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2025年全球?qū)㈤_建18座晶圓廠

全球產(chǎn)能將達(dá)3360萬片/月
2025-01-09
來源:芯智訊
關(guān)鍵詞: SEMI 晶圓 芯片法案

1月8日消息,,根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新公布的2024年第四季度《全球晶圓廠預(yù)測(cè)》報(bào)告預(yù)計(jì),,2025年全球?qū)⒂?8座新的晶圓廠開工建設(shè),。同時(shí),預(yù)計(jì)2025年全球每月的晶圓產(chǎn)能將達(dá)到3360萬片約當(dāng)8英寸晶圓,,同比將增長6.6%,。

2025年全球?qū)⒂?8座晶圓廠開工

報(bào)告顯示,,2025年全球?qū)⒂?5座12英寸(300mm)晶圓廠和3座8英寸(200mm)晶圓廠開工建設(shè),其中大部分都將在2026年至2027年開始運(yùn)營,。

從2025年新建晶圓廠的區(qū)域來看,,美洲有4座,這主要得益于美國《芯片與科學(xué)法案》配套的補(bǔ)貼政策的刺激,;日本也有4座,,這也主要是由于日本積極發(fā)展本土半導(dǎo)體制造業(yè),以及臺(tái)積電熊本晶圓廠的帶動(dòng),;中國大陸地區(qū)由于前幾年持續(xù)的進(jìn)行了大規(guī)模興建晶圓廠,,因此2025年有所放緩,似乎只有3座新晶圓廠會(huì)開建,;歐洲及中東地區(qū)有3座,,中國臺(tái)灣有兩個(gè)項(xiàng)目,韓國和東南亞則各有一座晶圓廠,。

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2024年第四季度的《全球晶圓廠預(yù)測(cè)》報(bào)告涵蓋2023年至2025年,,報(bào)告顯示全球半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)劃開始運(yùn)營的新的高容量晶圓廠多達(dá)97座。其中包括2024年的48個(gè)項(xiàng)目和2025年將啟動(dòng)的32個(gè)項(xiàng)目,,晶圓尺寸從50mm到300mm不等,。

Semi 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 說,,“半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)到了關(guān)鍵時(shí)刻,,投資推動(dòng)了前沿和主流技術(shù)的發(fā)展,以滿足不斷變化的全球需求,。生成式 AI 和高性能計(jì)算正在推動(dòng)前沿邏輯和內(nèi)存領(lǐng)域的進(jìn)步,,而主流制程工藝節(jié)點(diǎn)將繼續(xù)支撐汽車、物聯(lián)網(wǎng)和電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵應(yīng)用,。18 個(gè)新的半導(dǎo)體晶圓廠將于 2025 年開始建設(shè),,這表明該行業(yè)致力于支持創(chuàng)新和顯著的經(jīng)濟(jì)增長?!?/p>

2025年全球晶圓產(chǎn)能將達(dá)每月3360萬片8英寸晶圓

從產(chǎn)能來看,,預(yù)計(jì)2025年全球每月的晶圓產(chǎn)能將達(dá)到3360萬片約當(dāng)8英寸晶圓,同比將增長6.6%,。

其中,,由于芯片制造商正在積極擴(kuò)大先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能(7nm 及以下),預(yù)計(jì)到 2025 年將增長到 220萬片/月,,年增長率將達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的 16%,。

在中國大陸芯片自給自足戰(zhàn)略以及汽車和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用預(yù)期需求的推動(dòng)下,2025年全球主流制程節(jié)點(diǎn)(8nm~45nm)的產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在2025年將再增加 6% 的容量,,達(dá)到1500萬片/月的里程碑,。

成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)(50nm 及以上)目前正在經(jīng)歷更保守的擴(kuò)張,這反映了這一市場(chǎng)復(fù)蘇緩慢和產(chǎn)能利用率低。預(yù)計(jì)這一細(xì)分市場(chǎng)2025年的產(chǎn)能將達(dá)到 1400萬片/月,,同比將增長 5%,。

晶圓代工產(chǎn)能同比增長10.9%

預(yù)計(jì)2025年晶圓代工廠商的總產(chǎn)能將達(dá)到1260萬片/月,相比2024年的1130萬片/月增長了10.9%,。這也意味著晶圓代工廠商仍將是2025年半導(dǎo)體設(shè)備采購的領(lǐng)導(dǎo)者,。

從整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)來看,其產(chǎn)能將在2024年和2025年分別小幅增長 3.5% 和 2.9%,。然而,,強(qiáng)勁的生成式 AI 需求,正在推動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的重大變化,,特別是對(duì)于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的需求正在激增,,這也導(dǎo)致了DRAM 和 NAND Flash之間產(chǎn)生了不同的產(chǎn)能增長趨勢(shì)。

SEMI預(yù)計(jì) DRAM產(chǎn)能將保持強(qiáng)勁增長,,預(yù)計(jì) 2025 年將同比增長約 7%,,達(dá)到 450萬片/月。相反,,NAND Flash 的裝機(jī)容量預(yù)計(jì)將同比增長 5%,,達(dá)到 370萬片/月。


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