2 月 27 日消息,，韓媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）發(fā)布博文，報道稱 SK 海力士的第 6 代 12 層堆疊高帶寬內(nèi)存 HBM4 測試良率已達 70%,，為即將到來的量產(chǎn)階段奠定了堅實基礎,，也預示著 SK 海力士在 HBM4 市場競爭中占據(jù)有利地位。

注：良率作為衡量半導體良品比例的關(guān)鍵指標,，直接關(guān)系到企業(yè)的市場競爭力,。SK 海力士的 12 層堆疊 HBM4 在 2024 年年底良率已達到 60%，而最新消息稱測試良率已提升至 70%,，進展迅速,。

消息稱 SK 海力士 HBM4 的進展,，得益于其第五代 10nm 級 DRAM（1b）的應用，該技術(shù)在性能和穩(wěn)定性方面已經(jīng)過驗證,，并且也用于 SK 海力士的 HBM3e 產(chǎn)品,。

鑒于 HBM3E 曾實現(xiàn) 80% 的目標良率并縮短 50% 的量產(chǎn)時間，業(yè)內(nèi)人士預測 HBM4 12 層堆疊產(chǎn)品也將快速進入量產(chǎn)階段,。SK 海力士目前已完成內(nèi)部技術(shù)開發(fā)和評估,，即將提供樣品進行客戶性能測試，通過后即可啟動量產(chǎn),。

12 層堆疊 HBM4 有望部署在代號為英偉達下一代 AI 加速器“Grace Hopper”系列中,，而此前曝料稱英偉達計劃提前至 2025 年下半年量產(chǎn)“Grace Hopper”系列，這可能促使 SK 海力士進一步加快提升 HBM4 良率和量產(chǎn)進程,，以滿足客戶需求,。