《電子技術(shù)應(yīng)用》
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淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效

2024-02-28
來(lái)源:Excelpoint
關(guān)鍵詞: 電遷移 失效 Black模型 MTTF 世健

前言

半導(dǎo)體產(chǎn)品老化是一個(gè)自然現(xiàn)象,,在電子應(yīng)用中,,基于環(huán)境,、自然等因素,,半導(dǎo)體在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間連續(xù)工作之后,其功能會(huì)逐漸喪失,,這被稱為功能失效,。半導(dǎo)體功能失效主要包括:腐蝕、載流子注入,、電遷移等,。其中,電遷移引發(fā)的失效機(jī)理最為突出,。技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行了分析,。

1、  背景

從20世紀(jì)初期第一個(gè)電子管誕生以來(lái),,電子產(chǎn)品與人類的聯(lián)系越來(lái)越緊密,,特別是進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),,隨著集成電路的飛速發(fā)展,,人們對(duì)電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子產(chǎn)品的普及,,電子產(chǎn)品失效率越來(lái)越高,,質(zhì)量變差,新產(chǎn)品不耐用,。

由于產(chǎn)品失效率的提高,,許多學(xué)者參與到半導(dǎo)體失效分析的研究中。經(jīng)過(guò)大量研究分析和仿真,,學(xué)者總結(jié)出:由于電流的作用,,導(dǎo)致導(dǎo)線中的金屬原子與電子通過(guò)摩擦產(chǎn)生電遷移位移現(xiàn)象所引發(fā)的失效是電子產(chǎn)品失效模式的主要因素之一。電遷移滿足失效分布函數(shù)曲線,,產(chǎn)品失效模式與產(chǎn)品工藝,、工作溫度關(guān)系密切。

2,、  相關(guān)理論

電遷移現(xiàn)象主要發(fā)生在半導(dǎo)體在通電狀態(tài)下,,由于電場(chǎng)作用,原子在與電子流的帶動(dòng)下,,由于摩擦,,產(chǎn)生移位現(xiàn)象,這一現(xiàn)象被稱為電遷移,。

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圖 1. 電遷移作用力引發(fā)半導(dǎo)體失效原理

如圖所示,,在電場(chǎng)作用下,半導(dǎo)體在導(dǎo)通過(guò)程中,,正電荷會(huì)同時(shí)受到靜電場(chǎng)力和電子高速運(yùn)動(dòng)沖擊所產(chǎn)生的風(fēng)力作用,。

由于電流密度增大,,電子產(chǎn)生的風(fēng)力會(huì)大于靜電場(chǎng)力,從而導(dǎo)致正電荷——也就是金屬原子,,產(chǎn)生移位,,這一現(xiàn)象稱為電遷移效應(yīng)或電遷移現(xiàn)象。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期積累,,半導(dǎo)體的部分連接就會(huì)形成不連貫的晶須(Hillock)或空洞(Void),,最終導(dǎo)致半導(dǎo)體元器件失效。

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圖 2.電遷移作用失效示意圖

James R.Black最早在1967年提出基于電遷移引起平均失效時(shí)間(MTTF)的數(shù)據(jù)擬合經(jīng)驗(yàn)?zāi)P?,為失效分析具有里程碑的意義,。

按照Black模型公式:

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半導(dǎo)體元器件的失效機(jī)理與材料、電子碰撞間隔平均自由時(shí)間,、有效散射橫截面積的因素常量A,,電流密度j,絕對(duì)溫度T等因素相關(guān),。Blench和Korhonen等人進(jìn)一步對(duì)電遷移物理模型進(jìn)行完善,。半導(dǎo)體元器件的失效機(jī)理單元模型壽命可靠度函數(shù)符合歐拉公式。

根據(jù)以上公式,,電流密度越大,,半導(dǎo)體元器件的響應(yīng)速度就快,元件壽命就會(huì)越短,,反之,,元件的壽命就會(huì)增長(zhǎng)。要滿足半導(dǎo)體元器件的響應(yīng)速度,,則半導(dǎo)體就需要較高的參雜度,,另一方面,通過(guò)摻雜不同的材料,、調(diào)整有效散射橫截面積等因素也會(huì)對(duì)芯片的壽命產(chǎn)生影響,。

