0 引言

　　1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái),，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的,。但藍(lán)寶石由于硬度高,、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來(lái)很多不便,，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注,。

　　目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù),，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此,，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn),。南昌大學(xué)與廈門(mén)華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國(guó)家863計(jì)劃項(xiàng)目“基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)”，經(jīng)過(guò)近三年的研制開(kāi)發(fā),，目前已通過(guò)科技部項(xiàng)目驗(yàn)收,。

　　1 Si襯底LED芯片制造

　　1.1 技術(shù)路線

　　在Si襯底上生長(zhǎng)GaN，制作LED藍(lán)光芯片,。

　　工藝流程：在Si襯底上生長(zhǎng)AlN緩沖層→生長(zhǎng)n型GaN→生長(zhǎng)InGaN／GaN多量子阱發(fā)光層→生長(zhǎng)p型AIGaN層→生長(zhǎng)p型GaN層→鍵合帶Ag反光層并形成p型歐姆接觸電極→剝離襯底并去除緩沖層→制作n型摻si層的歐姆接觸電極→合金→鈍化→劃片→測(cè)試→包裝,。

　　1.2 主要制造工藝

　　采用THOMAS Swan CCS低壓MOCVD系統(tǒng)在50 mm si(111)襯底上生長(zhǎng)GaN基MQW結(jié)構(gòu)。使用三甲基鎵(TMGa)為Ga源,、三甲基鋁(TMAI)為Al源,、三甲基銦(TMIn)為In源、氨氣(NH3)為N源,、硅烷(SiH4)和二茂鎂(CP2Mg)分別用作n型和p型摻雜劑,。首先在Si(111)襯底上外延生長(zhǎng)AlN緩沖層，然后依次生長(zhǎng)n型GaN層,、InGaN／GaN多量子阱發(fā)光層,、p型AlGaN層、p型GaN層,，接著在p面制作Ag反射鏡并形成p型歐姆接觸,，然后通過(guò)熱壓焊方法把外延層轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電基板上，再用Si腐蝕液把Si襯底腐蝕去除并暴露n型GaN層,，使用堿腐蝕液對(duì)n型面粗化后再形成n型歐姆接觸,，這樣就完成了垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的制作。結(jié)構(gòu)圖見(jiàn)圖1,。

　　從結(jié)構(gòu)圖中看出,，Si襯底芯片為倒裝薄膜結(jié)構(gòu)，從下至上依次為背面Au電極,、Si基板,、粘接金屬、金屬反射鏡(p歐姆電極),、GaN外延層,、粗化表面和Au電極。這種結(jié)構(gòu)芯片電流垂直分布,，襯底熱導(dǎo)率高,，可靠性高；發(fā)光層背面為金屬反射鏡,，表面有粗化結(jié)構(gòu),，取光效率高。

　　1.3 關(guān)鍵技術(shù)及創(chuàng)新性

　　用Si作GaN發(fā)光二極管襯底,，雖然使LED的制造成本大大降低,，也解決了專利壟斷問(wèn)題，然而與藍(lán)寶石和SiC相比,，在Si襯底上生長(zhǎng)GaN更為困難,，因?yàn)檫@兩者之間的熱失配和晶格失配更大，Si與GaN的熱膨脹系數(shù)差別也將導(dǎo)致GaN膜出現(xiàn)龜裂,，晶格常數(shù)差會(huì)在GaN外延層中造成高的位錯(cuò)密度,；另外Si襯底LED還可能因?yàn)镾i與GaN之間有0.5 V的異質(zhì)勢(shì)壘而使開(kāi)啟電壓升高以及晶體完整性差造成p型摻雜效率低，導(dǎo)致串聯(lián)電阻增大,，還有Si吸收可見(jiàn)光會(huì)降低LED的外量子效率,。因此，針對(duì)上述問(wèn)題,，深入研究和采用了發(fā)光層位錯(cuò)密度控制技術(shù),、化學(xué)剝離襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)、高可靠性高反光特性的p型GaN歐姆電極制備技術(shù)及鍵合技術(shù),、高出光效率的外延材料表面粗化技術(shù),、襯底圖形化技術(shù),、優(yōu)化的垂直結(jié)構(gòu)芯片設(shè)計(jì)技術(shù)，在大量的試驗(yàn)和探索中,，解決了許多技術(shù)難題,，最終成功制備出尺寸1 mm×1 mm，350 mA下光輸出功率大于380 mW,、發(fā)光波長(zhǎng)451 nm,、工作電壓3.2 V的藍(lán)色發(fā)光芯片，完成課題規(guī)定的指標(biāo),。采用的關(guān)鍵技術(shù)及技術(shù)創(chuàng)新性有以下幾個(gè)方面,。

