8 月 29 日消息,，SK 海力士今日宣布,，全球首次成功開發(fā)出采用第六代 10 納米級（1c）工藝的 16Gb（Gigabit,，千兆比特）DDR5 DRAM,。由此,，公司向世界展現(xiàn)了 10 納米出頭的超微細化存儲工藝技術,。

SK 海力士強調：“隨著 10 納米級 DRAM 技術的世代相傳,，微細工藝的難度也隨之加大,，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎,，提高了設計完成度,，率先突破了技術極限。公司將在年內完成 1c DDR5 DRAM 的量產準備,，從明年開始供應產品,，引領半導體存儲器市場發(fā)展?！?/p>

SK 海力士以 1b DRAM 平臺擴展的方式開發(fā)了 1c 工藝,。SK 海力士技術團隊認為，由此不僅可以減少工藝高度化過程中可能發(fā)生的嘗試錯誤,，還可以最有效地將業(yè)界內以最高性能 DRAM 受到認可的 SK 海力士 1b 工藝優(yōu)勢轉移到 1c 工藝,。

而且，SK 海力士在部分 EUV 工藝中開發(fā)并適用了新材料,，也在整個工藝中針對 EUV 適用工藝進行了優(yōu)化,，由此確保了成本競爭力。與此同時,，在 1c 工藝上也進行了設計技術革新,，與前一代 1b 工藝相比,，其生產率提高了 30% 以上。

據IT之家了解,，此次 1c DDR5 DRAM 將主要用于高性能數據中心,，其運行速度為 8Gbps（每秒 8 千兆比特），與前一代相比速度提高了 11%,。另外,，能效也提高了 9% 以上。隨著 AI 時代的到來,，數據中心的耗電量在繼續(xù)增加,，如果運營云服務的全球客戶將 SK 海力士 1c DRAM 采用到數據中心，公司預測其電費最高能減少 30%,。