《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > EDA與制造 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 三星電子否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

三星電子否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

力求提升性能和良率
2025-01-23
來(lái)源:IT之家
關(guān)鍵詞: 三星 DRAM 10nm

1 月 22 日消息,消息源 DigiTimes 今天(1 月 22 日)發(fā)布博文,報(bào)道稱三星電子否認(rèn)了關(guān)于重新設(shè)計(jì)其第五代 10nm 級(jí) DRAM(1b DRAM)的報(bào)道,。

0.png

昨日援引 ETNews 報(bào)道,三星電子內(nèi)部為應(yīng)對(duì)其 12nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重困局,,已在 2024 年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有 1b nm 工藝的同時(shí)從頭設(shè)計(jì)新版 1b nm DRAM。

市場(chǎng)觀察人士認(rèn)為,,三星修改 1b DRAM 設(shè)計(jì)的決定源于競(jìng)爭(zhēng)壓力,。SK 海力士和美光已在 HBM 中采用 1b DRAM,而三星仍在使用之前的 1a DRAM,。

此外,,據(jù)報(bào)道,三星啟動(dòng)了名為“D1b-p”的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目,,旨在提高其 DRAM 業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力,,“p”代表“prime”,象征著卓越的品質(zhì),,該項(xiàng)目重點(diǎn)關(guān)注提高電源效率和散熱性能,。

0.png

▲ 三星電子基于現(xiàn)有 12nm 級(jí)制程的 32Gb DDR5

盡管三星是全球 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,但目前正面臨來(lái)自 SK 海力士和美光的挑戰(zhàn),。這兩家公司都已成功商業(yè)化 1b DRAM,,SK 海力士甚至在 2024 年 8 月率先完成了 1c DRAM 的開(kāi)發(fā),。

有消息稱,,三星 Galaxy S25 系列智能手機(jī)即將發(fā)布,美光將成為其主要的移動(dòng) DRAM (LPDDR5) 供應(yīng)商,。這被認(rèn)為是由于三星尚未完全解決 1b LPDDR5X 的良率和散熱問(wèn)題,。

三星通過(guò)該媒體予以否認(rèn),稱相關(guān)報(bào)道不準(zhǔn)確,。此次事件引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注,,凸顯了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的激烈程度。

盡管三星否認(rèn)了重新設(shè)計(jì)的報(bào)道,,但業(yè)內(nèi)人士透露,,三星的目標(biāo)是提升 1b DRAM 的性能和良率,。據(jù)稱,重新設(shè)計(jì)涉及工藝調(diào)整,,成本高昂且復(fù)雜,,三星已緊急訂購(gòu)設(shè)備,計(jì)劃在 2024 年底前完成安裝和測(cè)試,,更新后的 1b DRAM 預(yù)計(jì)將于 2025 年第二或第三季度量產(chǎn),。


Magazine.Subscription.jpg

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn),。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問(wèn)題,,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。