英特爾在《自然》雜志上發(fā)表的研究展示了單電子控制下高保真度和均勻性的量子比特,。

英特爾在《自然》雜志發(fā)表題為《檢測300毫米自旋量子比特晶圓上的單電子器件》的研究論文,，展示了領先的自旋量子比特均勻性、保真度和測量數據,。這項研究為硅基量子處理器的量產和持續(xù)擴展（構建容錯量子計算機的必要條件）奠定了基礎,。

英特爾打造的300毫米自旋量子比特晶圓

英特爾的量子硬件研究人員開發(fā)了一種300毫米低溫檢測工藝,，使用互補金屬氧化物半導體（CMOS）制造技術，在整個晶圓上收集有關自旋量子比特器件性能的大量數據,。

量子比特器件良率的提升,，加上高通量的測試工藝，讓英特爾的研究人員能夠根據更多的數據分析均勻性,，這是擴展量子計算機的重要一步,。研究人員還發(fā)現，這些晶圓上的單電子器件在作為自旋量子比特運行時表現良好,，門保真度達到了99.9%,。就完全基于CMOS工藝制造的量子比特而言,，這一保真度設立了業(yè)界領先水平。

自旋量子比特的尺寸較小,，直徑約為100納米,，因此密度高于其它類型的量子比特（如超導量子比特），從而能夠在相同尺寸的芯片上構建更復雜的量子處理器,。英特爾使用了極紫外光刻（EUV）技術實現小尺寸自旋量子比特芯片的大批量制造,。

用數百萬個均勻的量子比特實現容錯量子計算機，需要高度可靠的制造工藝,。憑借在晶體管制造領域豐富的專業(yè)積累,，英特爾走在行業(yè)前沿，利用先進的300毫米CMOS制造技術打造硅自旋量子比特,。300毫米CMOS制造技術通常能夠在單個芯片上集成數十億個晶體管,。

在這些研究成果的基礎上，英特爾希望繼續(xù)取得進展,，使用這些技術添加更多互連層,，以制造具有更高量子比特數和更多連接的2D陣列，并在工業(yè)制造流程中實現高保真的雙量子比特門（2-qubit gates）,。在量子計算領域,，英特爾未來的工作重點是通過下一代量子芯片繼續(xù)擴展量子器件和實現性能提升。