5月30日消息,，光刻機大廠ASML在imec（比利時微電子研究中心）的ITF World 2024會議上宣布，其首款High-NA EUV光刻機已創(chuàng)下新的晶圓制造速度記錄,，超過了兩個月前創(chuàng)下的記錄,。

根據(jù)ASML前總裁兼首席技術(shù)官,、現(xiàn)任公司顧問的Martin van den Brink的說法，新的High NA EUV光刻機晶圓生產(chǎn)速度達到了每小時400至500片晶圓,，是當前標準EUV每小時200片晶圓的2-2.5倍的速度,，即提升了100%至150%，將進一步提升產(chǎn)能,，并降低成本,。

現(xiàn)階段經(jīng)過進一步調(diào)整，ASML已經(jīng)可用其試驗性質(zhì)High-NA EUV光刻機打印生產(chǎn)8nm線寬,，這是的新紀錄,，這打破了該公司在4月初當時創(chuàng)下的記錄。當時ASML宣布,，已使用位于ASML荷蘭總部與imec聯(lián)合實驗室的試驗型High-NA EUV光刻機打印了10nm線寬,。

就發(fā)展路線來說，ASML的標準EUV光刻機可以打印13.5nm的線寬,，而新的High-NA EUV光刻機則是可以通過打印8nm線寬來創(chuàng)建更小的晶體管,。ASML現(xiàn)在已經(jīng)證明其設(shè)備可以滿足其基本規(guī)格。

Martin van den Brink強調(diào),，ASML當前已經(jīng)取得了進展,，能夠在整個打印線寬作業(yè)上將其低至8奈米記錄，并進行校正,，而且還具有一定程度的重疊覆蓋,。因此，ASML對High NA EUV光刻機的發(fā)展充滿信心,，預(yù)計未來將能夠在突破其極限,。

而除了ASML自己在進行High NA EUV光刻機的測試之外,，目前唯一安裝完成High NA EUV光刻機的英特爾,，也在美國俄勒岡州的D1X工廠投入測試工作。預(yù)計將在Intel 18A節(jié)點制程上進行技術(shù)的研發(fā)與訓(xùn)練工作,，之后再將其投入到Intel 14A節(jié)點制程的大量生產(chǎn)當中,。

Martin van den Brink指出，ASML已經(jīng)可以開發(fā)更新一代的Hyper-NA EUV光刻機了,，以進一步擴展其High-NA EUV光刻機的潛在路線圖,。