隨著手機(jī)閃光燈,、大中尺寸（NB,、LCD-TV等） LED顯示屏光源模塊以至特殊用途照明系統(tǒng)之應(yīng)用逐漸增多,。末來(lái)再擴(kuò)展至用于一般照明系統(tǒng)設(shè)備,，采用白光LED技術(shù)之大功率（High Power）LED市場(chǎng)將陸續(xù)顯現(xiàn),。在技術(shù)方面，現(xiàn)時(shí)遇到最大挑戰(zhàn)是提升及保持亮度,，若再增強(qiáng)其散熱能力,，市場(chǎng)之發(fā)展深具潛力。
近年來(lái),隨著LED生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展一日千里,令其發(fā)光亮度提高和壽命延長(zhǎng),加上生產(chǎn)成本大幅降低,，迅速擴(kuò)大了LED應(yīng)用市場(chǎng),，如消費(fèi)產(chǎn)品、訊號(hào)系統(tǒng)及一般照明等,，于是其全球市場(chǎng)規(guī)?？焖俪砷L(zhǎng)。2003年全球LED市場(chǎng)約44.8億美元 (高亮度LED市場(chǎng)約27億美元),較2002年成長(zhǎng)17.3% (高亮度LED市場(chǎng)成長(zhǎng)47%),乘著手機(jī)市場(chǎng)繼續(xù)增長(zhǎng)之勢(shì),預(yù)測(cè)2004年仍有14.0%的成長(zhǎng)幅度可期,。
芯片設(shè)計(jì)
從芯片的演變歷程中發(fā)現(xiàn),，各大LED生產(chǎn)商在上游磊晶技術(shù)上不斷改進(jìn)，如利用不同的電極設(shè)計(jì)控制電流密度,，利用ITO薄膜技術(shù)令通過(guò)LED的電流能平均分布等,，使LED芯片在結(jié)構(gòu)上都盡可能產(chǎn)生最多的光子。再運(yùn)用各種不同方法去抽出LED發(fā)出的每一粒光子,，如生產(chǎn)不同外形的芯片,；利用芯片周邊有效地控制光折射度提高LED取光效率，研制擴(kuò)大單一芯片表面尺寸（>2mm2）增加發(fā)光面積,，更有利用粗糙的表面增加光線的透出等等,。有一些高亮度LED芯片上p-n兩個(gè)電極的位置相距拉近，令芯片發(fā)光效率及散熱能力提高,。而最近已有大功率LED的生產(chǎn),，就是利用新改良的激光溶解（Laser lift-off）及金屬黏合技術(shù)（metal bonding），將LED磊晶晶圓從GaAs或GaN長(zhǎng)晶基板移走,，并黏合到另一金屬基板上或其它具有高反射性及高熱傳導(dǎo)性的物質(zhì)上面,，幫助大功率LED提高取光效率及散熱能力。
封裝設(shè)計(jì)
經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,，垂直LED燈（φ3mm,、φ5mm）和SMD燈（表面貼裝LED）已演變成一種標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品模式。但隨著芯片的發(fā)展及需要,，開拓出切合大功率的封裝產(chǎn)品設(shè)計(jì),，為了利用自動(dòng)化組裝技術(shù)降低制造成本,，大功率的SMD燈亦應(yīng)運(yùn)而生。而且,，在可攜式消費(fèi)產(chǎn)品市場(chǎng)急速的帶動(dòng)下,，大功率LED封裝體積設(shè)計(jì)也越小越薄以提供更闊的產(chǎn)品設(shè)計(jì)空間。
為了保持成品在封裝后的光亮度,，新改良的大功率SMD器件內(nèi)加有杯形反射面,，有助把全部的光線能一致地反射出封裝外以增加輸出流明。而蓋住LED上圓形的光學(xué)透鏡,，用料上更改用以Silicone封膠,，代替以往在環(huán)氧樹脂（Epoxy），使封裝能保持一定的耐用性,。
封裝工藝及方案
半導(dǎo)體封裝之主要目的是為了確保半導(dǎo)體芯片和下層電路間之正確電氣和機(jī)械性的互相接續(xù),，及保護(hù)芯片不讓其受到機(jī)械、熱,、潮濕及其它種種的外來(lái)沖擊,。選擇封裝方法、材料和運(yùn)用機(jī)臺(tái)時(shí),，須考慮到LED磊晶的外形,、電氣/機(jī)械特性和固晶精度等因素。因LED有其光學(xué)特性,，封裝時(shí)也須考慮和確保其在光學(xué)特性上能夠滿足,。
