1 月 21 日消息,，韓媒 ETNews 今日?qǐng)?bào)道稱,，三星電子內(nèi)部為應(yīng)對(duì)其 12nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有 1b nm 工藝的同時(shí)從頭設(shè)計(jì)新版 1b nm DRAM,。

據(jù)悉該新版 12nm 級(jí) DRAM 工藝項(xiàng)目名為 D1B-P（IT之家注：P 為 Prime 的簡(jiǎn)寫）,，專注改進(jìn)能效和散熱表現(xiàn),，這與三星此前的第六代 V-NAND 改進(jìn)版制程 V6P 采用了相同的命名邏輯。

▲ 三星電子基于現(xiàn)有 12nm 級(jí)制程的 32Gb DDR5

三星在 2022 年 12 月,、2023 年 5 月先后宣布其 12nm 級(jí) DDR5 DRAM 完成開發(fā)與批量生產(chǎn),，但此代工藝并未在 LPDDR5x 等關(guān)鍵領(lǐng)域取得成功，三星 DS 部門甚至因此丟掉了 MX 部門 Galaxy S25 系列手機(jī)初期內(nèi)存一供的地位,。

此外,，現(xiàn)有 12nm 級(jí) DRAM 工藝在作出啟動(dòng) D1B-P 項(xiàng)目的決定時(shí)良率僅有 60% 左右，遠(yuǎn)低于業(yè)界大規(guī)模量產(chǎn)所需的 80%~90%,。

報(bào)道指出三星電子在 2024 年底為 D1B-P 項(xiàng)目緊急訂購(gòu)了必需設(shè)備,，該制程預(yù)計(jì)將于 2025 年內(nèi)量產(chǎn),，最早的推出時(shí)間則是今年 2~3 季度。