8月29日,，存儲芯片大廠SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10nm級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM,。由此,，公司向世界展現了10nm級的超微細化存儲工藝技術,。

SK海力士強調：“隨著10nm級DRAM技術的推進,，精細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎,，提高了設計完成度,，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備,，從明年開始供應產品,，引領半導體存儲器市場發(fā)展?！?/p>

SK海力士技術團隊表示,，公司以1b DRAM平臺擴展的方式開發(fā)了1c工藝，由此不僅可以減少工藝高度化過程中可能發(fā)生的嘗試錯誤,，還可以最有效地將業(yè)界內以最高性能DRAM受到認可的SK海力士1b工藝優(yōu)勢轉移到1c工藝,。

而且，SK海力士在部分EUV工藝中開發(fā)并適用了新材料,，也在整個工藝中針對EUV適用工藝進行了優(yōu)化,，由此確保了成本競爭力。與此同時,，在1c工藝上也進行了設計技術革新,，與前一代1b工藝相比，其生產率提高了30%以上,。

據介紹,，此次推出的1c DDR5 DRAM將主要用于高性能數據中心，其運行速度為8Gbps（每秒8千兆比特）,，與前一代相比速度提高了11%,。另外,，能效也提高了9%以上,。隨著AI時代的到來，數據中心的耗電量在繼續(xù)增加,，如果運營云服務的全球客戶將SK海力士1c DRAM采用到數據中心,，公司預測其電費最高能減少30%。

SK海力士DRAM開發(fā)擔當副社長金鍾煥表示：“1c工藝技術兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖偁幜?，公司將其應用于新一代HBM1,、LPDDR62、GDDR73等最先進DRAM主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值,。今后公司也將堅守DRAM市場的領導力,，鞏固最受客戶信賴的AI用存儲器解決方案企業(yè)的地位?！?/p>