光耦合器是電源和轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)隔離反饋通路的首選器件,。但電源結(jié)構(gòu)不斷向前發(fā)展,，希望實(shí)現(xiàn)更低的成本、更小的尺寸和更高的工作效率,。傳統(tǒng)的光耦合器現(xiàn)已進(jìn)展至接近極限,，特別是在高溫工作和熱循環(huán)可靠性方面，因此需要新的解決方案,。

       無(wú)論電源轉(zhuǎn)換和分配技術(shù)變化多快,，變壓器在短期內(nèi)是不會(huì)有太大改變，因?yàn)樗鼈冃枰獜拇芜叺匠踹叺母綦x反饋來(lái)實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制,。傳統(tǒng)采用雙列直插式封裝 (DIP) 的光耦合器已存在超過(guò) 30 年,。與此同時(shí)，表面貼裝技術(shù)的出現(xiàn)及對(duì)微型化的需求也在驅(qū)動(dòng)著光耦合器封裝形式的發(fā)展,，從 DIP 到小外形封裝 (SOP)及微型扁平封裝 (MFP),。

       在新一代最終產(chǎn)品中，工作于3.3V,、典型效率為80％的轉(zhuǎn)換器所需的散熱器或外部冷卻裝置所占用的空間將逐漸從設(shè)計(jì)中消去,。設(shè)計(jì)者不得不將更高的輸出功率硬擠進(jìn)低側(cè)高的薄型轉(zhuǎn)換器中。減少散熱的新設(shè)計(jì)方法促使模塊化DC-DC轉(zhuǎn)換器的出現(xiàn)

,，毋須散熱裝置,，且轉(zhuǎn)換效率高達(dá)90%及以上。然而,，它的功率密度卻很高,，盡管效率只有少許提高，但器件工作溫度持續(xù)上升,?；谶@些原因，雖然光耦合器仍然是想獲得主要安全認(rèn)證機(jī)構(gòu)認(rèn)可的最終產(chǎn)品的關(guān)鍵器件,，但這在模塊化DC-DC轉(zhuǎn)換器中已成為不容忽視的問(wèn)題,。其它實(shí)際問(wèn)題如成本和尺寸等，也是推動(dòng)傳統(tǒng)光耦合器必須改進(jìn)的原因,。

       傳統(tǒng)器件的局限

       高工作溫度是傳統(tǒng)光耦合器的大敵,。隨著溫度上升，電流轉(zhuǎn)換比 (CTR) (即光敏晶體管的輸出電流與LED輸入電流的比率) 會(huì)快速下降,，在溫度高于85 °C時(shí)導(dǎo)致極低的輸出電流,。LED的效率對(duì)器件的整體熱性能也有很大影響。

       傳統(tǒng)光耦合器的封裝由一個(gè)被外部鑄模所密封的圓頂構(gòu)成，也容易受高溫影響而損壞,。內(nèi)部光導(dǎo)管材料 (gel/rtv) 與外部鑄?；衔锏臒崤蛎浵禂?shù) (CTE) 若不匹配，封裝就可能出現(xiàn)破裂,、芯片翹起,、線綁定斷裂或翹起，甚至內(nèi)部材料溢出,。此外,，DIP光耦合器封裝不能良好地貼裝在PCB上。表面貼裝回流需要形成引線才能實(shí)現(xiàn),，這樣會(huì)導(dǎo)致微破裂的風(fēng)險(xiǎn),，影響器件的可靠性。

       封裝技術(shù)的局限還會(huì)帶來(lái)其它缺陷,。例如過(guò)鑄模工藝十分昂貴和費(fèi)時(shí),，而且還需要鑄模材料去除工藝,，例如去閃爍 (deflashing),，這些都會(huì)增加生產(chǎn)光耦合器封裝的時(shí)間和成本。此外,，形成不同尺寸如4,、6或8引腳封裝的模具所需的工具也要很大的投資。再者,，若一項(xiàng)設(shè)計(jì)的其它器件都采用扁平的表面貼裝器件如TSSOP或TQFP,，DIP封裝的高度也會(huì)造成問(wèn)題。

