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消息稱三星將推出HBM三維封裝技術SAINT-D

有望改變 AI 半導體規(guī)則
2024-06-18
來源:IT之家

6 月 18 日消息,據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道,,三星電子將于年內推出可將 HBM 內存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術,。

報道同時指出,在今年發(fā)布后,,三星有望于明年推出的 HBM4 內存中正式應用 SAINT(注:即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫)-D 技術,。

SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術,旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內存裸片,。報道稱該技術的具體實現(xiàn)方式是在處理器和 HBM 芯片間建立硅中介層,。

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▲ 三星電子 SAINT 先進封裝技術家族

三星電子近期在三星代工論壇 2024 北美場上表示,其 SAINT-D 技術目前正處于概念驗證階段,。

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▲ 三星 AI 解決方案,中即 SAINT-D 技術

韓媒表示,,SAINT-D 技術有望改變 AI 半導體領域的游戲規(guī)則:

目前 HBM 內存與處理器之間采用 2.5D 封裝連接,,兩者之間存在一定距離,不僅引入了更大傳輸延遲,,同時還影響了電信號質量,、提升了數(shù)據(jù)移動功耗。

而 SAINT-D 技術將處理器和 HBM 內存的距離降到更低,,有利于 AI 加速器芯片進一步釋放性能潛力,。

對于三星電子整體而言,由于可提供從先進節(jié)點代工、HBM 內存生產(chǎn)到整體封裝集成的全流程“交鑰匙”服務,,SAINT-D 的應用也可帶動 HBM 和代工業(yè)務的發(fā)展,。

根據(jù)市場研究機構 MGI 的數(shù)據(jù),SAINT-D 等先進封裝市場的規(guī)模將從 2023 年的 345 億美元成長至 800 億美元,。


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