《電子技術(shù)應(yīng)用》
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授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Toshiba多樣化電子元器件和半導(dǎo)體產(chǎn)品

2024-09-25
來(lái)源:貿(mào)澤電子

  2024年9月18日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Toshiba電子元器件和解決方案的全球授權(quán)代理商。貿(mào)澤有7000多種Toshiba產(chǎn)品開(kāi)放訂購(gòu),,其中3000多種有現(xiàn)貨庫(kù)存,,豐富多樣的Toshiba產(chǎn)品組合可幫助買家和工程師開(kāi)發(fā)滿足市場(chǎng)需求的產(chǎn)品。

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  Toshiba TCKE9系列23V 4A電子熔斷器可保護(hù)電源線路免受外部過(guò)流和過(guò)壓的影響,。除了壓擺率控制、欠壓鎖定 (UVLO)、FLAG輸出等功能外,,TCKE9系列產(chǎn)品還具有可調(diào)限流和固定電壓鉗位功能。TCKE9使用的電子保險(xiǎn)絲可提供標(biāo)準(zhǔn)物理保險(xiǎn)絲所不具備的可重復(fù)保護(hù)和高精度,。

  Toshiba的UMOS9-H硅N溝道MOSFET是高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器,、開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的理想選擇。這些MOSFET基于新一代U-MOS9-H溝槽工藝,,在所有負(fù)載條件下都能實(shí)現(xiàn)高效率,。這些器件具有80V漏極-源極電壓、±20V柵極-源極電壓和175°C溝道溫度,。UMOS9-H MOSFET采用DPAK封裝,,可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 和低輸出電荷 (QOSS),從而提高基站,、服務(wù)器或工業(yè)設(shè)備中使用的開(kāi)關(guān)電源的效率,。

  Toshiba的40V和50V全集成步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器具有低導(dǎo)通電阻、精細(xì)的微步進(jìn)和緊湊的外形尺寸,,并具有電機(jī)驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)功能,,適用于執(zhí)行器和數(shù)控機(jī)床等各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可通過(guò)內(nèi)置穩(wěn)壓器,,使用單個(gè)VM電源來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī),。

  TLP2362B、TLP2368B,、TLP2762B和TLP2768B高速隔離式光耦合器可支持和處理會(huì)增加不必要的抖振噪聲的慢速輸入,。這些器件簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),無(wú)需傳統(tǒng)上用來(lái)降低顫振噪聲的必要外部元件(比如施密特觸發(fā)器),。這些光耦合器集成了內(nèi)部法拉第屏蔽,,保證了±50 kV/μs的共模瞬態(tài)抗擾度,非常適合可編程邏輯控制器,、工廠自動(dòng)化以及測(cè)試和測(cè)量設(shè)備,。




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