2025年2月20日,致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,,其旗下詮鼎推出基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件的48V/120A BMS方案,。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案的展示板圖
BMS(電池管理系統(tǒng))被稱為電池保姆或電池管家,其主要功能是智能化管理及維護各個電池單元,,監(jiān)控電池運行的狀態(tài),、防止其出現(xiàn)過充電和過放電的情況,,從而延長電池的使用壽命。當前,,市面上的電池管理系統(tǒng)大多數(shù)采用Si MOS設計,由于Si MOS具有寄生二極管,,必須成對使用,,才能進行充/放電電流的控制。為突破此限制,,大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件推出48V/120A BMS方案,,能夠一顆產(chǎn)品替代兩顆Si MOS,在顯著降低開發(fā)成本的同時,,減少PCB占板面積,。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案的場景應用圖
INV100FQ030C是英諾賽科基于先進VGaN技術自研的雙向導通100V硅基氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管,該產(chǎn)品采用4mm×6mm FCQFN封裝,,支持雙向導通和雙向截止,,導通電阻僅為100V/3.2mΩ,且具備無反向恢復,、超低柵極電荷等特性,,適用于BMS管理系統(tǒng)、雙向變換器的高側負荷開關,、電源系統(tǒng)中的開關電路等應用,。
在BMS應用中,當系統(tǒng)需要正常充電或者正常放電時,,可以通過在Gate-D1或者Gate-D2之間施加5V驅動電壓,,將VGaN完全打開,以此實現(xiàn)系統(tǒng)的充電或者放電,。當系統(tǒng)需要充電保護或者放電保護時,,VGaN的Gate信號可以被主動連接到D1或D2,實現(xiàn)系統(tǒng)充電關斷或者放電關斷,,同時利用VGaN的“體二極管”特性,,電路可以實現(xiàn)充電保護后放電,或者放電保護后充電功能,,從而可以實現(xiàn)一顆VGaN替換一對CHG,、DSG MOS的設計。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案的方塊圖
在同等100A負載電流情況下,,傳統(tǒng)的Si MOS串并聯(lián)BMS方案需要多達20顆器件才能達到所需的性能,。而采用基于VGaN器件的BMS方案,僅需8顆產(chǎn)品即可滿足100A溫升需求,,不僅將器件數(shù)量減少一半以上,,而且在熱性能上也表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,。
核心技術優(yōu)勢:
小體積:65mm×165mm,PCB占板面積及PCB成本比Si MOS降低40%,;
兼容性:采用目前主流的低邊AFE進行充放電控制,,使用專門設計的邏輯轉換電路兼容當前Si方案的CHG/DSG控制邏輯;
散熱性能好:綜合考慮VGaN的封裝特點,,優(yōu)化PCB布局,,實現(xiàn)最佳散熱性能;
雙向導通:英諾賽科VGaN(INV100FQ030C)以一顆替代多顆Si MOS,,降低成本,。
方案規(guī)格:
電池類型:三元鋰或磷酸鐵鋰;
電池串數(shù):16串,;
常規(guī)放電電流:100A(typical)/120A(heatsink),;
短路保護電流:200A。
本篇新聞主要來源自大大通:
基于InnoGaN INV100FQ030C設計的48V/120A BMS方案
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