隨著電子微技術(shù)的發(fā)展,，電機控制,、電氣傳動形成了一門多學科交叉的“運動控制”技術(shù)。運動控制系統(tǒng)能使被控機械運動實現(xiàn)精確的位置控制,、速度控制,、加速度控制、轉(zhuǎn)矩或力的控制,，以及這些被控機械量的綜合控制,。H橋驅(qū)動電路能與主處理器、電機等構(gòu)成一個完整的運動控制系統(tǒng),，可應(yīng)用于步進電機,、交流電機及直流電機等的運動控制,。
1 電機運動控制及其驅(qū)動電路
在電機的運動控制中，最常見的是電機的雙向轉(zhuǎn)動和調(diào)速,，流經(jīng)電機繞組的電流大小和方向要受控,。
圖1，圖2是由4個N溝道MOs管(M1～M4)和一個電機(M)組成的H橋,。在圖1中,，當M1和M4導通時，電流從電源正極經(jīng)M1從左至右穿過電機,，然后再經(jīng)M4回到電源負極,，電機沿順時針轉(zhuǎn)動。在圖2中,，當M3和M2導通時,，電流從右至左流過電機，電機沿逆時針轉(zhuǎn)動,。因此,，通過調(diào)整MOS管的導通與截止時序可以控制電機的轉(zhuǎn)向，通過調(diào)整流經(jīng)電機電流的大小可以控制電機的轉(zhuǎn)速,。
在此介紹一款基于HIP4081設(shè)計的厚膜H橋電機驅(qū)動電路,，用于某炮瞄系統(tǒng)。電路內(nèi)部集成了CMOS控制電路和由MOS管組成的H橋,，它能為負載提供5 A的連續(xù)電流,。該電路能在60 V的供電電源范圍內(nèi)安全工作，用戶只需提供與TTL電平兼容的PWM信號就可進行4象限模式的幅值和方向同時控制,，而且與數(shù)字控制器的接口非常簡單,。其內(nèi)部電路可提供適當?shù)乃绤^(qū)時間間隔以保護H橋的4個N溝道場效應(yīng)管，效率可達97％,。提供有與TTL兼容的使能管腳來關(guān)斷4個場效應(yīng)管,。
2 HIP4081內(nèi)部結(jié)構(gòu)及技術(shù)特點
HIP4081是intersil公司推出的一款專門用于控制H橋的高頻全橋驅(qū)動芯片。采用閂鎖抗干擾CMOS制造工藝,，具有獨立的低端和高端輸入通道,，分別獨立驅(qū)動4個N溝道MoS管；輸出峰值電流為2 A,；芯片內(nèi)部具有電荷泵和死區(qū)時間設(shè)置；懸浮電源采用自舉電路,，其高端工作電壓可達95 V,，邏輯電源電壓范圍6～15 V，工作頻率高,，可達1 MHz,；具有能控制所有輸入的禁止端,，可方便地與外接元件形成保護電路。圖3給出HIP4081的引腳排列定義,，圖4顯示了1／2HIP4081(A邊)的內(nèi)部功能框圖,。主要組成部分有：邏輯輸入、使能,、電荷泵,、電平平移及死區(qū)時間設(shè)置等。
3 HIP4081引腳排列
在圖4中,，Au,，AHl分別是A邊的低邊輸入和高邊輸入；ALO,，AHO分別是A邊的低邊輸出和高邊輸出,，DIS是使能輸入；在另一半(B邊)的內(nèi)部功能圖中,，BLI,、BHl分別是B邊的低邊輸入和高邊輸入；BL0,，BH0分別是B邊的低邊輸出和高邊輸出,。他們之間的邏輯關(guān)系如表1所示。
3 電路實現(xiàn)基本原理
電路原理框如圖5所示,。
在圖5中,，VCC為內(nèi)部邏輯電路和MOS管上臂和下臂驅(qū)動器的低壓電源；Vs為H橋供電電源,，MOS管從這個電源端獲得輸出電流,，該腳電壓范圍為Vcc～+80 V；V01,，為半橋的輸出腳1,，當PwM輸入ALI為高，BLI為低時,，該腳輸出為Vs,；Vo2為半橋的輸出腳2，當PwM輸入ALI為低,，BLl為高時,，該腳輸出為Vs；SENSE為2個半橋下臂的共同聯(lián)接點,，可連接一個到Vs地的檢測電阻以檢測電流,，該腳也可以直接連到Vs的地。GND為輸入邏輯和Vcc的地,；PWM輸人為用于輸入與TTL兼容的PwM信號,，占空比在O％～100％之間,；DIS為用于關(guān)斷4個MOS管，該腳為1時為關(guān)斷,，為0時使能,。
