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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內(nèi)先進水平

可顯著提高功率密度,、能效和熱性能
2024-03-25
來源:VISHAY
關(guān)鍵詞: Vishay SiZF4800LDT MOSFET

  節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50 %,,有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計

  美國 賓夕法尼亞 MALVERN,、中國 上海 — 2024年3月14日 —日前,,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT,,將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中,。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換,在提高功率密度和能效的同時,,增強熱性能,,減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。

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  日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1212封裝分立器件,,節(jié)省50%基板空間,。器件為設(shè)計人員提供節(jié)省空間的解決方案,用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器,、DC/DC轉(zhuǎn)換器半橋和全橋功率級,,適用領(lǐng)域包括無線電基站、工業(yè)電機驅(qū)動,、焊接設(shè)備和電動工具,。這些應(yīng)用中,SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優(yōu)化組合,,同時4.5 V下邏輯電平導通簡化電路驅(qū)動。

  為提高功率密度,,該MOSFET 在4.5 V條件下導通電阻典型值降至18.5 mW,,達到業(yè)內(nèi)先進水平。比相同封裝尺寸最接近的競品器件低16 %,。SiZF4800LDT低導通電阻與柵極電荷乘積,,即MOSFET功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)為 131mW*nC,導通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開關(guān)應(yīng)用的效率,。

  器件采用倒裝芯片技術(shù)增強散熱能力,,熱阻比競品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT導通電阻和熱阻低,,連續(xù)漏電流達36 A,,比接近的競品器件高38 %。 MOSFET獨特的引腳配置有助于簡化PCB布局,,支持縮短開關(guān)回路,,從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經(jīng)過100% Rg和UIS測試,,符合RoHS標準,,無鹵素。

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  SiZF4800LDT現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),,供貨周期為26周,。




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