1月8日,，工信部印發(fā)《國家汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》,，明確將根據(jù)汽車芯片技術(shù)現(xiàn)狀,、產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需要及未來發(fā)展趨勢，分階段建立健全標(biāo)準(zhǔn)體系,，加大力量優(yōu)先制定基礎(chǔ)、共性及重點(diǎn)產(chǎn)品等急需標(biāo)準(zhǔn),，再根據(jù)技術(shù)成熟度,，逐步推進(jìn)產(chǎn)品應(yīng)用和匹配試驗標(biāo)準(zhǔn)制定,。

到2025年,，制定30項以上汽車芯片重點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)，明確環(huán)境及可靠性,、電磁兼容、功能安全及信息安全等基礎(chǔ)性要求,；到2030年，制定70項以上汽車芯片相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),，進(jìn)一步完善基礎(chǔ)通用,、產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用及匹配試驗的通用性要求,，實現(xiàn)對于前瞻性、融合性汽車芯片技術(shù)與產(chǎn)品研發(fā)的有效支撐,。

《指南》提出,，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容分為基礎(chǔ)通用,、產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用和匹配試驗三類標(biāo)準(zhǔn),。其中,，基礎(chǔ)通用類標(biāo)準(zhǔn)主要涉及汽車芯片的共性要求,；產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用類標(biāo)準(zhǔn)基于汽車芯片產(chǎn)品的基本功能劃分為多個部分，并根據(jù)技術(shù)和產(chǎn)品的成熟度,、發(fā)展趨勢制定相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn),；匹配試驗類標(biāo)準(zhǔn)包含系統(tǒng)和整車兩個層級的汽車芯片匹配試驗驗證要求,。三類標(biāo)準(zhǔn)共同實現(xiàn)不同應(yīng)用場景下汽車關(guān)鍵芯片從器件—模塊—系統(tǒng)—整車的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)全覆蓋,。

《指南》稱，根據(jù)實現(xiàn)功能的不同,，將汽車芯片產(chǎn)品分為控制芯片,、計算芯片、傳感芯片,、通信芯片,、存儲芯片、安全芯片,、功率芯片,、驅(qū)動芯片、電源管理芯片和其他類芯片共10個類別,，再基于具體應(yīng)用場景,、實現(xiàn)方式和主要功能等對各類汽車芯片進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)劃。

其中,，控制芯片主要涉及通用要求,、動力系統(tǒng)、底盤系統(tǒng)等技術(shù)方向,；計算芯片包括智能座艙和智能駕駛芯片,；傳感芯片主要涉及可見光圖像、紅外熱成像,、毫米波雷達(dá),、激光雷達(dá)及其他各類傳感器等技術(shù)方向；通信芯片主要涉及蜂窩,、直連、衛(wèi)星,、專用無線短距傳輸,、藍(lán)牙、無線局域網(wǎng)（WLAN）,、超寬帶（UWB）,、及以太網(wǎng)等車內(nèi)外通信技術(shù)方向；存儲芯片主要涉及靜態(tài)存儲（SRAM）,、動態(tài)存儲（DRAM）,、非易失閃存（包括NORFLASH、NANDFLASH、EEPROM）等技術(shù)方向,；安全芯片是指以獨(dú)立芯片的形式存在的,、為車載端提供信息安全服務(wù)的芯片；功率芯片主要涉及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）,、金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等技術(shù)方向,；驅(qū)動芯片主要涉及通用要求、功率驅(qū)動,、顯示驅(qū)動等技術(shù)方向,；電源管理芯片主要涉及通用要求、電池管理系統(tǒng)（BMS）,、數(shù)字隔離器等技術(shù)方向,；其他類芯片包括系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片（SBC）等。