第四代器件,，額定功率和功率密度高于D²PAK 封裝產(chǎn)品,，降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，從而提升能效

　　美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN,、中國(guó) 上海 — 2024年5月7日 — 日前,，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，推出首款采用新型PowerPAK^? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，為通信,、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效的高功率密度解決方案,。與前代器件相比，Vishay Siliconix n溝道SiHR080N60E導(dǎo)通電阻降低27 %,，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,，即600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）下降60 %,，額定電流高于D²PAK封裝器件，同時(shí)減小占位面積,。

　　Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過(guò)程,，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進(jìn)高科技設(shè)備。隨著SiHR080N60E的推出,，以及其他第四代600 V E系列器件的發(fā)布,，Vishay可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)初期滿足提高能效和功率密度兩方面的要求—包括功率因數(shù)校正（PFC）和后面的DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。典型應(yīng)用包括服務(wù)器,、邊緣計(jì)算,、超級(jí)計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ),、UPS,、高強(qiáng)度放電（HID）燈和熒光鎮(zhèn)流器、通信SMPS,、太陽(yáng)能逆變器,、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱,、電機(jī)驅(qū)動(dòng),，以及電池充電器。

　　SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封裝,，外形尺寸為10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm,，占位面積比D²PAK封裝減小50.8 %，高度降低66 %,。由于封裝采用頂側(cè)冷卻,，因此具有出色的熱性能，結(jié)殼（漏極）熱阻僅為0.25 °C/W,。相同導(dǎo)通電阻下,，額定電流比D2PAK封裝高46 %，從而顯著提高功率密度,。此外,，封裝的鷗翼引線結(jié)構(gòu)具有優(yōu)異的溫度循環(huán)性能。

　　SiHR080N60E采用Vishay先進(jìn)的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù),，10 V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.074 Ω,，超低柵極電荷下降到42 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC,，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平,，這些性能參數(shù)意味著降低了傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能并提高2 kW以上電源系統(tǒng)的效率。日前發(fā)布的MOSFET有效輸出電容C_o（er） 和C_o（tr）典型值分別僅為79 pF和499 pF,，有助于改善硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)性能,，如PFC、半橋和雙開(kāi)關(guān)順向設(shè)計(jì),。封裝還提供開(kāi)爾文（Kelvin）連接,，以提高開(kāi)關(guān)效率。

　　器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),，無(wú)鹵素,，耐受雪崩模式下過(guò)壓瞬變，并保證極限值100 %通過(guò)UIS測(cè)試,。

　　SiHR080N60E現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，如想了解供貨周期的相關(guān)信息，請(qǐng)與當(dāng)?shù)劁N(xiāo)售部聯(lián)系,。

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