在三星、SK 海力士及美光擴(kuò)大減產(chǎn)下,，NAND Flash wafer 漲勢強(qiáng)勁,，隨著終端傳統(tǒng)備貨旺季進(jìn)入尾聲，存儲器模組廠想逢低布局,，但減產(chǎn)后供給減少,，反而推高NAND Flash 需求，加劇價格反彈力道,，存儲器模組廠只能接受原廠漲價,，在原廠還會繼續(xù)漲價的預(yù)期心理下，模組廠持續(xù)搶貨,，推升12 月價格漲幅,。

存儲器大廠三星、SK 海力士和美光先前釋出大規(guī)模減產(chǎn)規(guī)劃,。三星從第二季起開始降低NAND Flash 產(chǎn)量,，9 月再擴(kuò)大幅度至總產(chǎn)能50%，主要集中在128 層堆疊以下產(chǎn)品,，也為同業(yè)奠定漲價信心,。

由于存儲器大廠減產(chǎn)幅度超乎預(yù)期，加上客戶端庫存普遍偏少,，促使NAND Flash 價格持續(xù)上漲,。然而，今年下半年Mobile DRAM 及NAND Flash（eMMC,、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動,，此外中國手機(jī)品牌擴(kuò)大生產(chǎn)目標(biāo),，短時間需求涌入,，推動第四季合約價格上漲。

此波價格上漲最劇烈的莫過于NAND Flash wafer 的價格,，根據(jù)TrendForce 的最新調(diào)研結(jié)果,，從產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況來看，模組廠庫存因客戶追單而快速落底,，導(dǎo)致模組廠轉(zhuǎn)而向原廠要求擴(kuò)大供應(yīng),，然而，原廠持續(xù)維持減產(chǎn)策略,，供不應(yīng)求致使第四季NAND Flash wafer 價格反彈強(qiáng)烈,，從TrendForce 的數(shù)據(jù)來看，NAND Flash wafer 11 月單月漲幅超過25%,。

業(yè)內(nèi)人士透露,，在目前供給有限,，且需求大幅增加的情況下，模組廠只能接受原廠的強(qiáng)勢漲幅,。而業(yè)界因?yàn)轭A(yù)期原廠會持續(xù)漲價,，導(dǎo)致大家一直處于搶貨態(tài)勢。

從目前市況來看,，TrendForce認(rèn)為12 月NAND Flash 在供給吃緊下,，價格將持續(xù)推升。但第一季價格是否持續(xù)大幅拉升,，依舊要看原廠減產(chǎn)策略與需求狀況而定,。

據(jù)悉，業(yè)界傳出,，有原廠因下游拉貨狀況火熱,，已開始考慮增加產(chǎn)能。一旦原廠提早增產(chǎn),，加上需求表現(xiàn)未明顯好轉(zhuǎn),，價格上漲幅度將明顯受到限縮。