0 引言

　　1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來,，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的,。但藍(lán)寶石由于硬度高,、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便,，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注,。

　　目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù),，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此,，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個熱點,。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國家863計劃項目“基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)”，經(jīng)過近三年的研制開發(fā),，目前已通過科技部項目驗收,。

　　1 Si襯底LED芯片制造

　　1.1 技術(shù)路線

　　在Si襯底上生長GaN，制作LED藍(lán)光芯片,。

　　工藝流程：在Si襯底上生長AlN緩沖層→生長n型GaN→生長InGaN／GaN多量子阱發(fā)光層→生長p型AIGaN層→生長p型GaN層→鍵合帶Ag反光層并形成p型歐姆接觸電極→剝離襯底并去除緩沖層→制作n型摻si層的歐姆接觸電極→合金→鈍化→劃片→測試→包裝,。

　　1.2 主要制造工藝

　　采用THOMAS Swan CCS低壓MOCVD系統(tǒng)在50 mm si(111)襯底上生長GaN基MQW結(jié)構(gòu)。使用三甲基鎵(TMGa)為Ga源,、三甲基鋁(TMAI)為Al源,、三甲基銦(TMIn)為In源、氨氣(NH3)為N源,、硅烷(SiH4)和二茂鎂(CP2Mg)分別用作n型和p型摻雜劑,。首先在Si(111)襯底上外延生長AlN緩沖層，然后依次生長n型GaN層,、InGaN／GaN多量子阱發(fā)光層,、p型AlGaN層、p型GaN層,，接著在p面制作Ag反射鏡并形成p型歐姆接觸,，然后通過熱壓焊方法把外延層轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電基板上，再用Si腐蝕液把Si襯底腐蝕去除并暴露n型GaN層,，使用堿腐蝕液對n型面粗化后再形成n型歐姆接觸,，這樣就完成了垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的制作。結(jié)構(gòu)圖見圖1,。

　　從結(jié)構(gòu)圖中看出,，Si襯底芯片為倒裝薄膜結(jié)構(gòu),，從下至上依次為背面Au電極、Si基板,、粘接金屬,、金屬反射鏡(p歐姆電極)、GaN外延層,、粗化表面和Au電極。這種結(jié)構(gòu)芯片電流垂直分布,，襯底熱導(dǎo)率高,，可靠性高；發(fā)光層背面為金屬反射鏡,，表面有粗化結(jié)構(gòu),，取光效率高。

　　1.3 關(guān)鍵技術(shù)及創(chuàng)新性

　　用Si作GaN發(fā)光二極管襯底,，雖然使LED的制造成本大大降低,，也解決了專利壟斷問題，然而與藍(lán)寶石和SiC相比,，在Si襯底上生長GaN更為困難,，因為這兩者之間的熱失配和晶格失配更大，Si與GaN的熱膨脹系數(shù)差別也將導(dǎo)致GaN膜出現(xiàn)龜裂,，晶格常數(shù)差會在GaN外延層中造成高的位錯密度,；另外Si襯底LED還可能因為Si與GaN之間有0.5 V的異質(zhì)勢壘而使開啟電壓升高以及晶體完整性差造成p型摻雜效率低，導(dǎo)致串聯(lián)電阻增大,，還有Si吸收可見光會降低LED的外量子效率,。因此，針對上述問題,，深入研究和采用了發(fā)光層位錯密度控制技術(shù),、化學(xué)剝離襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)、高可靠性高反光特性的p型GaN歐姆電極制備技術(shù)及鍵合技術(shù),、高出光效率的外延材料表面粗化技術(shù),、襯底圖形化技術(shù)、優(yōu)化的垂直結(jié)構(gòu)芯片設(shè)計技術(shù),，在大量的試驗和探索中,，解決了許多技術(shù)難題，最終成功制備出尺寸1 mm×1 mm,，350 mA下光輸出功率大于380 mW,、發(fā)光波長451 nm、工作電壓3.2 V的藍(lán)色發(fā)光芯片,，完成課題規(guī)定的指標(biāo),。采用的關(guān)鍵技術(shù)及技術(shù)創(chuàng)新性有以下幾個方面,。

　　(1)采用多種在線控制技術(shù)，降低了外延材料中的刃位錯和螺位錯,，改善了Si與GaN兩者之間的熱失配和晶格失配,，解決了GaN單晶膜的龜裂問題，獲得了厚度大于4 μm的無裂紋GaN外延膜,。

　　(2)通過引入AIN,，AlGaN多層緩沖層，大大緩解了Si襯底上外延GaN材料的應(yīng)力,，提高了晶體質(zhì)量,，從而提高了發(fā)光效率。

　　(3)通過優(yōu)化設(shè)計n-GaN層中Si濃度結(jié)構(gòu)及量子阱／壘之間的界面生長條件,，減小了芯片的反向漏電流并提高了芯片的抗靜電性能,。

