7月20日消息,據(jù)Tomshardware報(bào)道,中國3D NAND Flash大廠長江存儲(chǔ)(YMTC)近日在美國加利福尼亞州北部地區(qū)再度對美光提起訴訟,,指控這家美國公司侵犯了其11項(xiàng)專利,涉及3D NAND Flash及DRAM產(chǎn)品,。長江存儲(chǔ)要求法院勒令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,同時(shí)支付專利使用費(fèi)。
長江存儲(chǔ)指控稱,美光的96層(B27A),、128層(B37R)、176層(B47R)和232層(B58R)3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM產(chǎn)品(Y2BM系列)侵犯了長江存儲(chǔ)在美國提交的11項(xiàng)專利或?qū)@暾垺?/p>
值得一提的是,,2023年11月,,長江存儲(chǔ)還在美國加州北區(qū)地方法院對美光及其子公司美光消費(fèi)類產(chǎn)品事業(yè)部提起訴訟,指控它們侵犯了其8項(xiàng)與3D NAND Flash相關(guān)的美國專利,。
以下是訴訟中引用的八項(xiàng)專利:
US10950623:3D NAND存儲(chǔ)器件及其形成方法
US11501822:非易失性存儲(chǔ)器件及控制方法
US10658378:三維存儲(chǔ)器件的直通陣列接觸(TAC)
US10937806:三維存儲(chǔ)器件的直通陣列接觸(TAC)
US10861872:三維存儲(chǔ)裝置及其形成方法
US11468957:NAND存儲(chǔ)器操作的架構(gòu)和方法
US11600342:三維存儲(chǔ)設(shè)備的讀取時(shí)間
US10868031:多堆疊三維存儲(chǔ)器件及其制造方法
今年6月7日,長江存儲(chǔ)由在美國加利福尼亞州北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起訴訟,,指控受美光資助的丹麥咨詢公司Strand Consult及其副總裁羅絲琳·雷頓(Roslyn Layton)散布虛假信息,,破壞長江存儲(chǔ)的市場聲譽(yù)和商業(yè)關(guān)系。
顯然,,長江存儲(chǔ)正試圖通過專利來打擊美光,,以獲得對抗美國打壓的籌碼。
美國商務(wù)部于2022年底將長江存儲(chǔ)列入了實(shí)體清單,,這使得該公司無法從美國公司獲得先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備來制造領(lǐng)先的128層及以上的3D NAND Flash器件,。
盡管受到美國政府的嚴(yán)格限制,長江存儲(chǔ)仍繼續(xù)努力通過原有的設(shè)備及國產(chǎn)設(shè)備來幫助其發(fā)展其3D NAND Flash,。該公司的Xtacking 3.0產(chǎn)品依然在奮力的維持生產(chǎn),,并正在開發(fā)新一代的Xtacking 4.0架構(gòu)的3D NAND Flash。今年早些時(shí)候,,長江存儲(chǔ)宣布,,它已經(jīng)設(shè)法將3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水平(達(dá)到4000個(gè)編程/擦除周期),這大大改善了廉價(jià)SSD的特性,。
有趣的是,,總部位于美國的Patriot Memory正在準(zhǔn)備一款高端PCIe Gen5 x4 SSD,其讀取速度高達(dá)14 GB/S,,基于Maxiotek(一家由JMicron發(fā)展而來的中國公司)的控制器和長江存儲(chǔ)的3D NAND Flash,。