引言
高可靠性,、低成本,、極短的研發(fā)周期等等相互沖突的設(shè)計(jì)要求迫使電源設(shè)計(jì)人員采用新的具有突破性的技術(shù)方案，而這些技術(shù)是傳統(tǒng)的汽車(chē)電源設(shè)計(jì)中不曾涉足的,。
汽車(chē)電源設(shè)計(jì)的基本原則
大多數(shù)汽車(chē)電源架構(gòu)需要遵循六項(xiàng)基本原則：
1)輸入電壓范圍VIN：12V電池電壓的瞬間波動(dòng)范圍決定了電源轉(zhuǎn)換IC的輸入電壓范圍,。
ISO7637-1行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)定義了汽車(chē)電池" title="汽車(chē)電池">汽車(chē)電池的電壓波動(dòng)范圍,。圖1和圖2所示波形即為ISO7637標(biāo)準(zhǔn)給出的波形，圖中顯示了高壓汽車(chē)電源轉(zhuǎn)換器需要滿(mǎn)足的臨界條件,。
2)散熱考慮：散熱需要根據(jù)DC-DC" title="DC-DC">DC-DC轉(zhuǎn)換器的最低效率進(jìn)行設(shè)計(jì),。
精心設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的效率通常高于線性穩(wěn)壓器，較高的轉(zhuǎn)換效率可以省去電源設(shè)計(jì)中的大尺寸散熱片和大的封裝外形,。多數(shù)廉價(jià)的小尺寸裸焊盤(pán)封裝即可在85℃時(shí)耗散2W功率,，在125℃時(shí)耗散1W功率。20W以上的大功率設(shè)計(jì)對(duì)于熱管理要求比較嚴(yán)格,，需要采用同步整流架構(gòu),。高效率的外部MOSFET控制器有助于改善電源的散熱能力。
3)靜態(tài)工作電流(IQ)及關(guān)斷電流(ISD)：隨著汽車(chē)中電子控制單元（ECU）數(shù)量的快速增長(zhǎng),，從汽車(chē)電池消耗的總電流也不斷增長(zhǎng),。即使當(dāng)發(fā)動(dòng)機(jī)工作并且電池電量耗盡時(shí),，有些ECU單元仍然保持工作。為了保證靜態(tài)工作電流IQ在可控范圍內(nèi),，大多數(shù)OEM廠商開(kāi)始對(duì)每個(gè)ECU的IQ加以限制,。例如歐盟提出的要求是：100μA/ECU。
4)成本控制：OEM廠商需要折中考慮模塊成本,、開(kāi)發(fā)/認(rèn)證成本,、產(chǎn)品上市時(shí)間以及規(guī)格指標(biāo)。在成本允許的前提下保證最優(yōu)設(shè)計(jì),，電源部分的材料清單在成本上可能占據(jù)非常重要的地位,。
模塊成本與PCB類(lèi)型、散熱片,、器件布局及其設(shè)計(jì)因素有關(guān),。例如，用FR-4 4層板代替CM-3單層板對(duì)于PCB的散熱會(huì)產(chǎn)生很大差異,。
5)位置/布局：在電源設(shè)計(jì)中PCB和元件布局會(huì)限制電源的整體性能,。
結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、電路板布局,、噪聲靈敏度,、多層板的互連問(wèn)題以及其它布板限制都會(huì)制約高芯片集成電源的設(shè)計(jì)。而利用負(fù)載點(diǎn)電源產(chǎn)生所有必要的電源也會(huì)導(dǎo)致高成本,，將眾多元件集于單一芯片并不理想,。電源設(shè)計(jì)人員需要根據(jù)具體的項(xiàng)目需求平衡整體的系統(tǒng)性能、機(jī)械限制和成本,。
6)電磁輻射：一個(gè)工作電路所產(chǎn)生的電磁干擾可能導(dǎo)致另一個(gè)電路無(wú)法正常運(yùn)行,。例如，無(wú)線電頻道的干擾可能導(dǎo)致安全氣囊的誤動(dòng)作,，為了避免這些負(fù)面影響,，OEM廠商針對(duì)ECU單元制定了最大電磁輻射限制。
為保持電磁輻射（EMI）在受控范圍內(nèi),，DC-DC轉(zhuǎn)換器的類(lèi)型,、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、外圍元件選擇,、電路板布局及屏蔽都非常重要,。經(jīng)過(guò)多年的積累，電源IC設(shè)計(jì)者研究出了各種限制EMI的技術(shù),。外部時(shí)鐘同步,、高于AM調(diào)制頻段的工作頻率、內(nèi)置MOSFET,、軟開(kāi)關(guān)技術(shù),、擴(kuò)頻技術(shù)等都是近年推出的EMI抑制方案,。
應(yīng)用與功率需求
大多數(shù)系統(tǒng)電源的基本架構(gòu)選擇應(yīng)從電源要求以及汽車(chē)廠商定義的電池電壓瞬變波形入手。對(duì)于電流的要求應(yīng)該反映到電路板的散熱設(shè)計(jì),。表1歸納了大多數(shù)設(shè)計(jì)的電路及電壓要求。
