5 月 27 日消息,,Rapidus 美國子公司 Rapidus Design Solutions 負(fù)責(zé)人亨利?理查德(Henri Richard)近日表示,Rapidus 的首代工藝將不采用 High NA EUV 光刻機(jī),。
據(jù)外媒 Anandtech 報道,,理查德稱 Rapidus 目前對在其 2nm 節(jié)點(diǎn)使用的 0.33NA (Low NA) EUV 光刻解決方案“非常滿意”。
目前四家先進(jìn)制程代工企業(yè)(臺積電,、三星電子,、英特爾、Rapidus)中,,僅有英特爾明確了將 High NA EUV 光刻機(jī)用于量產(chǎn)的計(jì)劃,。
臺積電聯(lián)席副 COO 張曉強(qiáng)近日就表示,他“不喜歡”ASML High NA EUV 光刻機(jī)的價格,;而三星電子的 Kang Young Seog 研究員此前也表達(dá)了類似的看法,。
除計(jì)劃于 2025 年試產(chǎn)、2027 年量產(chǎn)的 2nm 工藝外,,Rapidus 內(nèi)部已對下一階段 1.4nm 進(jìn)行了規(guī)劃,。
理查德也表示,這家新興日本代工廠“可能會考慮在 1.4nm 時采用不同的解決方案(指 High NA EUV 光刻)”,。
理查德稱其從潛在客戶和 EDA 企業(yè)處了解到,,整個先進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)都在尋求除臺積電外的另一家獨(dú)立代工企業(yè)作為替代供應(yīng)方。
不同于也擁有自身芯片業(yè)務(wù)的三星電子和英特爾,,Rapidus 是一家純粹的代工企業(yè),。這一獨(dú)特身份將使其更受合作伙伴的歡迎。
理查德預(yù)估 2nm 及以下的最尖端半導(dǎo)體市場將達(dá)到 1500 億美元(約 1.09 萬億元人民幣),,如此規(guī)模下 Rapidus 的“成功”不需要太多的市場份額,。