9月10日消息,，美光官方宣布，已經(jīng)完成12-Hi堆棧的新一代HBM3E高帶寬內(nèi)存,，單顆容量達(dá)36GB,，比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。

它將用于頂尖的AI,、HPC計(jì)算產(chǎn)品，比如NVIDIA H200,、B200等加速卡,，單卡就能輕松運(yùn)行700億參數(shù)的Llama2等大模型，不再需要頻繁調(diào)用CPU,，從而減少延遲,、提高數(shù)據(jù)處理效率。

美光12-Hi 36GB HBM3E內(nèi)存還有著9.2Gbps的超高速率,，單顆就能提供超過1.2TB/s的驚人帶寬,，而且功耗比8-Hi版本更低。

臺(tái)積電CoWoS封裝技術(shù)制造,，也就是NVIDIA H100,、H200等普遍使用的技術(shù)，彼此可以輕松搭配,。

支持完全可編程的MBIST(內(nèi)存內(nèi)置自測(cè)試),，可以模擬全速下的系統(tǒng)負(fù)載，方便快速完成測(cè)試驗(yàn)證,，加快上市,。

美光表示，12-Hi HBM3E已經(jīng)提供給關(guān)鍵伙伴進(jìn)行驗(yàn)證,。