7月31日消息,韓國半導體廠商美格納半導體(Magnachip)近日宣布推出用于智能手機電池保護電路的第 8 代 MXT LV MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),,用于管理智能手機電池保護設計中的功耗,。
美格納在其新型 12V 雙 N 溝道 MOSFET (MDWC12D024PERH) 中首次引入了其專有的超短通道 FET II (SSCFET? II) 技術。SSCFET II 是美格納的最新設計技術,,可顯著縮短通道長度,,從而降低 RSS(on)。
與相同尺寸的上一代產品相比,,該產品的RSS(on)源電阻降低了約22%,。這種減少降低了功率損耗,縮短了智能手機的充電時間,,并在快速充電模式下將智能手機的內部溫度降低了約 12%,。
隨著全球智能手機制造商在智能手機中增強AI功能,MOSFET產品的重要性與日俱增,。新型 12V MXT LV MOSFET 具有高功率效率,,并針對高端智能手機(尤其是設備上的 AI 智能手機)中的各種電池保護應用進行了優(yōu)化。
根據(jù)市場研究公司 Omdia 的數(shù)據(jù),,從 2024 年到 2028 年,,設備上 AI 智能手機的出貨量預計將以年均 50% 的速度增長,到 2028 年將達到 6.06 億部,。
美格納首席執(zhí)行官 YJ Kim 表示:“繼去年年初超短通道 FET I 技術的發(fā)展和產品的成功推出之后,,美格納現(xiàn)已推出升級的超短通道 FET II 技術。我們計劃在今年下半年繼續(xù)開發(fā)創(chuàng)新的高密度蜂窩溝槽技術,,并推出針對智能手機,、智能手表和耳機的先進電源解決方案?!?/p>
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