《電子技術(shù)應(yīng)用》
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飛思卡爾擴展MRAM產(chǎn)品系列 引領(lǐng)非易失性存儲器的未來

2008-09-10
作者:周 鑫

??? 經(jīng)常有人將磁阻RAM(MRAM,,Magnetoresistive Random Access Memory)稱作是易失性" title="易失性">易失性" title="非易失性" title="非易失性">非易失性">非易失性存儲器" title="非易失性存儲器" title="非易失性存儲器">非易失性存儲器">非易失性存儲器的關(guān)鍵技術(shù),。作為一項非易失性存儲器技術(shù),MRAM可以在掉電時保留數(shù)據(jù),并且不需要定期刷新,。MRAM利用磁性材料" title="磁性材料">磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性,,它的壽命幾乎是沒有限制的,。MRAM器件可以用于高速緩沖器,、配置內(nèi)存和其它要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應(yīng)用,。

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