摘　要： 通過一個(gè)完整的實(shí)例,，詳細(xì)闡述了TMS320C54x系列DSP芯片在線燒寫" title="燒寫">燒寫FLASH存儲(chǔ)器，并實(shí)現(xiàn)自舉" title="自舉">自舉引導(dǎo)的方法。給出了硬件連接方案和完整的C語言燒寫程序。
　　關(guān)鍵詞： TMS320C54x FLASH 燒寫 自舉引導(dǎo)

　　在向FLASH寫入上述命令的時(shí)候,，當(dāng)最后一個(gè)總線周期完成時(shí),，F(xiàn)LASH便會(huì)啟動(dòng)內(nèi)部算法，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)擦除,、編程等內(nèi)部操作,。
　　對(duì)FLASH的正確操作順序是：先復(fù)位，再擦除(片擦除或者扇區(qū)擦除),，最后編程,。
　　FLASH進(jìn)行內(nèi)部操作需要一定的時(shí)間，在這個(gè)過程中,，F(xiàn)LASH會(huì)提供一些標(biāo)志信號(hào),，通知用戶內(nèi)部操作過程是否已經(jīng)結(jié)束。為簡(jiǎn)單起見,，在對(duì)FLASH操作時(shí)不查詢?nèi)魏螛?biāo)志,，而是采取延時(shí)的方法，等待FLASH內(nèi)部操作結(jié)束,，再進(jìn)行下一步,。延時(shí)的時(shí)間應(yīng)該足夠長(zhǎng)，以保證FLASH擦除或編程成功,。具體的延時(shí)時(shí)間應(yīng)根據(jù)不同的系統(tǒng)確定,。
　　根據(jù)上述FLASH的操作原理，編寫了如下幾個(gè)主要的C語言操作子程序" title="子程序">子程序：
　　typedef　　 unsigned char BYTE;
　　void ResetFlash()　　　　　　// FLASH復(fù)位子程序
　　{
　　BYTE *pa;
　　pa=(BYTE *)0x8000;
　　*pa=0x0F0;
　　}
　　void EraseFlash()　　　　　　// FLASH片擦除子程序
　　{
　　BYTE *pa;
　　pa=(BYTE *)0x8555;
　　*pa=0x0AA;
　　pa=(BYTE *)0x82AA;
　　*pa=0x055;
　　pa=(BYTE *)0x8555;
　　*pa=0x080;　　
　　pa=(BYTE *)0x8555;
　　*pa=0x0AA;　　　　
　　pa=(BYTE *)0x82AA;
　　*pa=0x055;
　　pa=(BYTE *)0x8555;
　　*pa=0x010;　　
　　delay_10s();　　　　　　//延時(shí)10s
　　}
　　void WriteFlash(BYTE *pa,int pd)　　//寫FLASH某個(gè)單元的子程序
　　{
　　BYTE *tmp;　　
　　tmp=(BYTE *)0x8555;
　　*tmp=0x0AA;　　
　　tmp=(BYTE *)0x82AA;
　　*tmp=0x055;　　　　
　　tmp=(BYTE *)0x8555;
　　*tmp=0x0A0;　　
　　*pa=pd;　　
　　delay_200ms();　　//延時(shí)200ms
　　}
　　延時(shí)子程序可用簡(jiǎn)單的加法計(jì)數(shù)實(shí)現(xiàn),，例如延時(shí)10s的子程序示例如下：
　　delay_10s()
　　{
　　int i;
　　int j;
　　for(i=0;i＜0x100;i++)
　　{
　　for(j=0;j＜0x01000;j++);
　　}
　　}
　　具體的延時(shí)時(shí)間需要根據(jù)系統(tǒng)的時(shí)鐘設(shè)置,，應(yīng)重新調(diào)整延時(shí)子程序中的i和j的值來確定，直到能夠成功地操作FLASH為止(可以通過CCS集成開發(fā)環(huán)境的“View→Memory...”菜單命令來查看被操作的FLASH單元是否成功擦除或?qū)懭?,。
4 TMS320C5416在線燒寫MBM29LV400BC的C語言程序
　　利用CCS編譯并鏈接得到的目標(biāo)文件(*.out文件)是二進(jìn)制的COFF格式文件,，需要利用Hex轉(zhuǎn)換工具將其轉(zhuǎn)換為大多數(shù)編程器能夠接收的格式之一(如ASCII碼十六進(jìn)制格式、Intel格式等),，然后利用專門的燒寫工具燒寫FLASH,，這個(gè)方法在一般的用戶系統(tǒng)上不便于實(shí)現(xiàn)。但是根據(jù)前面所述DSP的Boot原理,，則可以寫一段很簡(jiǎn)單的燒寫程序,，按照Boot表格式，將目標(biāo)代碼在線燒寫進(jìn)FLASH,。
　　現(xiàn)在用一個(gè)實(shí)際的例子來說明在線燒寫的過程,。具體過程如下：
　　建立兩個(gè)獨(dú)立的工程文件：MyProject.pjt和FlashBurn.pjt。前者生成的目標(biāo)文件就是要燒入到FLASH中的用戶程序,，后者則用來實(shí)現(xiàn)燒入過程,。MyProject.pjt有兩個(gè)程序段：第一段是“.text”段,，位于0x1000開始的單元，長(zhǎng)度為0x2e,。它用中斷的方法實(shí)現(xiàn)LED燈的閃爍,；第二段為“.VECTORS”段，位于0x0080開始的單元,，長(zhǎng)度為0x0078,。它實(shí)現(xiàn)中斷向量表的重新映射。程序執(zhí)行入口地址也在0x1000單元,。燒寫時(shí)只需燒寫用戶程序的已初始化段(代碼或數(shù)據(jù)表)。用戶程序各段的起始單元及其長(zhǎng)度可以參考該工程編譯鏈接后所生成的.map文件(如本例的MyProject.map),，這是編寫燒寫程序的依據(jù),。
　　燒寫工程文件FlashBurn.pjt只有一個(gè)程序段，定位在0x7000開始的存儲(chǔ)區(qū)(注意不要與MyProject.pjt所占的程序空間有重疊),，并將其_c_int00直接定位到該區(qū)域,。
　　用戶程序擬燒寫到外部FLASH的0x8000開始的存儲(chǔ)區(qū)。
　　兩個(gè)工程建立并且編譯完畢后,，在CCS中先打開MyProject.pjt工程文件,，用“File→Load Program...”菜單命令下載用戶程序目標(biāo)代碼MyProject.out；再打開FlashBurn.pjt工程文件,，下載FlashBurn.out,，運(yùn)行FlashBurn.out，即可將MyProject.out代碼及其Boot引導(dǎo)信息寫入到FLASH中,。
