AY兩款電機驅(qū)動器是控制轉(zhuǎn)向柱執(zhí)行器的最佳選擇,,PowerSSO-36封裝使其集成到新設計或現(xiàn)有設計中變得更簡單高效。
VNHD7008AY/VNHD7012AY還需用兩個外部功率MOSFET才能實現(xiàn)完整的H橋功能,。STL76DN4LF7AG和STL64DN4F7AG是采用意法半導體的STripFET F7技術的高性能功率開關管,,符合AEC Q101標準,適合汽車應用,。雙島PowerFLAT 5x6封裝是另一個產(chǎn)品亮點,,可節(jié)省電路板空間,實現(xiàn)緊湊設計,。
VNHD7008AY / VNHD7012AY以20 kHz頻率和85%占空比的脈沖電流驅(qū)動兩個電機順時針或逆時針運轉(zhuǎn),。
測試
按照CISPR 25國際標準規(guī)定,用一個桿狀單極天線測量待測產(chǎn)品在特定頻段內(nèi)的EMI強度,。為減少外部干擾因素,,測量過程是在消聲室內(nèi)完成,如圖2所示,。
▲圖2:EMI測試裝置框圖
該測試裝置由多個元器件組成,,包括測試計劃要求的本機接地的被測設備(EUT)、負載模擬器 (Load sim),、人工網(wǎng)絡 (AN),,以及介電常數(shù)相對較低的支架 (εr≤1.4)。測試裝置使用一個600 毫米 x 600 毫米的天線桿和一個室外電磁輻射測試接收器,,以確保EMI的測量結(jié)果準確可靠,。
根據(jù)CISPR 25標準設置接收器的參數(shù),,如表1所示。
▲表1:測試接收器的輻射參數(shù)(CISPR 25標準)
上面的表格(表1)列出了不同的無線電電視廣播類型,,定義如下:
▲長波
▲中波
▲短波
▲調(diào)頻
▲電視波段
▲數(shù)字音頻廣播
▲地面數(shù)字電視
▲衛(wèi)星數(shù)字無線電廣播
降噪指引
在使用直流電機驅(qū)動器VNHD7008AY或VNHD7012AY設計轉(zhuǎn)向柱時,,測試結(jié)果可以用于制定EMI電磁干擾優(yōu)化指引。
1. 初始狀態(tài)
在原始應用板上,,轉(zhuǎn)向柱沒有接地,,也沒有補償網(wǎng)絡。輻射噪聲是用峰值檢測器和均值檢測器捕獲的(如圖3所示),。
▲圖3:原始板的實測輻射波形
測試結(jié)果顯示,,在包括LW、MW和SW在內(nèi)的AM (調(diào)幅) 頻段內(nèi),,電磁輻射強度很高,。如上圖所示,在0.5 MHz至1.7 MHz頻段內(nèi),,EMI輻射強度最為突出,,并且超過了限制規(guī)范。
2. 接地連接
將轉(zhuǎn)向柱體直接連接系統(tǒng)接地是一條經(jīng)過實踐檢驗的指引,。圖4所示是電路板接地后的輻射平均值和峰值波形,。
▲圖4:原始板接地后的實測輻射波形
分析認為,將轉(zhuǎn)向柱體接地有助于提高EMC (電磁兼容性)性能,。然而,,電磁輻射主要是由PWM (脈沖寬度調(diào)制)信號的諧波以及上升沿和下降沿的陡坡斜率和不對稱斜率引起的,過濾輸入噪聲的難度很大,,因為電池線路中的電流較高,,這意味著需要高飽和電流電感濾波器,可能會影響應用平臺的最終成本,。
3. 延長開關升降沿時間
為了降低電路板在0.5 MHz - 1.7 MHz頻段內(nèi)產(chǎn)生的輻射,,還建議延長開關上升沿和下降沿的升降時間,并使上升沿和下降沿勻稱均等,,具體措施辦法見圖5,。
▲圖5:優(yōu)化電路的框圖
增加一個額外的柵極-漏極電容器將會提高柵極-漏極總電容,并延長低邊功率 MOSFET的開關時間,;增加MOSFET柵極電阻并引入不對稱柵極驅(qū)動電路可以讓開關的上升斜率與下降斜率均等,;優(yōu)化輸入濾波器的電容值有助于進一步減少在這一頻段的電磁輻射。
3.1 額外的柵極-漏極電容器
通過給外部低邊功率MOSFET開關管增加一個額外的柵漏電容,,可以把0.5 MHz ~ 0.8 MHz頻段內(nèi)的電磁輻射平均降低10 dBμV/m,,0.8 MHz至1.7 MHz頻段內(nèi)的輻射降低約20 dBμV/m,其中dBμV/m表示以微伏每米(μV/m)為參考量的輻射強度的對數(shù)比值。