3．1 電路工作邏輯時序及電機運動狀態(tài)分析
在圖5中，當使能端D1S處于高電平“1”時,，無論ALI,，BLI是“1”還是“O”，ALO,，BLO,，AH0，BH0都為“0”,，電路處于禁止狀態(tài),，電機停轉(zhuǎn)。當使能端DIS處于低電平“O”時,，ALl和BLI可通過反相器分別同時接收PWM信號的高電平“1”和低電平“0”,。當ALl為1，BLI為0時,，此時,，ALO為1，AHO為0,，BLO為O,，BHO為1，H橋中的MOS管M1與M4導通,，H橋處于圖1狀態(tài),，電機順時針旋轉(zhuǎn)。當ALI為O,，BLI為1時,，此時，AL0為0,，AHO為1,，BLO為1，BHO為O,，H橋中的MOS管M3與M2導通,，H橋處于圖2狀態(tài)，電機逆時針旋轉(zhuǎn),。當ALI,，BLI同時為O時，ALO,，BLO都為O,，AH0，BHO都為1,，電機中沒有電流流過,，處于制動狀態(tài)。當ALI,，BLI同時為1時,，AL0，BLO都為1,，AHO,，BHO都為O，電機中也沒有電流流過,，同樣處于制動狀態(tài),。其邏輯關(guān)系如表2所示。
3．2 死區(qū)時間的考慮
在圖5中,，保證H橋上2個同側(cè)的MOS管(M1和M2,，M3和M4)不會同時導通非常重要。如果MOS管M1和M2(或M3和M4)同時導通,，那么電流就會從電源Vs正極穿過2個MOS管直接回到負極,。此時，電路中除了MOS管外沒有其他任何負載,，因此電路上的電流就可能達到最大值(該電流僅受電源性能限制),，甚至燒壞MOS管?；谏鲜鲈?，在實際驅(qū)動電路中要使M1與M2或M3與M4在導通時間上有一個延遲，也稱死區(qū)時間,。
HIP4081留有HDEL和LDEL兩個端口(見圖4),，用戶通過外接電阻，可根據(jù)實際電路工作情況,，自行定制死區(qū)時間,。死區(qū)時間與HDEL／LDEL電阻的關(guān)系如圖6所示。
3．3 效率的考慮
在圖5中,，決定驅(qū)動電路效率的主要是以下3個因素：H1P4081的靜態(tài)功耗,；Vcc電源的動態(tài)功耗；MOS管的I2R損耗,。
由于HIP4081是CMOS器件,，第(1)項損耗很小，可忽略不計，第(2)項損耗雖然大一些,，但遠小于(3)項(尤其是滿負荷輸出時),。而MOS管的I2R由其導通電阻決定，因此選擇合適的M0s管組成H橋電路,，可以減少(3)項損耗,。該電路選用N溝道HEXFETPower MOSFET IRFPP250N，其導通電阻為O．075 Ω,，降低了導通損耗,，提高了效率。
3．4 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的考慮
(1)該產(chǎn)品結(jié)構(gòu)采用厚膜混合集成技術(shù)設(shè)計,，如圖7所示,，在具有高導熱率的AlN陶瓷基板上通過厚膜印燒工藝制作厚膜基板，并通過基板金屬化與焊接技術(shù),，將ALN基板與金屬外殼進行焊接,，大大提高了電路的導熱能力和功率密度。
(2)在圖7中,，產(chǎn)品內(nèi)部全部有源器件采用裸芯片,，通過混合集成電路的二次集成工藝技術(shù)，將元器件,、ALN厚膜陶瓷基板以及金屬外殼組裝在一起,。形成具有全密封金屬外殼、外形尺寸為32 mm×32 mm×7 mm的雙列直插式厚膜混合集成產(chǎn)品,，大大縮小了體積,，減少了產(chǎn)品內(nèi)部級連和焊點，提高了可靠性,。
厚膜H橋電機驅(qū)動電路經(jīng)過實際應(yīng)用表明：該電路不僅安全可靠地實現(xiàn)了電機的雙向轉(zhuǎn)動和調(diào)速,提高了驅(qū)動電路和系統(tǒng)的可靠性,，而且產(chǎn)品體積小，導熱性能好,，效率高,，能在惡劣的使用環(huán)境下安全工作，適合軍,、民兩用,。