　　(4)通過調(diào)節(jié)p型層鎂濃度結(jié)構(gòu)，降低了器件的工作電壓,；通過優(yōu)化p型GaN的厚度,，改善了芯片的取光效率。

　　(5)通過優(yōu)化外延層結(jié)構(gòu)及摻雜分布,，減小串聯(lián)電阻,，降低工作電壓，減少熱產(chǎn)生率,，提升了LED的工作效率并改善器件的可靠性,。

　　(6)采用多層金屬結(jié)構(gòu)，同時兼顧歐姆接觸,、反光特性,、粘接特性和可靠性，優(yōu)化焊接技術(shù),，解決了銀反射鏡與p-GaN粘附不牢且接觸電阻大的問題,。

　　(7)優(yōu)選了多種焊接金屬，優(yōu)化焊接條件,，成功獲得了GaN薄膜和導(dǎo)電Si基板之間的牢固結(jié)合,，解決了該過程中產(chǎn)生的裂紋問題。

　　(8)通過濕法和干法相結(jié)合的表面粗化,，減少了內(nèi)部全反射和波導(dǎo)效應(yīng)引起的光損失,，提高LED的外量子效率，使器件獲得了較高的出光效率,。

　　(9)解決了GaN表面粗化深度不夠且粗化不均勻的問題,，解決了粗化表面清洗不干凈的難題并優(yōu)化了N電極的金屬結(jié)構(gòu)，在粗化的N極性n-GaN表面獲得了低阻且穩(wěn)定的歐姆接觸。

　　2 Si襯底LED封裝技術(shù)

　　2.1 技術(shù)路線

　　采用藍(lán)光LED激發(fā)YAG／硅酸鹽／氮氧化物多基色體系熒光粉,，發(fā)射黃,、綠、紅光,，合成白光的技術(shù)路線,。

　　工藝流程：在金屬支架／陶瓷支架上裝配藍(lán)光LED芯片(導(dǎo)電膠粘結(jié)工藝)→鍵合(金絲球焊工藝)→熒光膠涂覆(自動化圖形點膠／自動噴射工藝)→Si膠封裝(模具灌膠工藝)→切筋→測試→包裝。

　　2.2 主要封裝工藝

　　Si襯底的功率型GaN基LED封裝采用仿流明的支架封裝形式,，其外形有朗柏型,、矩形和雙翼型。其制作過程為：使用導(dǎo)熱系數(shù)較高的194合金金屬支架,，先將LED芯片粘接在金屬支架的反光杯底部,，再通過鍵合工藝將金屬引線連接LED芯片與金屬支架電極，完成電氣連接,，最后用有機封裝材料(如Si膠)覆蓋芯片和電極引線，形成封裝保護和光學(xué)通道,。這種封裝對于取光效率,、散熱性能、加大工作電流密度的設(shè)計都是最佳的,。其主要特點包括：熱阻低(小于10 ℃／W),，可靠性高，封裝內(nèi)部填充穩(wěn)定的柔性膠凝體,，在-40～120℃范圍,，不會因溫度驟變產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力，使金絲與支架斷開,，并防止有機封裝材料變黃,，引線框架也不會因氧化而沾污；優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計使光學(xué)效率,、外量子效率性能優(yōu)異,，其結(jié)構(gòu)見圖2。

　　2.3 關(guān)鍵技術(shù)及創(chuàng)新性

　　功率型LED的熱特性直接影響到LED的工作溫度,、發(fā)光效率,、發(fā)光波長、使用壽命等,，現(xiàn)有的Si襯底的功率型GaN基LED芯片設(shè)計采用了垂直結(jié)構(gòu)來提高芯片的取光效率,，改善了芯片的熱特性，同時通過增大芯片面積,，加大工作電流來提高器件的光電轉(zhuǎn)換效率,，從而獲得較高的光通量，也因此給功率型LED的封裝設(shè)計、制造技術(shù)帶來新的課題,。功率LED封裝重點是采用有效的散熱與不劣化的封裝材料解決光衰問題,。為達(dá)到封裝技術(shù)要求，在大量的試驗和探索中,，分析解決相關(guān)技術(shù)問題,，采用的關(guān)鍵技術(shù)和創(chuàng)新性有以下幾點。

　　(1)通過設(shè)計新型陶瓷封裝結(jié)構(gòu),，減少了全反射,，使器件獲得高取光效率和合適的光學(xué)空間分布。

　　(2)采用電熱隔離封裝結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的熱沉設(shè)計,，以適合薄膜芯片的封裝要求,。

　　(3)采用高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬支架，選用導(dǎo)熱導(dǎo)電膠粘結(jié)芯片,，獲得低熱阻的良好散熱通道,，使產(chǎn)品光衰≤5％(1 000 h)。

