2月19日,，韓國首爾中央地方法院第25刑事部（主審法官池貴淵）以違反《防止信息泄漏及保護產(chǎn)業(yè)技術(shù)相關(guān)法律》為由，對因涉嫌向中國企業(yè)泄露韓國核心半導(dǎo)體技術(shù)的三星電子前高管金某一審判處有期徒刑7年,。同時被起訴的原分包商員工方先生和金先生也分別被判處2年6個月有期徒刑和1年6個月有期徒刑,。
曾任三星電子部長金某，被指控在 2016 年跳槽至中國新成立的半導(dǎo)體公司時,，泄露了三星電子 18nm DRAM 相關(guān)的半導(dǎo)體工藝的信息,，并將其用于產(chǎn)品開發(fā)；方某曾擔任三星電子旗下半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商A公司的團隊負責人,，被指控與金某等人合謀將該公司尖端技術(shù)——半導(dǎo)體沉積設(shè)備的設(shè)計技術(shù)數(shù)據(jù)竊取給該中國公司,。
法院認定檢方對于被告的大多數(shù)指控成立，稱“以金某為首的被告人竊取了受害公司的重要數(shù)據(jù),，并將其用于為一家中國公司制造芯片”,、“金某泄露了三星電子的技術(shù)數(shù)據(jù)并加以利用”。
法院在解釋量刑理由時還表示,，“這是妨礙相關(guān)領(lǐng)域良好競爭和貿(mào)易秩序的嚴重犯罪,，對韓國國家產(chǎn)業(yè)競爭力造成重大負面影響?！紤]到中國競爭對手已經(jīng)從開發(fā)階段進入量產(chǎn)階段,，不難預(yù)測三星電子的損失將達到巨大數(shù)額?！?/p>
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