　　(1)采用多種在線控制技術(shù)，降低了外延材料中的刃位錯(cuò)和螺位錯(cuò),，改善了Si與GaN兩者之間的熱失配和晶格失配,，解決了GaN單晶膜的龜裂問(wèn)題，獲得了厚度大于4 μm的無(wú)裂紋GaN外延膜,。

　　(2)通過(guò)引入AIN,，AlGaN多層緩沖層，大大緩解了Si襯底上外延GaN材料的應(yīng)力,，提高了晶體質(zhì)量,，從而提高了發(fā)光效率。

　　(3)通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)n-GaN層中Si濃度結(jié)構(gòu)及量子阱／壘之間的界面生長(zhǎng)條件,，減小了芯片的反向漏電流并提高了芯片的抗靜電性能,。

　　(4)通過(guò)調(diào)節(jié)p型層鎂濃度結(jié)構(gòu)，降低了器件的工作電壓,；通過(guò)優(yōu)化p型GaN的厚度,，改善了芯片的取光效率。

　　(5)通過(guò)優(yōu)化外延層結(jié)構(gòu)及摻雜分布,，減小串聯(lián)電阻,，降低工作電壓，減少熱產(chǎn)生率,，提升了LED的工作效率并改善器件的可靠性,。

　　(6)采用多層金屬結(jié)構(gòu)，同時(shí)兼顧歐姆接觸,、反光特性,、粘接特性和可靠性，優(yōu)化焊接技術(shù),，解決了銀反射鏡與p-GaN粘附不牢且接觸電阻大的問(wèn)題,。

　　(7)優(yōu)選了多種焊接金屬，優(yōu)化焊接條件，成功獲得了GaN薄膜和導(dǎo)電Si基板之間的牢固結(jié)合,，解決了該過(guò)程中產(chǎn)生的裂紋問(wèn)題,。

　　(8)通過(guò)濕法和干法相結(jié)合的表面粗化，減少了內(nèi)部全反射和波導(dǎo)效應(yīng)引起的光損失,，提高LED的外量子效率,，使器件獲得了較高的出光效率。

　　(9)解決了GaN表面粗化深度不夠且粗化不均勻的問(wèn)題,，解決了粗化表面清洗不干凈的難題并優(yōu)化了N電極的金屬結(jié)構(gòu)，在粗化的N極性n-GaN表面獲得了低阻且穩(wěn)定的歐姆接觸,。

　　2 Si襯底LED封裝技術(shù)

　　2.1 技術(shù)路線

　　采用藍(lán)光LED激發(fā)YAG／硅酸鹽／氮氧化物多基色體系熒光粉,，發(fā)射黃、綠,、紅光,，合成白光的技術(shù)路線。

　　工藝流程：在金屬支架／陶瓷支架上裝配藍(lán)光LED芯片(導(dǎo)電膠粘結(jié)工藝)→鍵合(金絲球焊工藝)→熒光膠涂覆(自動(dòng)化圖形點(diǎn)膠／自動(dòng)噴射工藝)→Si膠封裝(模具灌膠工藝)→切筋→測(cè)試→包裝,。