3、  常規(guī)解決方案

(1) 報(bào)廢機(jī)制

企業(yè)通常利用產(chǎn)品生命周期管理方式,,通過(guò)對(duì)產(chǎn)品生命周期進(jìn)行分析,,為產(chǎn)品設(shè)計(jì)一個(gè)報(bào)廢界定時(shí)間。在汽車,、水電氣表等行業(yè)采用這種方式比較常見,。

(2) 系統(tǒng)冗余

在保障性系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,企業(yè)一般在報(bào)廢機(jī)制的基礎(chǔ)之上,,還會(huì)通過(guò)采用雙備份冗余設(shè)計(jì),、或者K/N表決冗余,并加上系統(tǒng)修復(fù)的方式進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì),。

4,、  技術(shù)源頭控制

(1) 工藝控制理論

根據(jù)Black模型理論,,當(dāng)半導(dǎo)體采用寬線徑工藝,橫截面積較大時(shí),,其芯片壽命會(huì)變長(zhǎng),,產(chǎn)品平均失效時(shí)間MTTF會(huì)相對(duì)拉得更長(zhǎng)。這也從側(cè)面解釋了為什么傳統(tǒng)工藝設(shè)計(jì)出來(lái)的產(chǎn)品可靠性更高,。

(2) 差異化技術(shù)控制方法

在芯片原理設(shè)計(jì)中,,采用不同的拓?fù)浼軜?gòu)模型,通過(guò)差異化技術(shù)實(shí)現(xiàn)不同的控制方法也很常見,,比如采用CMOS基本單元替代TTL基本單元,、采用恒流源替代恒壓源來(lái)完成不同的產(chǎn)品拓?fù)淠P汀T贏DC,、DAC,、運(yùn)算放大器、比較器等模型設(shè)計(jì)中十分常見,。

在一些設(shè)計(jì)場(chǎng)合,,通過(guò)調(diào)整芯片輸入閾值,降低芯片靈敏度,,或通過(guò)控制芯片切換頻率,,降低電流密度,,達(dá)到提高產(chǎn)品可靠性的目的,。

在核心處理芯片模型設(shè)計(jì)中,根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景,,為了追求產(chǎn)品處理速度和可靠性,,通常會(huì)采用不同的工藝模型進(jìn)行芯片架構(gòu)設(shè)計(jì),比如從CMOS衍生出來(lái)的SRAM,、DRAM,、ROM、EEPROM,、Flash等工藝用于不同的處理器產(chǎn)品架構(gòu)中,,會(huì)達(dá)到出不同的可靠性效果。

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圖 3.不同工藝模型芯片單元架構(gòu)

ROM工藝的處理器是一種非常古老的工藝產(chǎn)品,,只能燒錄一次,,雖然在某些應(yīng)用場(chǎng)景還依然被大量使用。但在目前主流的產(chǎn)品方案應(yīng)用中,,基于SRAM和Flash工藝的MCU,、MPU或FPGA處理器占據(jù)了絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景。

5,、  Microchip高可靠性Flash FPGA介紹

SRAM工藝的處理器是通過(guò)CMOS內(nèi)部管道切換的方式工作,,其產(chǎn)品處理速度較高,,被眾多用戶接受。但是,,CMOS工藝有一個(gè)致命缺陷,,由于工藝原因,伴隨CMOS工藝制成芯片產(chǎn)生米勒效應(yīng)極其容易受到外界干擾,,產(chǎn)生翻轉(zhuǎn),。另外,CMOS在翻轉(zhuǎn)過(guò)程中,,內(nèi)阻變小,,電流密度過(guò)大,芯片長(zhǎng)期在高電流密度下工作,,會(huì)加速產(chǎn)品老化時(shí)間,。

