這幾年,，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺(tái)積電,，重奪領(lǐng)先地位,，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級(jí)工藝,，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位,。

目前，Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo),，Intel 7工藝,、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

其中,，Intel 3作為升級(jí)版,，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids,，將在今年陸續(xù)發(fā)布,，其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì)，最多288個(gè),。

Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節(jié)點(diǎn)正在順利推進(jìn)中,，分別相當(dāng)于2nm、1.8nm,，將繼續(xù)采用EUV技術(shù),，并應(yīng)用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。

憑借它們兩個(gè),，Intel希望能在2025年重奪制程領(lǐng)先性,。

之后，Intel將繼續(xù)采用創(chuàng)新技術(shù),，推進(jìn)未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)和制造,，以鞏固領(lǐng)先性,。

其中一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)就是High NA EUV技術(shù)，而數(shù)值孔徑（NA）正是衡量收集和集中光線能力的指標(biāo),。

通過(guò)升級(jí)將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統(tǒng),，High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進(jìn)一步微縮,。

作為Intel 18A之后的下一個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn),，Intel 14A 1.4nm級(jí)就將采用High NA EUV光刻技術(shù)。

為了制造出特征尺寸更小的晶體管,，在集成High NA EUV光刻技術(shù)的同時(shí),，Intel也在同步開(kāi)發(fā)新的晶體管結(jié)構(gòu)，并改進(jìn)工藝步驟,，如通過(guò)PowerVia背面供電技術(shù)減少步驟,、簡(jiǎn)化流程。

此外,，Intel還公布了Intel 3,、Intel 18A、Intel 14A的數(shù)個(gè)演化版本,，以幫助客戶開(kāi)發(fā)和交付符合其特定需求的產(chǎn)品,。