　　脫離仿真器,，令MP/MC=0，上電復(fù)位,，即可實(shí)現(xiàn)自舉加載并自動(dòng)運(yùn)行,。
　　本例的燒寫工程文件FlashBurn.pjt的C語言主程序如下：
　　typedef unsigned char BYTE;
　　void main()
　　{
　　BYTE *FlashPtr;　　　　//指向FLASH的指針
　　int FlashData;　　　　　　//寫往FLASH的數(shù)據(jù)
　　int i;
　　BYTE *OriMem;　　　　//代碼在片內(nèi)RAM的源地址
　　int iDatalen;　　　　　　//代碼段長(zhǎng)度
　　ResetFlash();　　　　　　//復(fù)位FLASH　　　　
　　EraseFlash();　　　　　　//整片擦除FLASH　　　　
　　//開始燒寫FLASH，下面為Boot表引導(dǎo)信息　　　　　　
　　FlashPtr=(BYTE *)0x8000;
　　FlashData=0x10AA; 　　//16位存儲(chǔ)器格式
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　
　　FlashData=0x7FFF;　　　　//置SWWSR初始化值
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　
　　FlashData=0x0F800;　　//置BSCR初始化值
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　
　　FlashData=0x0000;　　　　//程序執(zhí)行入口偏移地址XPC
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　　　
　　FlashData=0x1000;　　　　//程序執(zhí)行入口地址PC
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　
　　FlashData=0x002e;　　　　//第一個(gè)程序段的長(zhǎng)度
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　　　　　　　　　FlashData=0x0000;　　　　//第一個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部
　　　　　　　　　　　　RAM區(qū)偏移地址
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　　　　　
　　FlashData=0x1000;　　　　//第一個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部
　　　　　　　　　　　　RAM區(qū)地址
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　
　　//開始燒寫第一段程序　　　　
　　OriMem=(BYTE *)0x1000;　　　　//第一段程序首地址
　　iDatalen=0x002e;　　　　　　　　//第一段程序長(zhǎng)度
　　for(i=0;i＜iDatalen;i++)
　　{
　　　　FlashData=*OriMem++;
　　　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);
　　}　　　　
　　//第二段程序(中斷向量表)Boot引導(dǎo)信息　　　　
　　FlashData=0x0078;　　　　　　 //第二個(gè)程序段的長(zhǎng)度
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　　　　　
　　FlashData=0x0000;　　　　　　 //第二個(gè)程序段要裝入的
　　　　　　　　　　　　　　 內(nèi)部RAM區(qū)偏移地址
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　
　　FlashData=0x0080;　　　　　　//第二個(gè)程序段要裝入的
　　　　　　　　　　　　　　內(nèi)部RAM區(qū)地址
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　
　　//開始燒寫第二段程序(中斷向量表)　　　　
　　OriMem=(BYTE *)0x080;　　//第二段程序首地址
　　iDatalen=0x0078;　　　　　　//第二段程序長(zhǎng)度
　　for(i=0;i＜iDatalen;i++)
　　{
　　　　FlashData=*OriMem++;
　　　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);
　　}　　　　　　　　　　　　　　　　
　　//程序燒寫結(jié)束,寫入Boot表結(jié)束標(biāo)志
　　FlashData=0x0000;　　　　　　//引導(dǎo)表結(jié)束標(biāo)志
　　WriteFlash(FlashPtr,FlashData);　　
　　//在數(shù)據(jù)空間0xFFFF寫入引導(dǎo)表起始地址　　　　
　　FlashPtr=(BYTE *)0x0FFFF;
　　FlashData=0x8000;
　　WriteFlash(FlashPtr,FlashData);
　　for(;;);　　　　　　　　　　//FLASH燒寫完畢　　
}
本文所敘述的方法簡(jiǎn)單方便,，無需考慮FLASH的存儲(chǔ)格式,。如果要燒寫其它用戶程序，只需修改FlashBurn.pjt中有關(guān)用戶程序的起始地址,、代碼段長(zhǎng)度等參數(shù)即可,，因此通用性較好。文中所提供的程序已全部經(jīng)過調(diào)試,，能夠成功運(yùn)行,。
參考文獻(xiàn)
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2 Application Report:SPRA602E.Texas Instruments Incorporated,April,2004
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5 唐 冰. TMS320C5410燒寫FLASH實(shí)現(xiàn)并行自舉引導(dǎo).單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用,2003(4)