       減載或創(chuàng)新,？

       面對(duì)高溫下熱性能下降的一個(gè)方法是將轉(zhuǎn)換器限定在一個(gè)較窄的溫度范圍內(nèi),。這種方法的缺點(diǎn)是轉(zhuǎn)換器不能在期望的溫度范圍內(nèi)輸出全功率。另外,，最近的一些設(shè)計(jì)則利用脈沖變壓器或磁耦合器來(lái)代替光耦合器,。

       但是，現(xiàn)代的LED和光敏晶體管技術(shù),，加上新的表面貼裝BGA封裝,，可讓光耦合器承受較高的工作溫度，獲得良好的熱循環(huán)可靠性,，并減少器件尺寸和封裝成本,。圖1所示為采用BGA封裝的表面貼裝光耦合器，其最大高度為1.20mm,，面積小于現(xiàn)時(shí)的PDIP封裝,。

圖1  采用BGA封裝的單通道光耦合器

       該封裝方式省去了過(guò)鑄模工藝，但仍然可提供能承受高溫的穩(wěn)固結(jié)構(gòu)，并且可去除需要投入大量資金的工藝,，如去閃爍和引線形成等,。

       高功率LED和優(yōu)化的光敏晶體管也對(duì)該器件增強(qiáng)的熱性能做出了不小貢獻(xiàn)。LED在低電流時(shí)仍可有效工作,，再加上晶體管的高增益,，使到該器件能在室溫下獲得很高的典型CTR。這種稱為Microcoupler(tm)的新型器件的工作溫度比現(xiàn)代DC-DC轉(zhuǎn)換器其它板上器件所能承受的溫度更高,。

         Microcoupler器件包含一個(gè)基底,，其上帶有模型跡線，以及用于鋁砷化稼發(fā)光二極管 (LED) 和硅光敏檢測(cè)器晶圓附著的襯墊,。LED被綁定在外以便對(duì)其施加偏置電壓,，光敏檢測(cè)器則與輸出相連。具有高傳輸性能的光學(xué)涂層可用來(lái)耦合LED和光敏檢測(cè)器,，然后,，光學(xué)涂層再被反光層覆蓋，使到光敏沖模的紅外傳輸達(dá)到最大,。無(wú)鉛 (Pb-free) 焊接球形成從封裝到印刷線路板的第二級(jí)互連,。因此，Microcoupler可同時(shí)將傳統(tǒng)的PDIP封裝轉(zhuǎn)移至低側(cè)高的SMT無(wú)鉛技術(shù),，適合現(xiàn)在和未來(lái)的所有設(shè)計(jì)應(yīng)用,。

       性能：CTR對(duì)比溫度

       圖2比較了傳統(tǒng)4引腳DIP和單信道Microcoupler封裝的CTR，顯示新封裝具有良好的熱性能：Microcoupler的熱性能隨溫度上升而下降 (1mA, 5V) 的幅度只有30％,，而傳統(tǒng)器件卻高達(dá)60％,。

圖2  4引腳DIP和Microcoupler隨溫度而下降的歸一化CTR

  性能：封裝可靠性

       初步的壓力可靠性和FEA分析表明，在260 °C回流后,，Microcoupler最大壓力小于硅臨界壓力的五分之一,。試驗(yàn)測(cè)試結(jié)果也證明焊球和反射層的壓力比較小，這將增強(qiáng)較傳統(tǒng)光耦合器可承受更高溫下的可靠性和壽命,。

       結(jié)語(yǔ)

       本文談?wù)摿瞬捎帽砻髻N裝BGA封裝的光耦合器的獨(dú)特結(jié)構(gòu),。這種封裝結(jié)構(gòu)及其裝配流程比現(xiàn)有的封裝簡(jiǎn)單，特別適于低側(cè)高表面貼裝器件,。采用無(wú)鉛焊球也實(shí)現(xiàn)了完全無(wú)鉛的封裝,。