這一改進不受轉(zhuǎn)向柱體是否接地的影響,,但接地可以進一步減少電磁干擾,,提高系統(tǒng)的整體電磁兼容性能。建議增加的柵極漏極電容器的最大容值為470 pF,,以防止系統(tǒng)突然關閉。事實上,,開關上升斜率增加過多可能會觸發(fā)VNHD7008AY / VNHD7012內(nèi)部的VDS (漏源電壓)保護機制(專門設計用于防止電池線短路沖擊電機),。考慮到電容值的公差和溫度范圍變化,,更高的電容值(高達560 pF)也是可以接受的,,但不建議使用。把所有這些因素考慮進去,,470 pF的容值將確保系統(tǒng)有一個安全裕量,。圖6所示是電路改進方法可以實現(xiàn)的最佳結(jié)果,該圖描述了在增加柵極漏極電容器和轉(zhuǎn)向柱接地后的系統(tǒng)輻射強度,。
▲圖6:在轉(zhuǎn)向柱接地和增加柵漏電容后的輻射波形
3.2 非對稱柵極驅(qū)動
該電路優(yōu)化需要提高H橋電機驅(qū)動器輸出到低邊MOSFET柵極的電路的電阻,,下面所示電路(圖7)是一個非對稱柵極驅(qū)動解決方案。
▲圖 7:非對稱柵極驅(qū)動電路解決方案
減少電磁輻射有兩個解決方案:第一個方案是將柵極電阻 (R1) 從470 Ω提高到 1 kΩ,,第二個方案是增加二極管D1并串聯(lián)470Ω電阻,,以實現(xiàn)不對稱柵極驅(qū)動。此外,,增加柵極-漏極電容可以讓開關波形變得更勻稱,,電機端子上的開關上升沿和下降沿更平滑。這兩個解決方案可以有效地減少電磁輻射,,詳見圖8轉(zhuǎn)向柱體接地時的輻射波形,。
▲圖8:在轉(zhuǎn)向柱體接地和不對稱柵極驅(qū)動時的輻射波形
這個解決方案使0.9 MHz至1.7 MHz頻段內(nèi)的輻射強度低于CISPR 25標準的規(guī)范限值。
用電阻電感 (R-L) 負載模擬器在應用板進行一些測試測量,,有助于更清楚地解釋不對稱柵極驅(qū)動器的效果:
·2 Ω resistor with 13 μH inductor
·2 Ω電阻和3 μH電感
當?shù)瓦匨OSFET柵極上安裝470歐姆柵極電阻時,,開關的下降沿?(約170 ns),?比上升沿(約800 ns)快很多,。
通過引入圖6所示的非對稱柵極驅(qū)動器,并使用以下阻值:
·R1 = 1000 Ω
·R2 = 470 Ω
開關的升降波形就會變得更加勻稱,。
下圖(圖9)所示是相關波形,,其中,綠線代表MOSFET的柵源電壓(VGS),,紅線是PWM(脈沖寬度調(diào)制)控制電壓(VCONTROL),,藍線是負載上的電壓(MOSFET 的 VDS 漏源電壓)。
▲圖9:在采用非對稱柵極驅(qū)動后的實測開關波形
開關上升沿時間變短是因為R1和R2兩個電阻并聯(lián)后導致柵極電阻降低(約320 Ω),同時下降沿時間增加到270 ns,。
總之,,開關上升沿和下降沿時間趨于相同,結(jié)合開關時間延長(導致相關諧波減少),,使輻射強度得到整體改善,。
3.3額外的濾波電容
在采用1 μH電感器的輸入濾波器上,建議增加一個額外的電容,,以進一步減少輻射,,特別是在最低頻率范圍內(nèi)的輻射。
圖10所示是所有修改建議的累積效果,,顯示了實測峰值和均值頻譜,。
▲圖10:在采納所有電路修改建議后的實測輻射波形
即使采用上面的改進措施后,仍然存在一段很小的輻射強度高于標準限值的頻率,,為進一步降低這些輻射,,可以另增加一個輸入濾波器,把輻射抑制性能從最小的10 dBμV/m提高到最大30 dBμV/m,,但是這會而影響應用的最終成本,。
結(jié)論
下圖(圖11)是最初情況(藍線)與我們提出的解決方案(黃線)的輻射頻譜的比較圖,簡要描述了輻射改進的總體效果,。
▲圖11:初始情況與我們提出的所有解決方案的實測輻射對比
我們的應用修改建議可以有效降低直流電機控制系統(tǒng)的電磁輻射率,,確保在0.5 MHz - 1.7 MHz頻段內(nèi)電磁輻射符合CISPR-25標準規(guī)范的規(guī)定限值。下表(表2)總結(jié)了在采用不同的解決方案后,,輻射峰值的依次平均降幅,。
▲表2. 輻射峰值的平均降幅
研究結(jié)果證明,我們提出的直流電機控制系統(tǒng)改善建議可以有效地降低輻射率,,確保輻射符合CISPR-25標準規(guī)范的限值規(guī)定,,這對于系統(tǒng)的可靠和安全運行至關重要。
參考文獻
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