4 月 23 日消息,，美國芯片制造商英特爾與美國國防部進一步加深合作,，共同研發(fā)全球最先進的芯片制造工藝，這項合作是雙方在兩年半前簽署的“快速可靠微電子原型”（RAMP-C）項目的第一階段基礎上拓展而來的,。

此次合作將使美國政府首次能夠獲得用于制造尖端芯片的領(lǐng)先技術(shù),。雙方將合作生產(chǎn)采用英特爾未來 18A 制造工藝的芯片樣品，18A 制造工藝通常用于高性能計算和圖形處理領(lǐng)域,，需要芯片具有強大的運算能力。

制造用于美國國家安全應用的 18A 芯片是英特爾與其 DIB（即國防工業(yè)基地）客戶合作的一部分,，其中包括像諾格公司和波音這樣的國防承包商,，以及微軟、英偉達和 IBM 等商用領(lǐng)域巨頭,。

18A 是英特爾下一代制程工藝,，根據(jù)該公司此前公布的信息，其前一代 20A 制程預計將在 2024 年投入生產(chǎn),。英特爾去年年底公布了 18A 制程的關(guān)鍵細節(jié),，公司 CEO 帕特?基辛格 (Patrick Gelsinger) 表示 18A 制程的研發(fā)進度領(lǐng)先于預期。

英特爾在聲明中表示,，RAMP-C 項目的第三階段突顯了其 18A 制程技術(shù),、知識產(chǎn)權(quán)和生態(tài)系統(tǒng)解決方案已經(jīng)為量產(chǎn)做好了準備?；粮襁€特別強調(diào)了英特爾 18A 芯片的優(yōu)異功耗管理能力,，認為其優(yōu)于臺積電的 2 納米制程工藝。

從命名上看,，英特爾 18A 制程相當于 1.8 納米制程,。在芯片制造領(lǐng)域，制程越小越好,，因為更小的電路可以改善電導率和性能?，F(xiàn)代芯片可以在極小的空間內(nèi)塞下數(shù)十億個晶體管,，從而處理更多的數(shù)據(jù)。

美國國防部微電子工程負責人謝諾伊博士 (Dr. Dev Shenoy) 表示,，五角大樓預計將在 2025 年完成使用英特爾 18A 制程芯片的原型生產(chǎn),。RAMP-C 項目的第三階段將專注于芯片設計的定型，這是設計流程的最后階段,，工程師將把設計概念轉(zhuǎn)化為指導芯片制造機器的掩模版,。

值得一提的是，英特爾本月初剛剛啟動了世界上第一臺最先進的芯片制造設備,，名為高數(shù)值孔徑極紫外 (high NA EUV) 光刻機,。英特爾表示，這種設備可以簡化設計流程,，從而縮短芯片的制造時間,。