無(wú)論是垂直LED或SMD封裝,都必須選擇一部高精度的固晶機(jī)，因LED晶粒放入封裝的位置精準(zhǔn)與否是直接影響整件封裝器件發(fā)光效能,。若晶粒在反射杯內(nèi)的位置有所偏差,，光線未能完全反射出來(lái)，影響成品的光亮度,。但若一部固晶機(jī)擁有先進(jìn)的預(yù)先圖像辨識(shí)系統(tǒng)（PR System）,，盡管品質(zhì)參差的引線框架,，仍能精準(zhǔn)地焊接于反射杯內(nèi)預(yù)定之位置上,。
一般低功率LED器件（如指示設(shè)備和手機(jī)鍵盤的照明）主要是以銀漿固晶，但由于銀漿本身不能抵受高溫,，在提升亮度的同時(shí),，發(fā)熱現(xiàn)象也會(huì)產(chǎn)生，因而影響產(chǎn)品,。要獲得高品質(zhì)高功率的LED,，新的固晶工藝隨之而發(fā)展出來(lái)，其中一種就是利用共晶焊接技術(shù),，先將晶粒焊接于一散熱基板（soubmount）或熱沉（heat sink）上,，然后把整件晶粒連散熱基板再焊接于封裝器件上,，這樣就可增強(qiáng)器件散熱能力，令發(fā)光功率相對(duì)地增加,。至于基板材料方面,，硅（Silicon）、銅（Copper）及陶瓷（Ceramic）等都是一般常用的散熱基板物料,。
共晶焊接
技術(shù)最關(guān)鍵是共晶材料的選擇及焊接溫度的控制,。新一代的InGaN高亮度LED，如采用共晶焊接,，晶粒底部可以采用純錫（Sn）或金錫（Au-Sn）合金作接觸面鍍層,，晶粒可焊接于鍍有金或銀的基板上,。當(dāng)基板被加熱至適合的共晶溫度時(shí),，金或銀元素滲透到金錫合金層，合金層成份的改變提高溶點(diǎn),，令共晶層固化并將LED緊固的焊于熱沉或基板上,。選擇共晶溫度視乎晶粒、基板及器件材料耐熱程度及往后SMT回焊制程時(shí)的溫度要求,?？紤]共晶固晶機(jī)臺(tái)時(shí)，除高位置精度外,，另一重要條件就是有靈活而且穩(wěn)定的溫度控制,，加有氮?dú)饣蚧旌蠚怏w裝置，有助于在共晶過(guò)程中作防氧化保護(hù),。當(dāng)然和銀漿固晶一樣,，要達(dá)至高精度的固晶，有賴于嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臋C(jī)械設(shè)計(jì)及高精度的馬達(dá)運(yùn)動(dòng),，才能令焊頭運(yùn)動(dòng)和焊力控制恰到好處之余,，亦無(wú)損高產(chǎn)能及高良品率的要求。
進(jìn)行共晶焊接工藝時(shí)亦可加入助焊劑,，這技術(shù)最大的特點(diǎn)是無(wú)須額外附加焊力,，故此不會(huì)因固晶焊力過(guò)大而令過(guò)多的共晶合金溢出，減低LED產(chǎn)生短路的機(jī)會(huì),。
覆晶(Flip Chip)焊接
覆晶焊接近年被積極地運(yùn)用于大功率LED制程中,，覆晶方法把GaN LED晶粒倒接合于散熱基板上，因沒(méi)有了金線焊墊阻礙,，對(duì)提高亮度有一定的幫助,。因?yàn)殡娏髁魍ǖ木嚯x縮短，電阻減低，所以熱的產(chǎn)生也相對(duì)降低,。同時(shí)這樣的接合亦能有效地將熱轉(zhuǎn)至下一層的散熱基板再轉(zhuǎn)到器件外面去,。當(dāng)此工藝被應(yīng)用在SMD LED，不但提高光輸出,，更可以使產(chǎn)品整體面積縮小,，擴(kuò)大產(chǎn)品的應(yīng)用市場(chǎng)。
在覆晶LED技術(shù)發(fā)展上有兩個(gè)主要的方案：一是鉛錫球焊（Solder bump reflow）技術(shù),；另一個(gè)是熱超聲（Thermosonic）焊接技術(shù),。鉛錫球焊接已在IC封裝應(yīng)用多時(shí)，工藝技術(shù)亦已成熟,，故在此不再詳述,。針對(duì)低成本及低線數(shù)器件的生產(chǎn)，熱超聲覆晶（Thermosonic flip chip）技術(shù)尤其適用于大功率LED焊接,。以金做焊接的接口,，由于金此物本身熔點(diǎn)溫度較鉛錫球和銀漿高，對(duì)固晶后的制程設(shè)計(jì)方面更有彈性,。此外,，還有無(wú)鉛制程、工序簡(jiǎn)單,、金屬接位可靠等優(yōu)點(diǎn),。熱超聲覆晶工藝經(jīng)過(guò)多年的研究及經(jīng)驗(yàn)累積，已掌握最優(yōu)化的制程參數(shù),，而且在幾大LED生產(chǎn)商已成功地投入量產(chǎn),。足生產(chǎn)線使用外，其余大量的（如芯片粘片機(jī),、引線焊接機(jī),、測(cè)試機(jī)、編帶機(jī)）等自動(dòng)化設(shè)備還全都依賴進(jìn)口,。