6月13日消息，DRAM大廠美光去年就宣布計劃在斥資6,000至8,000億日原在日本廣島興建DRAM新廠,，預計2026年初動工,、最快2027年底前完成廠房建設,、機臺設備安裝并投入營運。

據(jù)了解,，美光廣島DRAM新廠地點將緊鄰已建成的Fab15,。新廠初期規(guī)劃為DRAM晶圓廠，未包含后段封裝及測試,，產能將著重于HBM產品,。同時，美光廣島DRAM新廠還將首導入極紫外光（EUV）光刻設備,，生產先進1-Gamma制程的DRAM,，后續(xù)也將導入1-Delta制程，因此EUV設備安裝數(shù)量將大幅增加,，并多加采用調高無塵室,。

至于廣島Fab 15是HBM晶圓量產廠區(qū)，負責前段晶圓生產及硅穿孔（TSV）制程,，后段堆疊及測試制程由臺灣的臺中后段廠負責,。另有市場消息傳出，隨著HBM需求擴張,，臺灣OMT（One Mega Taiwan）明年起將加入HBM晶圓量產廠區(qū),，投入晶圓生產及TSV制程。

研調機構TrendForce指出,，由于HBM市場需求蓬勃發(fā)展,，且生產良率較低,、晶粒尺寸較大等因素，相同位產出的HBM相較DDR5約需消耗3倍投片量,，且會排擠傳統(tǒng)DRAM產能,。

如果美光要加速HBM市場滲透，考慮到2025年產能已被客戶預訂一空,，新廠建設需求勢在必行,。同時，美光計劃到2025年HBM產品線市占率保持在20%~25%水平,，目標提高至與傳統(tǒng)DRAM相當,。

這次廣島新廠也獲得日本政府補貼，日本經(jīng)濟產業(yè)省去年10月宣布將提供美光1,920億日原建廠及設備補貼,，另針對生產成本最高補貼88.7億日元,、研發(fā)成本最高補貼250億日元。