《電子技術應用》
您所在的位置：首頁 > 微波|射頻 > 設計應用 > 一種電子標簽的加速壽命試驗可靠性預測方法研究
一種電子標簽的加速壽命試驗可靠性預測方法研究
電子技術應用
付利莉1,，2,，董雪鶴1,，2,，牛長勝1，2,，梁昭慶1,，2,，白雪松1,，2,，崔嵐1，2
1.北京智芯微電子科技有限公司,； 2.國家電網(wǎng)有限公司
摘要： 隨著微電子元器件設計能力和工藝技術的不斷發(fā)展,，器件的可靠性和壽命不斷增加。射頻識別電子標簽具有需求量大,、應用范圍廣,、地域（使用溫度）跨度大等特點，這就對產(chǎn)品本身的可靠性提出了較高的要求,，研究器件在高低溫下的退化特性具有重要的現(xiàn)實意義?；贏rrhenius理論提出了一種快速計算電子標簽激活能的方法,，對電子標簽進行短時間的壽命加速試驗，通過標簽電場強度性能的退化數(shù)據(jù)預測壽命情況,，快速求解電子標簽的激活能,，進而計算出不同溫度條件下的加速因子，為電子標簽在不同壽命評價標準下的加速試驗時間提供理論依據(jù),。
中圖分類號：TP212 文獻標志碼：A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.234633
中文引用格式： 付利莉,，董雪鶴,，牛長勝，等. 一種電子標簽的加速壽命試驗可靠性預測方法研究[J]. 電子技術應用,，2024,，50(4)：92-96.
英文引用格式： Fu Lili，Dong Xuehe,，Niu Changsheng,，et al. The research on accelerated life test reliability prediction method for electronic tags[J]. Application of Electronic Technique，2024,，50(4)：92-96.
The research on accelerated life test reliability prediction method for electronic tags
Fu Lili1,，2，Dong Xuehe1,，2,，Niu Changsheng1，2,，Liang Zhaoqing1,，2，Bai Xuesong1,，2,，Cui Lan1，2
1.Beijing Chip Microelectronics Technology Co.,， Ltd.,； 2.State Grid Corporation of China
Abstract： With the continuous development of microelectronic components design capability and process technology, the reliability and life of the device is increasing. Radio Frequency Identification (RFID) tags are characterized by high demand, wide range of applications, and wide geographical (use temperature) span, which puts high demands on the reliability of the product, and it is of great practical significance to study the degradation characteristics at high and low temperatures. Based on Arrhenius theory, this paper proposes a method to quickly calculate the activation energy of electronic tags, to carry out a short time life acceleration test on electronic tags, to predict the life situation through the degradation data of the tag's electric field strength performance, to quickly solve the value of activation energy of the electronic tags, and then to calculate the acceleration factor under different temperature conditions, which provides a theoretical basis for the accelerated test time for electronic tags under different life evaluation standards.
Key words : lifetime acceleration；activation energy,；degradation of performance,；quick calculation

引言

近年來，微電子器件及產(chǎn)品的應用領域不斷擴大,、性能要求不斷提升,，其可靠性及壽命特性越來越成為制約微電子產(chǎn)品性能的關鍵因素。自20世紀80年代開始,，電子器件可靠性水平快速提升,，我國半導體分立器件以及CMOS集成電路等板卡級產(chǎn)品的平均失效率在2000年時已達到10-8器件小時和10-7器件小時[1]。設計與工藝水平的不斷發(fā)展使得失效率不斷降低,，同時也極大地增加了可靠性壽命的試驗時間,。通常情況，失效率低于10-6器件小時的電子產(chǎn)品,，壽命試驗在適當加速狀態(tài)下的試驗時間都需要數(shù)千小時,，可見如何縮短壽命試驗時間，降低時間、人力成本,，是電子產(chǎn)品可靠性評價過程中必須解決的問題,。

目前，各國都制定了針對電子元器件及產(chǎn)品的可靠性加速壽命試驗的通用標準,，Arrhenius理論模型是公認的,、使用最為廣泛的失效分析模型。使用該模型對某一試驗條件的加速因子進行計算時,，激活能Ea的數(shù)值是非常關鍵的參數(shù),，它表征著器件或產(chǎn)品受溫度條件影響下的失效速率和敏感程度，對壽命可靠性的預測和試驗加速因子的計算至關重要,。微電子工藝界公認的參考值為0.5 eV~0.7 eV[2],，但對于不同類別、不同失效機理,、不同功能甚至不同工藝水平生產(chǎn)線的產(chǎn)品,，直接使用統(tǒng)一的激活能參考數(shù)值并不準確。關于激活能的計算,，章曉文等[3]采用了系統(tǒng)中各組成元器件的激活能加權計算的方法,，以獲得整個系統(tǒng)的激活能。這種方法需清晰地了解系統(tǒng)中各組成器件的激活能,，且各器件的失效分布必須是相互獨立的,；雷庭等[4]基于試驗數(shù)據(jù)的威布爾分布擬合法預測可靠性參數(shù)，進一步確定了激活能的取值,，但此方法需要較長時間的試驗,，且需要獲得一定數(shù)量的失效樣品作為數(shù)據(jù)支撐。電子標簽產(chǎn)品是集電子芯片,、天線電路,、邦定連接金屬線等于一身的系統(tǒng)產(chǎn)品，各部分激活能均是未知的參數(shù),，更不能直接使用參考數(shù)值,，且短時間試驗難以獲得失效樣品。因此,，本文提出一種快速計算電子標簽的激活能的適用方法,，以用于其壽命試驗與研究。


本文詳細內容請下載：

http://forexkbc.com/resource/share/2000005955


作者信息：

付利莉1,，2,，董雪鶴1，2,，牛長勝1，2,，梁昭慶1,，2,，白雪松1，2,，崔嵐1,，2

（1.北京智芯微電子科技有限公司，北京 100090,； 2.國家電網(wǎng)有限公司,，北京 100031）


Magazine.Subscription.jpg

此內容為AET網(wǎng)站原創(chuàng)，未經(jīng)授權禁止轉載,。