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NEC電子推出用于接收衛(wèi)星數(shù)字廣播的化合物晶體管

實現(xiàn)業(yè)界最高水平的低噪音?高增益性能
2007-09-07
作者:NEC電子

NEC電子日前完成了用于建立汽車音響及導航系統(tǒng)等衛(wèi)星數(shù)字廣播" title="數(shù)字廣播">數(shù)字廣播接收系統(tǒng)的化合物晶體管產(chǎn)品—“NE3510M04”的開發(fā),并將于即日起開始發(fā)售樣品,。

新產(chǎn)品主要用于可接收衛(wèi)星廣播的低噪音" title="低噪音">低噪音放大器(LNA: Low Noise Amplifier),,使用該產(chǎn)品可對從2GHz到8GHz頻帶的低噪音進行放大。?

新產(chǎn)品與NEC電子現(xiàn)有產(chǎn)品相比,,將放大信號時的噪音降低了0.1 dB,將放大部分的電平提高了1.5dB,,有利于降低特性偏差,。用戶使用新產(chǎn)品,可以提高汽車音響,、便攜式音樂播放器等接收信號的靈敏度,,從而擴大接收信號的范圍,實現(xiàn)接收設備的小型化,、低成本化,。?

新產(chǎn)品的樣品價格為30日元/個,批量生產(chǎn)將從2007年9月開始,,初期的生產(chǎn)規(guī)模為10萬個/月,,預計到2008年生產(chǎn)規(guī)模將達到100萬個/月。?

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衛(wèi)星數(shù)字廣播服務始于2001年,,它與傳統(tǒng)的AM/FM廣播相比,,具有因接收狀況的變化而產(chǎn)生的噪音較少、易實現(xiàn)高音質(zhì)及多頻道化等眾多優(yōu)勢,。自2001年,,XM Satellite Radio與SIRIUS Satellite Radio相繼在北美推出衛(wèi)星數(shù)字音頻廣播服務(SDARS: Satellite Digital Audio Radio Service)以來,衛(wèi)星數(shù)字廣播逐步普及起來,。近幾年,,隨著越來越多的便攜式音樂播放機中集成了衛(wèi)星數(shù)字廣播的接收功能,使用衛(wèi)星數(shù)字廣播的用戶飛速增長,。截止2007年6月,,使用衛(wèi)星數(shù)字廣播的用戶人數(shù)已超過150萬人,今后仍將呈現(xiàn)出高增長趨勢,。?

受此趨勢的推動,,在集成了SDARS接收功能的整機市場上,對早日開發(fā)出能兼顧接收系統(tǒng)的低成本及高性能的半導體產(chǎn)品的需求越來越強烈,。?

1990年NEC電子推出了以砷化鎵" title="砷化鎵">砷化鎵(GaAs)為材料的“異質(zhì)結(jié)場效應晶體管" title="場效應晶體管">場效應晶體管(HJ-FET)”(注1),,該產(chǎn)品使用了NEC電子獨有的工藝技術(shù),,其低噪音性能遠遠優(yōu)于普通晶體管。自此以來,,NEC電子就將該領(lǐng)域定位為化合物半導體業(yè)務中的重點產(chǎn)品領(lǐng)域之一,,并展開了積極的推廣活動。NEC電子在衛(wèi)星廣播接收用產(chǎn)品中,,特別是在衛(wèi)星電視廣播領(lǐng)域,,擁有全球70%的市場份額,在該行業(yè)處于絕對領(lǐng)先的地位,。?

NEC電子此次推出的新產(chǎn)品是專門針對衛(wèi)星廣播領(lǐng)域開發(fā)的產(chǎn)品,,因此非常重視低噪音特性。?

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新產(chǎn)品的主要特征如下,。?

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(1)低噪音特性及高增益性能均為業(yè)界最高水平?

通過優(yōu)化外延層" title="外延層">外延層(Epitaxial layer)(注2)結(jié)構(gòu),,使放大信號時的噪音與現(xiàn)有產(chǎn)品相比降低了0.1dB,使放大部分的電平提高了1.5dB,,因此可同時實現(xiàn)業(yè)界最高水平的低噪音特性及高增益性能,。?

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(2)可支持較寬的頻率?

可接收從2GHz到8GHz的寬頻帶范圍的信號,并進行放大,。?

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(3)使用NEC電子獨有的異質(zhì)結(jié)場效應晶體管(HJFET)技術(shù)?

在此次的產(chǎn)品中,使用了NEC電子獨有的用n型砷化鎵鋁(AlGaAs)電子供應層將砷化鎵銦(InGaAs)溝道層夾在中間的結(jié)構(gòu),。此次,,NEC電子不僅通過使用獨有的電極形成技術(shù),實現(xiàn)超低噪音的異質(zhì)結(jié)場效應晶體管(HJ-FET),,還通過改善外延層的結(jié)構(gòu)及芯片生產(chǎn)條件,,降低芯片生產(chǎn)過程中所產(chǎn)生的特性偏差。?

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NEC電子此次推出的新產(chǎn)品有助于用戶開發(fā)出更高性能,、低成本的產(chǎn)品,。此外,NEC電子還可以為用戶提供用于衛(wèi)星廣播接收設備的異質(zhì)結(jié)場效應晶體管(HJ-FET)產(chǎn)品,、硅鍺(SiGe)晶體管等其他材料的晶體管及各種IC產(chǎn)品等高頻產(chǎn)品,,今后,NEC電子還會為用戶提供將這些器件組合在一起的整體解決方案,。?

新產(chǎn)品的規(guī)格請參照附件,。?

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(注1)異質(zhì)結(jié)場效應晶體管(Hetero Junction - Field Effect Transistor:HJ-FET)?

利用了帶隙(Band gap)不同的半導體結(jié)合的場效應晶體管的總稱。在此次的產(chǎn)品中,,NEC電子采用了用n型砷化鎵鋁(AlGaAs)電子供應層將銦砷化鎵(InGaAs)溝道層夾在中間的結(jié)構(gòu),,此結(jié)構(gòu)為NEC電子獨有的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)電子濃度和移動度較高,,可實現(xiàn)損耗較低的開關(guān)IC,。?

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(注2)外延層(Epitaxial layer)?

在單結(jié)晶襯底上,,根據(jù)襯底的結(jié)晶構(gòu)造,生成單結(jié)晶膜的結(jié)晶膜,。?

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