　　(4)采用高效,、高精度的熒光膠配比及噴涂工藝,，保證了產(chǎn)品光色參數(shù)可控和一致性。

　　(5)多層復(fù)合封裝,，降低了封裝應(yīng)力,，實施SSB鍵合工藝和多段固化制程，提高了產(chǎn)品的可靠性,。

　　(6)裝配保護二極管,，使產(chǎn)品ESD靜電防護提高到8 000 V。

　　3 產(chǎn)品測試結(jié)果

　　3.1 Si襯底LED芯片

　　通過優(yōu)化Si襯底表面的處理和緩沖層結(jié)構(gòu),，成功生長出可用于大功率芯片的外延材料,。采用Pt電極作為反射鏡，成功實現(xiàn)大功率芯片的薄膜轉(zhuǎn)移,。采用銀作為反射鏡,，大大提高了反射效率，通過改進反射鏡的設(shè)計并引入粗化技術(shù),，提高了光輸出功率,。改進了Ag反射鏡蒸鍍前p型GaN表面的清洗工藝和晶片焊接工藝，改善了銀反射鏡的歐姆接觸,，量子阱前引入緩沖結(jié)構(gòu),，提高了芯片發(fā)光效率，優(yōu)化量子阱／壘界面生長工藝,，發(fā)光效率進一步提高,，通過改進焊接技術(shù),，減少了襯底轉(zhuǎn)移過程中芯片裂紋問題，芯片制備的良率大幅度提高,，且可靠性獲得改善,。通過上述多項技術(shù)的應(yīng)用和改進，成功制備出尺寸1 mm×1 mm,，350 mA下光輸出功率大于380 mW的藍(lán)色發(fā)光芯片,，發(fā)光波長451 nm，工作電壓3.2 V,，完成課題規(guī)定的指標(biāo),。表1為芯片光電性能參數(shù)測試結(jié)果。

　　注：測試條件為350 mA直流,，Ta=25℃恒溫,。

　　3.2 Si襯底LED封裝

　　根據(jù)LED的光學(xué)結(jié)構(gòu)及芯片、封裝材料的性能,，建立了光學(xué)設(shè)計模型和軟件仿真手段,，優(yōu)化了封裝的光學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計。通過封裝工藝技術(shù)改進,，減少了光的全反射,，提高了產(chǎn)品的取光效率。改進導(dǎo)電膠的點膠工藝方式,，并對裝片設(shè)備工裝結(jié)構(gòu)與精度進行了改進,，采用電熱隔離封裝結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的熱沉設(shè)計,，降低了器件熱阻,，提高了產(chǎn)品散熱性能。采用等離子清洗工藝,，改善了LED封裝界面結(jié)合及可靠性,。針對照明應(yīng)用對光源的光色特性的不同要求，研究暖白,、日光白,、冷白光LED顏色的影響因素：芯片參數(shù)、熒光粉性能,、配方,、用量，并通過改進熒光膠涂覆工藝,，提高了功率LED光色參數(shù)的控制能力,，生產(chǎn)出與照明色域規(guī)范對檔的產(chǎn)品。藍(lán)光和白光LED封裝測試結(jié)果見表2,。表中：φ為光通量,；K為光效；P為光功率；R為熱阻,；μ為光衰,；I為飽和電流。

　　4 結(jié)語

　　Si襯底的GaN基LED制造技術(shù)是國際上第三條LED制造技術(shù)路線,，是LED三大原創(chuàng)技術(shù)之一,，與前兩條技術(shù)路線相比，具有四大優(yōu)勢：第一,，具有原創(chuàng)技術(shù)產(chǎn)權(quán),，產(chǎn)品可銷往國際市場，不受國際專利限制,。第二,，具有優(yōu)良的性能，產(chǎn)品抗靜電性能好,，壽命長,，可承受的電流密度高。第三,，器件封裝工藝簡單,，芯片為上下電極，單引線垂直結(jié)構(gòu),，在器件封裝時只需單電極引線,，簡化了封裝工藝，節(jié)約了封裝成本,。第四,，由于Si襯底比前兩種技術(shù)路線使用的藍(lán)寶石和SiC價格便宜得多，而且將來生產(chǎn)效率更高,，因此成本低廉,。經(jīng)過三年的科技攻關(guān)，課題申請發(fā)明專利12項,、實用新型專利7項,，該技術(shù)成功突破了美國、日本多年在半導(dǎo)體發(fā)光芯片(LED)方面的專利技術(shù)壁壘,，打破了目前日本日亞公司壟斷藍(lán)寶石襯底和美國CREE公司壟斷SiC襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)的局面,，形成了藍(lán)寶石、SiC,、Si襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)方案三足鼎立的局面,。因此采用Si襯底GaN的LED產(chǎn)品的推出，對于促進我國擁有知識產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體LED照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著重大意義,。