11 月 14 日消息,，據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星電子,、SK 海力士,、美光均對(duì)在下代 HBM4 內(nèi)存中采用無(wú)助焊劑鍵合（Fluxless Bonding）技術(shù)抱有興趣,，正在進(jìn)行技術(shù)準(zhǔn)備,。

SK 海力士此前已宣布了 16 層堆疊 HBM3E，而從整體來(lái)看 HBM 內(nèi)存將于 HBM4 開(kāi)始正式轉(zhuǎn)向 16 層堆疊,。由于無(wú)凸塊的混合鍵合技術(shù)尚不成熟,，傳統(tǒng)有凸塊方案預(yù)計(jì)仍將是 HBM4 16Hi 的主流鍵合技術(shù)。

更多的 DRAM Die 層數(shù)意味著 HBM4 16Hi 需要進(jìn)一步地壓縮層間間隙,，以保證整體堆棧高度維持在 775 μm（IT之家注：即 0.775 mm）的限制內(nèi),。

在這一背景下，三大內(nèi)存原廠(chǎng)均注意到了現(xiàn)有 HBM 鍵合工藝使用的助焊劑：助焊劑可清理 DRAM Die 表面的氧化層,，保證鍵合過(guò)程中機(jī)械和電氣連接不會(huì)受到氧化層影響,；但助焊劑的殘余也會(huì)擴(kuò)大各 Die 之間的間隙，提升整體堆棧高度。

消息人士表示,，三大 HBM 內(nèi)存原廠(chǎng)對(duì)無(wú)助焊劑鍵合的準(zhǔn)備程度不同：美光在與合作伙伴測(cè)試工藝方面最為積極,、SK 海力士考慮導(dǎo)入、三星電子也對(duì)此密切關(guān)注,。