6 月 18 日消息,，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。

報(bào)道同時(shí)指出,，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡(jiǎn)寫）-D 技術(shù),。

SAINT-D 是三星電子的一項(xiàng) 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù),，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報(bào)道稱該技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)方式是在處理器和 HBM 芯片間建立硅中介層,。

▲ 三星電子 SAINT 先進(jìn)封裝技術(shù)家族

三星電子近期在三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上表示,，其 SAINT-D 技術(shù)目前正處于概念驗(yàn)證階段。

▲ 三星 AI 解決方案,，中即 SAINT-D 技術(shù)

韓媒表示,，SAINT-D 技術(shù)有望改變 AI 半導(dǎo)體領(lǐng)域的游戲規(guī)則：

目前 HBM 內(nèi)存與處理器之間采用 2.5D 封裝連接，兩者之間存在一定距離,，不僅引入了更大傳輸延遲,，同時(shí)還影響了電信號(hào)質(zhì)量、提升了數(shù)據(jù)移動(dòng)功耗,。

而 SAINT-D 技術(shù)將處理器和 HBM 內(nèi)存的距離降到更低,，有利于 AI 加速器芯片進(jìn)一步釋放性能潛力。

對(duì)于三星電子整體而言,，由于可提供從先進(jìn)節(jié)點(diǎn)代工,、HBM 內(nèi)存生產(chǎn)到整體封裝集成的全流程“交鑰匙”服務(wù),，SAINT-D 的應(yīng)用也可帶動(dòng) HBM 和代工業(yè)務(wù)的發(fā)展。

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) MGI 的數(shù)據(jù),，SAINT-D 等先進(jìn)封裝市場(chǎng)的規(guī)模將從 2023 年的 345 億美元成長至 800 億美元,。