9 月 15 日消息，工業(yè)和信息化部于 9 月 9 日印發(fā)《首臺（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024 年版）》通知,，在文件列表包含國產(chǎn)氟化氪光刻機(jī)（110nm）,，和氟化氬光刻機(jī)（65nm）的內(nèi)容,。

中國首臺（套）重大技術(shù)裝備是指國內(nèi)實現(xiàn)重大技術(shù)突破,、擁有知識產(chǎn)權(quán),、尚未取得明顯市場業(yè)績的裝備產(chǎn)品，包括整機(jī)設(shè)備,、核心系統(tǒng)和關(guān)鍵零部件等,。

附上這兩行信息截圖如下：

晶圓直徑    照明波長    分辨率    套刻    

氟化氪（KrF）光刻機(jī)    300mm    248nm    ≤110nm    ≤25nm    

氟化氬（ArF）光刻機(jī)    300mm    193nm    ≤65nm    ≤8nm    

氟化氪（KrF）和氟化氬（ArF）兩種氣體均服務(wù)于深紫外（DUV）光刻機(jī)，產(chǎn)生深紫外光的準(zhǔn)分子激光器,。

目前來說,，光刻機(jī)共經(jīng)歷了五代的發(fā)展，從最早的 436 波長,，再到第二代光刻機(jī)開始使用波長 365nm i-line,，第三代則是 248nm 的 KrF 激光,。第四代就是 193nm 波長的 DUV 激光，這就是 ArF 準(zhǔn)分子激光,。

ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光源光刻機(jī),，光源實際波長突破 193nm，縮短為 134nm,，NA 值為 1.35,，最高可實現(xiàn) 7nm 制程節(jié)點。

浸入技術(shù)是指讓鏡頭和硅片之間的空間浸泡于液體之中,，由于液體的折射率大于 1,，使得激光的實際波長會大幅度縮小。

套刻精度就是常說的“多重曝光能達(dá)到的最高精度”,，按套刻精度與量產(chǎn)工藝 1:3 的關(guān)系,，這個光刻機(jī)大概可以量產(chǎn) 28nm 工藝的芯片,。

28 納米光刻機(jī),，是芯片中低端和中高端的分界線，意味著工業(yè)獨立,，中國的空調(diào)洗衣機(jī)汽車等各類工業(yè)品，可以突破西方國家設(shè)置的重重封鎖,，自主生產(chǎn)銷售。