10 月 30 日消息,，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道稱，三星電子已決定 2025 年初引進其首臺 ASML High NA EUV 光刻機,，正式同英特爾,、臺積電展開下代光刻技術(shù)商業(yè)化研發(fā)競爭。

三星電子此前同比利時微電子研究中心 imec 合作,，在后者與 ASML 聯(lián)手建立的 High NA EUV 光刻實驗室進行了對 High NA 光刻的初步探索,；此次引入自有 High NA 機臺將加速三星的研發(fā)進程。

▲ ASML 首代 High NA EUV 光刻機 EXE:5000

考慮到精密的 High NA EUV 光刻機需要一段時間用于安裝和調(diào)試,，該機臺有望最早于明年中旬投入研發(fā)使用,。由于三星目前半導(dǎo)體先進制程路線圖已規(guī)劃至 SF1.4 節(jié)點（注：2027 年量產(chǎn)），采用 High-NA 光刻的制程最早也需要等到 SF1,。

三星在先進制程代工領(lǐng)域的兩家主要對手中,，英特爾已完成第二臺 High NA EUV 光刻機安裝，臺積電的首個機臺也將于今年內(nèi)實現(xiàn)交付,；此外在存儲領(lǐng)域,，SK 海力士的首臺 High NA EUV 光刻機則有望 2026 年引入。