通用電源的拓?fù)浼軜?gòu)
這里列出了四種常用的電源架構(gòu),，總結(jié)了最近三年汽車(chē)領(lǐng)域的典型設(shè)計(jì)架構(gòu),。當(dāng)然，用戶(hù)可以通過(guò)不同方式實(shí)現(xiàn)具體的設(shè)計(jì)要求,，多數(shù)方案可歸納為這四種結(jié)構(gòu)中的一種,。
方案 1
該架構(gòu)為優(yōu)化DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率、布局,、PCB散熱及噪聲指標(biāo)提供了一種靈活設(shè)計(jì),。方案1的主要優(yōu)勢(shì)是：
·增加核設(shè)計(jì)的靈活性。即使不是最低成本/最高效率的解決方案,，增加一個(gè)獨(dú)立的轉(zhuǎn)換器有助于重復(fù)利用原有設(shè)計(jì),。
·有助于合理利用開(kāi)關(guān)電源和線性穩(wěn)壓器。例如,，相對(duì)于直接從汽車(chē)電池降壓到1.8V,，從3.3V電壓產(chǎn)生1.8V300mA的電源效率更高、成本也更低,。
·分散PCB的熱量,，這為選擇轉(zhuǎn)換器的位置及散熱提供了靈活性。
·允許使用高性能,、高性?xún)r(jià)比的低電壓模擬IC,，與高壓IC相比，這種方案提供了更寬的選擇范圍,。
方案1的缺點(diǎn)是：較大的電路板面積,、成本相對(duì)較高、對(duì)于有多路" title="多路">多路電源需求的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)過(guò)于復(fù)雜,。
方案 2
該方案是高集成度" title="高集成度">高集成度與設(shè)計(jì)靈活性的折衷,，與方案1相比，在成本,、外形尺寸和復(fù)雜度方面具有一定的優(yōu)勢(shì),。特別適合2路降壓輸出并需要獨(dú)立控制的方案。例如,，要求3.3V電源不間斷供電,，而在需要時(shí)可以關(guān)閉5V電源，以節(jié)省IQ電流,。另一種應(yīng)用是產(chǎn)生5V和8V電源,，利用這種方案可以省去一個(gè)從5V電壓升壓的boost轉(zhuǎn)換器,。
采用外置MOSFET的兩路輸出控制器可以提供與方案相同的PCB布板靈活性，便于散熱,。內(nèi)置MOSFET的轉(zhuǎn)換器,，設(shè)計(jì)人員應(yīng)注意不要在PCB的同一位置耗散過(guò)多的熱量。
方案 3
這一架構(gòu)把多路高壓轉(zhuǎn)換問(wèn)題轉(zhuǎn)化成一路高壓轉(zhuǎn)換和一個(gè)高度集成的低壓轉(zhuǎn)換IC,，相對(duì)于多輸出高壓轉(zhuǎn)換IC,，高集成度低壓轉(zhuǎn)換IC成本較低，且容易從市場(chǎng)上得到,。如果方案3中的低壓PMIC有兩路以上輸出,，那么方案3將存在與方案4相同的缺陷。
方案3的主要劣勢(shì)是多路電壓集中在同一芯片,，布板時(shí)需要慎重考慮PCB散熱問(wèn)題,。
方案 4
最新推出的高集成度PMIC可以在單芯片上集成所有必要的電源轉(zhuǎn)換和管理功能，突破了電源設(shè)計(jì)中的諸多限制,。但是,，高集成度也存在一定的負(fù)面影響。
·在高集成度PMIC中,，集成度與驅(qū)動(dòng)能力總是相互矛盾,。例如，在產(chǎn)品升級(jí)時(shí),，原設(shè)計(jì)中內(nèi)置MOSFET的穩(wěn)壓器可能無(wú)法滿(mǎn)足新設(shè)計(jì)中的負(fù)載驅(qū)動(dòng)要求,。
·把低壓轉(zhuǎn)換器級(jí)聯(lián)到高壓轉(zhuǎn)換器有助于降低成本，但這種方式受限于穩(wěn)壓器的開(kāi)/關(guān)控制,。例如,，如果5V電源關(guān)閉時(shí)必須開(kāi)啟3.3V電源，就無(wú)法將3.3V輸入連接到5V電源輸出,；否則將不能關(guān)閉5V電源,，造成較高的靜態(tài)電流IQ。
Maxim的汽車(chē)電源解決方案
Maxim的汽車(chē)電源IC克服了許多電源管理問(wèn)題,，能夠提供獨(dú)特的高性能解決方案,。電源產(chǎn)品包括過(guò)壓保護(hù)、微處理器監(jiān)控,、開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器等高度集成的多功能PMIC (如圖4所示),。電源IC符合汽車(chē)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證和生產(chǎn)要求，例如：AECQ100認(rèn)證,、DFMEA,、不同的溫度等級(jí)(包括85℃、105℃,、125℃,、135℃),、特殊的封裝要求。