　　2.2 主要封裝工藝

　　Si襯底的功率型GaN基LED封裝采用仿流明的支架封裝形式,，其外形有朗柏型、矩形和雙翼型,。其制作過(guò)程為：使用導(dǎo)熱系數(shù)較高的194合金金屬支架,，先將LED芯片粘接在金屬支架的反光杯底部，再通過(guò)鍵合工藝將金屬引線連接LED芯片與金屬支架電極,，完成電氣連接,，最后用有機(jī)封裝材料(如Si膠)覆蓋芯片和電極引線，形成封裝保護(hù)和光學(xué)通道,。這種封裝對(duì)于取光效率,、散熱性能、加大工作電流密度的設(shè)計(jì)都是最佳的,。其主要特點(diǎn)包括：熱阻低(小于10 ℃／W),，可靠性高，封裝內(nèi)部填充穩(wěn)定的柔性膠凝體,，在-40～120℃范圍,，不會(huì)因溫度驟變產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力，使金絲與支架斷開(kāi),，并防止有機(jī)封裝材料變黃,，引線框架也不會(huì)因氧化而沾污；優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使光學(xué)效率,、外量子效率性能優(yōu)異,，其結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖2。

　　2.3 關(guān)鍵技術(shù)及創(chuàng)新性

　　功率型LED的熱特性直接影響到LED的工作溫度、發(fā)光效率,、發(fā)光波長(zhǎng),、使用壽命等，現(xiàn)有的Si襯底的功率型GaN基LED芯片設(shè)計(jì)采用了垂直結(jié)構(gòu)來(lái)提高芯片的取光效率,，改善了芯片的熱特性,，同時(shí)通過(guò)增大芯片面積，加大工作電流來(lái)提高器件的光電轉(zhuǎn)換效率,，從而獲得較高的光通量,，也因此給功率型LED的封裝設(shè)計(jì)、制造技術(shù)帶來(lái)新的課題,。功率LED封裝重點(diǎn)是采用有效的散熱與不劣化的封裝材料解決光衰問(wèn)題,。為達(dá)到封裝技術(shù)要求，在大量的試驗(yàn)和探索中,，分析解決相關(guān)技術(shù)問(wèn)題,，采用的關(guān)鍵技術(shù)和創(chuàng)新性有以下幾點(diǎn)。

　　(1)通過(guò)設(shè)計(jì)新型陶瓷封裝結(jié)構(gòu),，減少了全反射,，使器件獲得高取光效率和合適的光學(xué)空間分布。

　　(2)采用電熱隔離封裝結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的熱沉設(shè)計(jì),，以適合薄膜芯片的封裝要求,。

　　(3)采用高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬支架，選用導(dǎo)熱導(dǎo)電膠粘結(jié)芯片,，獲得低熱阻的良好散熱通道,，使產(chǎn)品光衰≤5％(1 000 h)。

　　(4)采用高效,、高精度的熒光膠配比及噴涂工藝,，保證了產(chǎn)品光色參數(shù)可控和一致性。

　　(5)多層復(fù)合封裝,，降低了封裝應(yīng)力,，實(shí)施SSB鍵合工藝和多段固化制程，提高了產(chǎn)品的可靠性,。

　　(6)裝配保護(hù)二極管,，使產(chǎn)品ESD靜電防護(hù)提高到8 000 V。

　　3 產(chǎn)品測(cè)試結(jié)果

　　3.1 Si襯底LED芯片

　　通過(guò)優(yōu)化Si襯底表面的處理和緩沖層結(jié)構(gòu),，成功生長(zhǎng)出可用于大功率芯片的外延材料,。采用Pt電極作為反射鏡，成功實(shí)現(xiàn)大功率芯片的薄膜轉(zhuǎn)移,。采用銀作為反射鏡,，大大提高了反射效率，通過(guò)改進(jìn)反射鏡的設(shè)計(jì)并引入粗化技術(shù)，提高了光輸出功率,。改進(jìn)了Ag反射鏡蒸鍍前p型GaN表面的清洗工藝和晶片焊接工藝,，改善了銀反射鏡的歐姆接觸，量子阱前引入緩沖結(jié)構(gòu),，提高了芯片發(fā)光效率,，優(yōu)化量子阱／壘界面生長(zhǎng)工藝，發(fā)光效率進(jìn)一步提高,，通過(guò)改進(jìn)焊接技術(shù),，減少了襯底轉(zhuǎn)移過(guò)程中芯片裂紋問(wèn)題，芯片制備的良率大幅度提高,，且可靠性獲得改善,。通過(guò)上述多項(xiàng)技術(shù)的應(yīng)用和改進(jìn)，成功制備出尺寸1 mm×1 mm,，350 mA下光輸出功率大于380 mW的藍(lán)色發(fā)光芯片，發(fā)光波長(zhǎng)451 nm,，工作電壓3.2 V,，完成課題規(guī)定的指標(biāo)。表1為芯片光電性能參數(shù)測(cè)試結(jié)果,。

