《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于絕熱邏輯的低功耗乘法器電路設(shè)計(jì)
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摘要: 本文首先介紹了單相能量回收反相器電路,詳細(xì)討論電路的工作原理,同時(shí)用PSpice工具仿真了基于靜態(tài)CMOS電路和單相能量回收電路構(gòu)成的兩位乘法器電路,。仿真結(jié)果表明本文介紹的單相能量回收電路能夠極大地降低電路功耗。今后的工作還應(yīng)繼續(xù)優(yōu)化電路結(jié)構(gòu),,穩(wěn)定電路的輸出狀態(tài),,增強(qiáng)電路的抗干擾能力,。
Abstract:
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     0 引言

  過去的40年中,,MOS器件尺寸的持續(xù)縮小一直是促進(jìn)半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展的動力,。人們可以在越來越小的芯片上實(shí)現(xiàn)越來越復(fù)雜的功能,并且芯片的價(jià)格不斷下降,,使得各種便攜式產(chǎn)品如筆記本電腦,、筆跡識別儀、語音識別器等相繼問世,。這些設(shè)備大多依靠電池供電,,電池的壽命是有限的,,而目前的鎳鎘電池最多能提供的電能只有26 W/pound。而且,,隨著芯片集成度的增加,單位面積上消耗的功率也隨之增加,,這不得不增加為芯片散熱的成本,。因而,如文獻(xiàn)中所述,,電路的低功耗已成為電路設(shè)計(jì)的重要指標(biāo),。

  從已有的研究成果可知,電路中的功率消耗源主要有以下幾種:由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對負(fù)載電容充,、放電引起的功率消耗,;由邏輯門中瞬時(shí)短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗,,并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會導(dǎo)致漏電流20倍的增加,,漏電流引起的消耗已經(jīng)成為功率消耗的主要因素。目前降低功耗的方法主要有:減小電源電壓,、調(diào)整晶體管尺寸,、采用并行和流水線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、利用睡眠模式,、采用絕熱邏輯電路等,。其中,能量回收邏輯就是基于絕熱計(jì)算發(fā)展起來的一種低功耗設(shè)計(jì)技術(shù),。這里簡單介紹一種使用單相正弦電源時(shí)鐘的能量回收邏輯,,并用這種原理電路設(shè)計(jì)了一個(gè)兩位的數(shù)字乘法器電路,與靜態(tài)CMOS數(shù)字乘法器相比,,這種能量回收乘法器能夠大大降低功率消耗,。

  1 單相正弦電源時(shí)鐘能量回收邏輯電路工作原理

  以反相器為例說明這種電路的工作原理,如圖1所示,。M1和M2的連接方式與傳統(tǒng)的靜態(tài)CMOS邏輯電路相似,。不同的是電源不再是恒定不變的,而是用一個(gè)正弦信號代替,,這個(gè)信號同時(shí)起到同步電路工作的作用,,因此又稱作電源時(shí)鐘。M3和M4連接成二極管的形式用來控制充放電的路徑,。

  當(dāng)輸入信號B為邏輯“0”時(shí),,M1導(dǎo)通,M2截止,。正弦信號正半周時(shí),,通過M3和M1向負(fù)載電容充電,,一旦電容充電到最大值,M3能夠阻止電容向輸入正弦時(shí)鐘信號放電,,輸出保持在高電平不變,。當(dāng)輸入信號B為邏輯“1”時(shí),M1截止,,M2導(dǎo)通,。正弦信號負(fù)半周時(shí),負(fù)載電容通過M2和M4向輸入正弦時(shí)鐘信號放電,,一旦電容放電到最小值,,M4能夠阻止輸入正弦時(shí)鐘信號向電容充電,輸出保持為低電平不變,。

  2 基于單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計(jì)

  2.1 基于單相能量回收電路的乘法器

  兩位乘法器能夠?qū)崿F(xiàn)2位二進(jìn)制數(shù)的乘法運(yùn)算,,設(shè)A1A0,B1B0為乘數(shù)和被乘數(shù),,P3P2P1P0為乘法運(yùn)算得到的積,,由卡諾圖(見圖2)得到兩位乘法器的輸出邏輯函數(shù)表達(dá)式分別為:

  為了能用基本的與非門、或非門和異或門電路實(shí)現(xiàn)乘法器,,上式可以通過邏輯運(yùn)算變換為:

  實(shí)現(xiàn)電路時(shí),,將靜態(tài)CMOS電路(見圖3)構(gòu)成的與非門、或非門和異或門的電源用圖4所示的電源時(shí)鐘電路代替即可,。其中Clk+,,Clk-分別接CMOS電路中PMOS和NMOS管的D極和S極。

  2.2 仿真結(jié)果

  在PSpice環(huán)境下,,分別仿真了用靜態(tài)CMOS電路和單相能量回收電路構(gòu)成的兩位乘法器電路(見圖5和圖6),,圖中只顯示了輸出4位積的低2位P1P0,其中輸入信號A1A0,,B1B0波形見圖6,。其他參數(shù)如下:采用CMOS 1.2μm技術(shù),正弦波峰峰值為2.5 V,,直流電壓VDD為2.5 V,,并假設(shè)乘法器的輸出端接負(fù)載電容為0.1 fF。

  從圖中可見,,用靜態(tài)CMOS電路構(gòu)成的乘法器輸出比較穩(wěn)定,,輸出等于0或VDD,功率消耗為1.51×10-7W,。而用單相能量回收電路構(gòu)成的二位乘法器的輸出不夠穩(wěn)定,,對噪聲信號較為敏感,但是并不影響輸出邏輯,功率消耗減小為1.17×10-7W,。從節(jié)能的角度來看,,單相能量回收電路性能更好。

  3 結(jié)語

  本文首先介紹了單相能量回收反相器電路,,詳細(xì)討論電路的工作原理,,同時(shí)用PSpice工具仿真了基于靜態(tài)CMOS電路和單相能量回收電路構(gòu)成的兩位乘法器電路。仿真結(jié)果表明本文介紹的單相能量回收電路能夠極大地降低電路功耗,。今后的工作還應(yīng)繼續(xù)優(yōu)化電路結(jié)構(gòu),,穩(wěn)定電路的輸出狀態(tài),增強(qiáng)電路的抗干擾能力,。

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