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Qorvo® 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET

推動斷路器技術(shù)的革命性變革
2024-06-17
來源:Qorvo

  中國 北京,,2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅(SiC)結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)——UJ4N075004L8S,。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護應(yīng)用而設(shè)計,,UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能,、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點在上述應(yīng)用中至關(guān)重要,。

屏幕截圖 2024-06-17 144112.png

  UJ4N075004L8S 的導通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是業(yè)內(nèi)采用標準分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導通電阻最低的器件,。較低的導通電阻使發(fā)熱量顯著降低,,加之緊湊的 TOLL 封裝,使解決方案的尺寸比 TO-263 封裝的同類產(chǎn)品小 40%,。新品可應(yīng)對目前電磁式斷路器對有限空間尺寸的所有要求,,且無需復雜的冷卻系統(tǒng)即可運行,加速從電磁式斷路器向基于半導體的固態(tài)斷路器(SSCB)的轉(zhuǎn)型。

  “隨著 UJ4N075004L8S 的推出,,Qorvo 將繼續(xù)領(lǐng)導 SiC 電源產(chǎn)品的創(chuàng)新,,以超小型元件封裝的超低導通電阻 FET 器件助力電路保護等應(yīng)用的發(fā)展?!盦orvo SiC 電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示,,“SSCB 市場正迅速增長,Qorvo 的最新產(chǎn)品是這一技術(shù)演進中的重要里程碑,?!?/p>

  Qorvo 的 JFET 器件堅固耐用,能夠在電路故障時承受極高的浪涌電流并實現(xiàn)關(guān)斷,,非常適合應(yīng)對電路保護領(lǐng)域的挑戰(zhàn),。其最新款 JFET 還能承受高瞬時結(jié)溫而不發(fā)生性能劣化或參數(shù)漂移。JFET 的常開特性使其能無縫集成到默認導通狀態(tài)的系統(tǒng)中,,并在故障條件下轉(zhuǎn)為關(guān)斷狀態(tài),。

  UJ4N075004L8S 現(xiàn)已提供樣品,并將于 2024 年第四季度投入量產(chǎn),;屆時,,Qorvo 還將推出更多 JFET 產(chǎn)品,包括額定電壓為 750V 的 5mΩ 產(chǎn)品和額定電壓 1200V 的 8mΩ 產(chǎn)品,,均采用 TO-247 封裝,。




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