除了基于傳統(tǒng)CMOS的SRAM處理器之外,Microchip推出了一種基于疊柵MOS工藝的Flash架構(gòu)FPGA處理器,。

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圖4.Flash架構(gòu)FPGA與SRAM架構(gòu)FPGA的差別

Microchip的FPGA 產(chǎn)品范圍覆蓋從低端到中端應(yīng)用,,其產(chǎn)品特點(diǎn)以抗單粒子翻轉(zhuǎn)、安全,、低功耗和上電即工作著稱,,廣泛應(yīng)用于通信、國(guó)防和航空,、工業(yè)嵌入式產(chǎn)品,。Microchip 目前主推三大系列 FPGA:

·支持5K-150K LE(Logic Elements)具有大量資源的低密度器件的IGLOO?2 系列;

·支持5K-150K LE具有大量資源和 32 位硬核處理器內(nèi)核(ARM Cortex-M3)的SmartFusion?2 SoC系列,;

·以及采用 28 納米工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn), 支持25K - 480K LE的高性能PolarFire? FPGA 和 PolarFire? SoC系列(Hard 5-Core RISC-V 600MHZ CPU),。

這三大系列FPGA除了具有抗干擾、低功耗,、上電啟動(dòng)的特征外,,還具有強(qiáng)大的DSP/數(shù)學(xué)模塊(18x18乘法器),可用于當(dāng)前熱門的AI市場(chǎng),。

Microchip的這款Flash架構(gòu)的FPGA最大的一個(gè)特點(diǎn)是電流密度小,、抗干擾能力強(qiáng)、動(dòng)態(tài)切換不會(huì)出現(xiàn)電流波動(dòng),,基于其低功耗的特點(diǎn),,可大大延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命。非常適合應(yīng)用在高可靠性,、低失效率應(yīng)用場(chǎng)合,,能高效改善因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效問(wèn)題。其授權(quán)代理商Excelpoint世健可提供技術(shù)支持和指導(dǎo)。

關(guān)于世健——亞太區(qū)領(lǐng)先的元器件授權(quán)代理商

世健是完整解決方案的供應(yīng)商,,為亞洲電子廠商包括原設(shè)備生產(chǎn)商(OEM),、原設(shè)計(jì)生產(chǎn)商(ODM)和電子制造服務(wù)提供商(EMS)提供優(yōu)質(zhì)的元器件、工程設(shè)計(jì)及供應(yīng)鏈管理服務(wù),。多次被權(quán)威雜志和行業(yè)機(jī)構(gòu)列入全球領(lǐng)先分銷商榜單,。

世健與供應(yīng)商及電子廠商緊密協(xié)作,為新的科技與趨勢(shì)作出定位,,并幫助客戶把這些最先進(jìn)的科技揉合于他們的產(chǎn)品當(dāng)中,。世健分別在新加坡、中國(guó)及越南設(shè)有研發(fā)中心,,專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)不斷創(chuàng)造新的解決方案,,幫助客戶提高成本效益并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。世健研發(fā)的完整解決方案及參考設(shè)計(jì)可應(yīng)用于工業(yè),、無(wú)線通信及消費(fèi)電子等領(lǐng)域,。

世健擁有超過(guò)35年歷史、逾700名員工,,業(yè)務(wù)擴(kuò)展至亞太區(qū)的49個(gè)城市和地區(qū),,遍及新加坡、馬來(lái)西亞,、泰國(guó),、越南、中國(guó),、印度,、印度尼西亞、菲律賓及澳大利亞等十多個(gè)國(guó)家,。1993年,,世健在香港設(shè)立區(qū)域總部——世健系統(tǒng)(香港)有限公司,,正式開始發(fā)展中國(guó)業(yè)務(wù),。目前,世健在中國(guó)擁有十多家分公司和辦事處,,遍及中國(guó)主要大中型城市,。憑借專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)、頂尖的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用支持以及豐富的市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn),,世健在中國(guó)業(yè)內(nèi)享有領(lǐng)先地位,。

 

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