3 月 28 日消息,，據(jù)臺(tái)媒 DIGITIMES 報(bào)道,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì) CFMS 2024 上表示采用第三代 Xtacking 技術(shù)的 X3-6070 QLC 閃存已實(shí)現(xiàn) 4000 次 P / E 的擦寫(xiě)壽命。

注：不同于質(zhì)保壽命,，消費(fèi)級(jí)原廠 TLC 固態(tài)硬盤(pán)在測(cè)試中普遍至少擁有 3000 次 P / E 級(jí)別的擦寫(xiě)壽命,。

長(zhǎng)江存儲(chǔ) CTO 霍宗亮表示，目前 NAND 閃存行業(yè)已度過(guò)了最艱難的 2023 年,，今年將進(jìn)入上升期,，預(yù)計(jì) 2023~2027 年的閃存需求總量復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá) 21%，單臺(tái)設(shè)備平均容量的復(fù)合增長(zhǎng)率為 20%,。

在這個(gè)上升周期中,，存儲(chǔ)市場(chǎng)面臨的三大新挑戰(zhàn)是每 Gb 成本快速降低、讀寫(xiě)性能加速提升和滿足多樣化需求,，客戶期待的是以同樣的價(jià)格獲得更高密度的存儲(chǔ),。

而在密度提升方面，3D NAND 的堆疊層數(shù)提升成為業(yè)界新問(wèn)題,，因此有必要推動(dòng) QLC NAND 的應(yīng)用,。根據(jù)市場(chǎng)預(yù)測(cè)，到 2027 年 QLC 占比有望超過(guò) 40%,，大幅高于去年的 13%,。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，其采用第三代 Xtacking 技術(shù)的 X3-6070 QLC 閃存相較上代產(chǎn)品 IO 速度提升 50%,、存儲(chǔ)密度提高 70%,、擦寫(xiě)壽命達(dá) 4000 次 P / E。

這意味著長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 QLC 技術(shù)已開(kāi)發(fā)成熟,，可向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ),、移動(dòng)端等領(lǐng)域擴(kuò)展。憶恒創(chuàng)源就在此次峰會(huì)上展示了基于長(zhǎng)存 QLC 閃存的 PBlaze7 7340 系列數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)硬盤(pán),。

在技術(shù)細(xì)節(jié)方面,，Xtacking 結(jié)構(gòu)將 CMOS 電路同閃存陣列分離的設(shè)計(jì)對(duì)操作算法帶來(lái)了更大靈活性，從而提升了 QLC 的可靠性。此外第三代 Xtacking 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更靈活的電壓調(diào)制,，讀取窗口裕度得到了提升,。

此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在現(xiàn)場(chǎng)展示了 PC41Q 消費(fèi)級(jí) QLC 固態(tài)硬盤(pán),。PC41Q 順序讀寫(xiě)帶寬達(dá) 5500MB/s,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣稱(chēng)該款固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)保持能力和可靠性媲美 TLC 固態(tài)硬盤(pán)，實(shí)現(xiàn)了 30℃ 下 1 年的數(shù)據(jù)保持和 200 萬(wàn)小時(shí)的 MTBF 時(shí)間,。