創(chuàng)新技術(shù)賦能先進(jìn)制造,，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)效率革命?

2025年3月27日,，Semicon China 2025期間,，全球領(lǐng)先的真空設(shè)備制造商愛(ài)發(fā)科集團(tuán)正式推出三款面向先進(jìn)半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備：?多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX?,、?針對(duì)12英寸晶圓的?集群式先進(jìn)電子制造系統(tǒng)uGmni-300以及離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H?,。此次發(fā)布的產(chǎn)品以“靈活高效,、智能協(xié)同”為核心設(shè)計(jì)理念，覆蓋晶圓制造,、化合物半導(dǎo)體及封裝等關(guān)鍵領(lǐng)域,，助力客戶(hù)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破與產(chǎn)能升級(jí)。

多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX：靈活智造,，釋放產(chǎn)能極限

ENTRON-EXX以?“靈活布局”,、“高效生產(chǎn)”、“智能運(yùn)維”?三大特性重新定義薄膜沉積工藝：

ENTRON-EXX適用于半導(dǎo)體邏輯芯片,、存儲(chǔ)器（包括DRAM,、NAND及新一代非易失性存儲(chǔ)器）以及封裝等各類(lèi)尖端產(chǎn)品的生產(chǎn)。

· 靈活模塊化設(shè)計(jì)?：采用即插即用平臺(tái)設(shè)計(jì),，徹底解決了原機(jī)型因獨(dú)立布線設(shè)計(jì)導(dǎo)致的設(shè)備連接復(fù)雜問(wèn)題,。新設(shè)計(jì)不僅縮短了設(shè)備啟動(dòng)時(shí)間,，更使模塊添加與更換更加便捷，模塊更換時(shí)間較原機(jī)型縮短50%,；該系統(tǒng)最多可配置12個(gè)模塊,，包括8個(gè)工藝模塊、2個(gè)Degas模塊,，1個(gè)冷卻模塊和1個(gè)對(duì)準(zhǔn)模塊,。相較于EX，升級(jí)的中間冷卻與對(duì)準(zhǔn)模塊能更好地滿(mǎn)足客戶(hù)多元化需求,。

· 卓越生產(chǎn)力表現(xiàn)?：通過(guò)靈活配置,，系統(tǒng)能最大限度滿(mǎn)足客戶(hù)多樣化需求，實(shí)現(xiàn)潔凈室空間的高效利用,。相較ENTRON-EX,，單平臺(tái)占地面積減少10%，組合平臺(tái)減少5%,。

· 智能數(shù)據(jù)賦能?：新一代ENTRON-EXX顯著提升了數(shù)據(jù)采集能力：通過(guò)增加傳感器數(shù)量,，數(shù)據(jù)采集周期縮短至原機(jī)型的1/10；系統(tǒng)能采集更精準(zhǔn),、更海量的數(shù)據(jù),，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)的高效分析。

集群式先進(jìn)電子制造系統(tǒng)uGmni-300：12英寸晶圓一站式解決方案

uGmni系列以“統(tǒng)一傳輸核心”為核心,，打造12英寸晶圓高度集成的電子制造平臺(tái),，實(shí)現(xiàn)了濺射、刻蝕,、去膠,、CVD不同工藝的靈活搭配,，使這些工藝可以在統(tǒng)一的傳送核心上實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一調(diào)配,，大大提升了制造的靈活性和效率。

· 全工藝兼容?：支持濺射,、刻蝕,、去膠、PE-CVD等工藝模塊自由組合,，滿(mǎn)足多樣化需求,。

· 大尺寸基板支持?：可處理300mm基板，適配先進(jìn)封裝,、MEMS及光電器件制造,。

· 智能協(xié)同管理?：統(tǒng)一傳輸界面與標(biāo)準(zhǔn)化組件設(shè)計(jì)，減少備件庫(kù)存。

特別值得一提的是,，uGmni不僅支持12寸晶圓,，對(duì)于使用8寸片的產(chǎn)線客戶(hù)，愛(ài)發(fā)科也提供了uGmni-200的設(shè)備選項(xiàng),，可以根據(jù)客戶(hù)需求對(duì)應(yīng)不同尺寸的基板,。在性能指標(biāo)方面，能夠?yàn)榭蛻?hù)提供詳細(xì)的參考數(shù)據(jù),。

