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意法半導(dǎo)體車規(guī)MDmesh DM9超結(jié)MOSFET提升硅片能效

2024-04-17
來源:意法半導(dǎo)體

  2024 年 3 月 28 日,中國– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的車規(guī)600V/650V超結(jié) MOSFET為車載充電機(OBC)和采用軟硬件開關(guān)拓撲的DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用帶來卓越的能效和魯棒性,。

屏幕截圖 2024-04-17 162931.png

  這些硅基晶體管具有出色的單位芯片面積導(dǎo)通電阻RDS(on)和非常低的柵極電荷,,兼?zhèn)浜艿偷哪芰繐p耗和優(yōu)異的開關(guān)性能,,同時,,品質(zhì)因數(shù)成為新的市場標桿。與上一代產(chǎn)品相比,,意法半導(dǎo)體最新的MDmesh DM9 技術(shù)確保柵源閾值電壓(VGS(th)) 分布更窄,,使開關(guān)波形更加銳利,導(dǎo)通和關(guān)斷損耗更低,。

  此外,,新產(chǎn)品還提高了體二極管反向恢復(fù)性能,所采用新的優(yōu)化工藝提高了 MOSFET 的整體魯棒性,。體二極管的低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和快速恢復(fù)時間 (trr) 使MDmesh DM9 AG系列非常適對能效要求很高的相移零壓開關(guān)拓撲,。

  該系列提供各種通孔和表面貼裝封裝,幫助設(shè)計人員實現(xiàn)緊湊的外形尺寸,、高功率密度和系統(tǒng)可靠性,。TO-247 LL(長引線)是一種深受市場歡迎的通孔封裝,可以簡化器件在設(shè)計中的集成,,并沿用成熟的封裝工藝,。在表面貼裝封裝中,H2PAK-2(2 引線)和 H2PAK-7(7 引線)適用于有散熱基板的底部散熱設(shè)計或有熱通孔或其他增強散熱功能的 PCB板,。兩款新產(chǎn)品還提供 HU3PAK和ACEPACK? SMIT頂部散熱表面貼裝封裝,。

  STPOWER MDmesh DM9 AG系列的第一款產(chǎn)品STH60N099DM9-2AG,是一款采用H2PAK-2封裝符合 AEC-Q101標準的 27A N溝道 600V 器件,,典型導(dǎo)通電阻 RDS(on) 為 76mΩ,。 意法半導(dǎo)體將擴大該產(chǎn)品系列,提供型號齊全的產(chǎn)品,,涵蓋更寬的額定電流范圍和 23mΩ 到 150mΩ 的 導(dǎo)通電阻RDS(on),。

  STH60N099DM9-2AG已上架意法半導(dǎo)體電子商城ST eStore。




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