　　注：測(cè)試條件為350 mA直流,，Ta=25℃恒溫。

　　3.2 Si襯底LED封裝

　　根據(jù)LED的光學(xué)結(jié)構(gòu)及芯片,、封裝材料的性能,，建立了光學(xué)設(shè)計(jì)模型和軟件仿真手段，優(yōu)化了封裝的光學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),。通過(guò)封裝工藝技術(shù)改進(jìn),，減少了光的全反射，提高了產(chǎn)品的取光效率,。改進(jìn)導(dǎo)電膠的點(diǎn)膠工藝方式,，并對(duì)裝片設(shè)備工裝結(jié)構(gòu)與精度進(jìn)行了改進(jìn)，采用電熱隔離封裝結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的熱沉設(shè)計(jì),，降低了器件熱阻,，提高了產(chǎn)品散熱性能。采用等離子清洗工藝,，改善了LED封裝界面結(jié)合及可靠性,。針對(duì)照明應(yīng)用對(duì)光源的光色特性的不同要求，研究暖白,、日光白,、冷白光LED顏色的影響因素：芯片參數(shù)、熒光粉性能、配方,、用量,，并通過(guò)改進(jìn)熒光膠涂覆工藝，提高了功率LED光色參數(shù)的控制能力,，生產(chǎn)出與照明色域規(guī)范對(duì)檔的產(chǎn)品,。藍(lán)光和白光LED封裝測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表2。表中：φ為光通量,；K為光效,；P為光功率；R為熱阻,；μ為光衰,；I為飽和電流。

　　4 結(jié)語(yǔ)

　　Si襯底的GaN基LED制造技術(shù)是國(guó)際上第三條LED制造技術(shù)路線,，是LED三大原創(chuàng)技術(shù)之一,，與前兩條技術(shù)路線相比，具有四大優(yōu)勢(shì)：第一,，具有原創(chuàng)技術(shù)產(chǎn)權(quán),，產(chǎn)品可銷(xiāo)往國(guó)際市場(chǎng)，不受?chē)?guó)際專利限制,。第二,，具有優(yōu)良的性能，產(chǎn)品抗靜電性能好,，壽命長(zhǎng),，可承受的電流密度高。第三,，器件封裝工藝簡(jiǎn)單,，芯片為上下電極，單引線垂直結(jié)構(gòu),，在器件封裝時(shí)只需單電極引線,，簡(jiǎn)化了封裝工藝，節(jié)約了封裝成本,。第四,，由于Si襯底比前兩種技術(shù)路線使用的藍(lán)寶石和SiC價(jià)格便宜得多，而且將來(lái)生產(chǎn)效率更高,，因此成本低廉,。經(jīng)過(guò)三年的科技攻關(guān)，課題申請(qǐng)發(fā)明專利12項(xiàng),、實(shí)用新型專利7項(xiàng),，該技術(shù)成功突破了美國(guó),、日本多年在半導(dǎo)體發(fā)光芯片(LED)方面的專利技術(shù)壁壘，打破了目前日本日亞公司壟斷藍(lán)寶石襯底和美國(guó)CREE公司壟斷SiC襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)的局面,，形成了藍(lán)寶石,、SiC、Si襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)方案三足鼎立的局面,。因此采用Si襯底GaN的LED產(chǎn)品的推出,，對(duì)于促進(jìn)我國(guó)擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體LED照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著重大意義。