同時(shí),，uGmni可以根據(jù)客戶(hù)的實(shí)際工藝需求，提供4邊的,、6邊的,、7邊、8邊等不同形狀的對(duì)接方案型號(hào)可供選擇,。

離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H：突破束流極限，賦能精密制造新高度

SOPHI-200-H是一款為電子器件設(shè)計(jì)的高性能設(shè)備,，可支持SiC,、Si基功率器件  MEMS 及Smart cut工藝。無(wú)論是超薄基板還是特殊材料,，它都能輕松應(yīng)對(duì),，為半導(dǎo)體制造行業(yè)提供全方位的解決方案。無(wú)論是超薄基板還是特殊材料,，它都能輕松應(yīng)對(duì),，為半導(dǎo)體行業(yè)提供全方位的解決方案。

高精度與高效率的完美結(jié)合：在生產(chǎn)力方面,，SOPHI-200-H實(shí)現(xiàn)了重大突破,。高壓終端升級(jí)后，束流強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)了倍增,，尤其在低能區(qū)表現(xiàn)顯著優(yōu)化,。束流平行度可精準(zhǔn)控制在0.1度以?xún)?nèi)，確保工藝的極致均勻性,。

在工藝性能上,，SOPHI-200-H同樣表現(xiàn)優(yōu)異：具備nA至mA量級(jí)的束流穩(wěn)定性，單一設(shè)備即可覆蓋從高到低的全束流工藝,，大幅降低設(shè)備切換成本,，提升生產(chǎn)效率。

SOPHI-200-H展現(xiàn)了極強(qiáng)的靈活性：可穩(wěn)定處理50μm至2000μm不同厚度基板,，滿(mǎn)足多樣化需求,。同時(shí)兼容玻璃基板及TAIKO基板，大大擴(kuò)展了應(yīng)用場(chǎng)景,。

SOPHI-200-H以其高性能,、高穩(wěn)定性和廣泛兼容性,，為功率器件和電子器件制造提供了完善的解決方案。

?市場(chǎng)價(jià)值與行業(yè)展望

愛(ài)發(fā)科此次發(fā)布的三大創(chuàng)新設(shè)備,，直擊半導(dǎo)體制造中的效率、靈活性與工藝集成痛點(diǎn),，尤其為碳化硅,、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝領(lǐng)域提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。愛(ài)發(fā)科通過(guò)智能化,、模塊化設(shè)計(jì),，助力客戶(hù)應(yīng)對(duì)“小批量、多品類(lèi)”的柔性制造趨勢(shì),，加速?gòu)难邪l(fā)到量產(chǎn)的轉(zhuǎn)化周期,。這不僅展現(xiàn)了其在真空制造領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，更彰顯了以客戶(hù)需求為核心的研發(fā)理念,。

愛(ài)發(fā)科中國(guó)市場(chǎng)總監(jiān)王禹表示：“愛(ài)發(fā)科始終勇于創(chuàng)新、竭盡所能,。在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,，愛(ài)發(fā)科有一只專(zhuān)業(yè)的專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)，客戶(hù)有任何設(shè)備上的問(wèn)題,，愛(ài)發(fā)科都將全力解決；有任何改進(jìn)建議,，我們都虛心接受并積極改進(jìn),。在未來(lái)，愛(ài)發(fā)科愿意與業(yè)內(nèi)先鋒一起,，披荊斬棘,，共同克服半導(dǎo)體先進(jìn)制造的難關(guān),?！?/p>

通過(guò)靈活高效的模塊化設(shè)計(jì)、智能協(xié)同的工藝整合,，以及覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的解決方案,，愛(ài)發(fā)科正助力全球客戶(hù)突破技術(shù)瓶頸，加速邁向“智造未來(lái)”,。

未來(lái),，愛(ài)發(fā)科將繼續(xù)深耕真空技術(shù)與半導(dǎo)體制造工藝的融合創(chuàng)新，攜手行業(yè)伙伴推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同升級(jí),，為新能源,、人工智能等前沿領(lǐng)域提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)底座。