文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.200512
中文引用格式: 熊倩,,馬奎,,楊發(fā)順. FinFET器件結(jié)構(gòu)發(fā)展綜述[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2021,,47(1):21-27.
英文引用格式: Xiong Qian,,Ma Kui,Yang Fashun. Overview of FinFET device structure development[J]. Application of Electronic Technique,,2021,,47(1):21-27.
0 引言
晶體管最重要的性能是控制電流的開(kāi)斷,當(dāng)晶體管的溝道縮短到一定程度時(shí),,晶體管的溝道電流很難關(guān)緊,。原因是內(nèi)部電場(chǎng)的互相干擾導(dǎo)致柵極的電場(chǎng)不能發(fā)揮作用,因此會(huì)關(guān)不斷,,從而形成泄漏電流,。傳統(tǒng)的平面場(chǎng)效應(yīng)(Metal Oxide Semiconductor,MOS)管由于受到短溝道效應(yīng)[1-2]的作用而不能再有效地控制電流,,從而產(chǎn)生三維鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Fin Field-Effect Transistor,,FinFET)器件[3]。FinFET是加州大學(xué)伯克利分校的胡正明的教授發(fā)明的,,主要有兩種,,分別是1999年發(fā)布的基于立體型結(jié)構(gòu)的FinFET晶體管技術(shù),2000年發(fā)布的全耗盡型絕緣襯底上的硅(Fully Depleted Silicon On Insulator,,F(xiàn)OI)晶體管技術(shù)[4],。在FinFET的架構(gòu)中,閘門(mén)呈類似魚(yú)鰭的叉狀3D架構(gòu),,可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開(kāi),。FinFET技術(shù)的應(yīng)用是在被發(fā)明的十年后,首先推出FinFET應(yīng)用的是Intel,,在22 nm工藝節(jié)點(diǎn)時(shí)傳統(tǒng)技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿足溝道縮短的進(jìn)一步發(fā)展,。2013年Intel推出了第一代22 nm FinFET工藝,該工藝是采用體硅FinFET結(jié)構(gòu),。2014年后Intel發(fā)布了14 nm FinFET技術(shù),,采用的也是體硅FinFET。隨后各大廠商如格羅方德,、三星,、臺(tái)積電等也開(kāi)始轉(zhuǎn)進(jìn)到FinFET工藝當(dāng)中[5]。
本文首先梳理了體硅FinFET和SOI FinFET的結(jié)構(gòu)形式以及部分被應(yīng)用較廣泛結(jié)構(gòu)的工藝,,以及在體硅和SOI技術(shù)上發(fā)展起來(lái)的其他結(jié)構(gòu)形式,。著重總結(jié)了各種新型FinFET形式的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),最后對(duì)FinFET器件具有更好性能的結(jié)構(gòu)形式的未來(lái)工作進(jìn)行展望,。
本文詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)下載:http://forexkbc.com/resource/share/2000003299
作者信息:
熊 倩1,,馬 奎1,2,楊發(fā)順1,,2
(1.貴州大學(xué) 大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院,,貴州 貴陽(yáng)550025;
2.半導(dǎo)體功率器件可靠性教育部工程研究中心,,貴州 貴陽(yáng)550025)